P沟道mos管电压是多少，MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

来源：整理时间：2023-02-19 23:01:39 编辑：亚灵电子网手机版

1，MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

正常驱动10-15，不要超过20V。开启的阈值电压4-5V。关断最好有-5到-10V，或者保持低阻。

MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

2，4种MOS管的开启电压P沟道增强型MOS管N沟道增强型MOS管P沟道耗尽型

增强型比较清楚：1、P沟道增强型：当Ugs<Ugs(th)时，开启。这个Ugs(th)是一个负数值，最常见的是在-4V ~ -2V之间。2、N沟道增强型：当Ugs>Ugs(th)时，开启。这个Ugs(th)是一个正数值，最常见的是在2V ~ 4V之间。耗尽型的管子比较少见。1、P沟道耗尽型：当Ugs<Ugs(off)时导通，这个Ugs(off)是一个正数值。2、N沟道耗尽型：当Ugs>Ugs(off)时导通，这个Ugs(off)是一个负数值。

4种MOS管的开启电压P沟道增强型MOS管N沟道增强型MOS管P沟道耗尽型

3，d图这是p沟道mos管计算的时候与0v对着的那个5v有什么

这个引脚是B（其实就是衬底），实际中经常跟S连在一起，放在这里，估计是为了表示一下方向。让你可以判断，那边是S，进而判断电流方向。从B的情况下，下面是D，上面连电阻的是S，这样一来，电流导通的一个条件就满足了，要知UGS合适，就可以形成从S到D的电流（类似PNP管，P沟道的电流就是从S到D，与N沟道相反）。但由于UGS的电压不满足要求，所以管子截止。

不明白啊 = =！

d图这是p沟道mos管计算的时候与0v对着的那个5v有什么

4，高压MOS和低压MOS是怎么区分的高压的是多少V以上低压的最多是多少V

1、电压不同高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。2、反应速度不同耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。扩展资料：MOS管这个器件有两个电极，分别是漏极D和源极S，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+/P+区，并用金属铝引出漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的N/P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就构成了一个N/P沟道（NPN型）增强型MOS管。做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。参考资料来源：百度百科—MOS管

5，求P沟道MOS管最大开启电压小于2V导通内阻小于5m最大电流

找不到最大电流60A的，瞬时脉冲电流可以超过60A，但是连续电流最大只有50A的，导通内阻也没有那么小的。MTP50P03和MTB50P03，最大连续电流50A，瞬时脉冲电流150A，开启电压典型值1.5V，最大值2V，导通电阻20mΩ。你可以用两只MTP50P03并联使用（加均流电阻）。

IRF4905你查查看

你好！不管你信不信，反正我是没找到。P管本来就少，还要这么大电流的。难啊！仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。

6，典型MOS管的阈值电压是多少

MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一。MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。阈值电压通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。扩展资料：MOS管其发热情况有以下三点：1、电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。2、频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。3、没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。4、MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。参考资料来源：百度百科-阈值电压百度百科-mos管

7，增强型P沟道MOS管当加适当电压Ugs0时产生反型层相当于

当然需要，如果漏电压高于源电压的话，那么那个漏才是源，源才是漏，电极的名字都换过来了。那么名字换过来需要吗？当然需要，因为Ugs是栅源电压，在这件事上这俩电极不对称！所以，漏电压一定低于源电压，Uds一定小于0，这是结论，不是规定

这个很简单。关键在于mos管的结构和工作原理。你的不足在于，没有很好地理解mos管的工作原理n沟道管子，衬底是b，而且是p型半导体，b与源极s连在一起。当gs为正电压时，g上为正电，会把衬底中的电子更多地吸引到g的对面（不会到g，原因是衬底与g之间有一道绝缘栅，电子无法越过，这也是mos管名字的来源），由此加厚反型层（增强型与耗尽型的区别就在于，增强型的反型层必须是当ugs〉ugs（th）才会生成，而耗尽型，ugs=0的时候，反型层也是存在的。）这样就比较好理解了，反型层的存在和增减，主要看ugs的大小。增强型：只要超过ugs(th)，就会存在反型层，随着ugs增加，反型层加厚。耗尽型：以ugs=0为界，同样，随着ugs增加，反型层加厚，ugs减小，反型层变薄，当ugs小到一定时候，也就是ugs

8，帮我分析下这个mos管电路当DOCarera分别是0V和33V时候门极

电路中的三极管都是工作在饱和-截止状态，即开关状态。当DO_CAMERA为高即3.3V时，Q192导通，Q193集电极为高，Q100源极（下端）为低；反之，当DO_CAMERA为低即0V时，Q192截止，Q193集电极为低，Q100源极（下端）为高。Q193、Q100输出的高电平为12V；低电平是0V，即GND。当DO_CAMERA为高时，Q100门极的电压即Q193集电极的电压等于12V，Q101门极电压为低等于0V；当DO_CAMERA为低时，Q100门极的电压即Q193集电极的电压等于0V，Q101门极电压为高于12V。这里Q100的源极与漏极是对调使用的。

你好！电路中的三极管都是工作在饱和-截止状态，即开关状态。当DO_CAMERA为高即3.3V时，Q192导通，Q193集电极为高，Q100源极（下端）为低；反之，当DO_CAMERA为低即0V时，Q192截止，Q193集电极为低，Q100源极（下端）为高。Q193、Q100输出的高电平为12V；低电平是0V，即GND如果对你有帮助，望采纳。

Q100是什么型号？从图上看好像不能打通。