三极管的反向电流为多少，在三极管中什么叫集电极反向电流ICBO 能帮我推倒一下 Iceo

来源：整理时间：2023-04-27 23:13:12 编辑：亚灵电子网手机版

1，在三极管中什么叫集电极反向电流ICBO 能帮我推倒一下 Iceo

集电结反偏，有少子形成的反向电流I（CBO）叫集电极反向电流。因为β=I（ce）/I（BE）=（Ic-Icbo）/(Ib-Icbo) 所以Ic=βIb+（1+β）Icbo因为 I(ceo)=(1+β)I(CBO)（这个是定义的）

在三极管中什么叫集电极反向电流ICBO 能帮我推倒一下 Iceo

2，三极管反向电流Icbo传透电流Iceo这里的cbeo都代表什么

c是集电极，b是基极，e是发射极，o是开路，悬空断开的意思。

阁下问对人了，Icbo是指三极管的发射极开路，集电结反偏时，流过集电结的反向漏电流，此值越小越好。一般硅管的Icbo在纳安级，可忽略不计。Iceo是指基极开路时，流过三极管集电极-发射极之间的电流。此值也是越小越好，一般硅管的Iceo也在纳安级，可忽略不计。字母c表示三极管的集电极，b表示基极，e表示发射极。o就是英文单词open的第一个字母，意即开路。

c是集电极，b是基极，e是发射极，o是开路，悬空断开的意思。 Icbo指在CB之间加一个电压，测CB之间的电流，同时E脚悬空。 Iceo指在CE之间加一个电压，测CE之间的电流，同时B脚悬空。

三极管反向电流Icbo传透电流Iceo这里的cbeo都代表什么

3，此三极管基极电流是多大

这个接法的三极管，集电极与基极同电位且反偏，15.6μA应是漏电流，基极电流应为（5V－0.8V）／1K＝4.2mA

三极管能不能导通、导通程度多大就看基极电流是多大了。具体电流是多大，我没法准确告诉你。一般小信号放大时基极电流都在微安甚至纳安级别，而大功率使用时基极电流也可以高达几安培甚至更大。

发射极电流=（5-0.7）/1000，基极电流=发射极电流/放大系数。

一楼和二楼所计算的不是基极电流，而是发射极电流。Ie=(V1-0.7)/R2=(5-0.7)/1000=4.3mA而Ie=(β+1)Ib，所以Ib=Ie/(β+1) =4.3mA/(β+1)如果β=100，那么Ib=4.3mA/101=0.043mA=43μA关键就看你的β是多大的了。

此三极管基极电流是多大

4，三极管电流方向

三极管的结构是pnp或npn三层，但并不等价于两个背对背pn结，主要的特殊之处有2点，(1)中间的基区非常薄（微米到亚微米级的）；(2)发射区的掺杂浓度非常高（因此有大量的“载流子”）导不导电主要看2条：(1)有没有电场（也就是电压，是驱动力，是外因）；(2)有没有“载流子”（就是带有电荷，又可以自由移动的粒子，这是内因）。以npn管为例来讲，当发射结正向偏置时，发射区的大量“载流子”电子通过发射结进入基区，由于基区很薄，它们还来不及从基极流走时就来到了集电结，而集电结上所加的反向偏压恰恰是吸引电子到集电区的，在这个“驱动力”的作用下，绝大部分电子流向了集电极，从而形成大的集电极电流，而只有很少的电子经基极流走，形成很小的基极电流。事实上，发射区的掺杂浓度越高，基区越薄，则上述两种流向的电子比值就越大，也就是我们通常说的三极管的电流放大倍数越高。

不必如此,可根据极性所需选择PNP或NPN型大功率管!调控基极偏值取得C-E间大电流!

PN 是有单向导通的特点，但c极不一定是反向的。http://image.baidu.com/i?ct=503316480&z=0&tn=baiduimagedetail&word=%C8%FD%BC%AB%B9%DCPN&in=21529&cl=2&cm=1&sc=0&lm=-1&pn=5&rn=1&di=296568012&ln=7三极管原理图。是两种管选择偏置电压大的三极管就可以通过大的电流。不过都是有一定限制的。反向截止是有一定限制的，超过这个限制 PN结处击穿（也可以理解为坏了）才能导致电阻减小形成反向电流

如果把c和e倒回来接，三极管的电流放大能力将大大降低。一般不到5。因此，放大应用时是不可以将c、e颠倒使用的。但如果不考虑放大倍数，并把c和e倒回来接，.ic与ie将倒向，ic的确就等于ib+ie。

5，三极管反向电路由什么流子组成

三极管反向电路由少数载流子组成。

进行电平转换，使单片机的5v电平可以实现控制15v的电平，如果没有前一级三极管，单片机永远也不能使后面的pnp三极管截止，因为它输出的最高电压就是5v，后级三极管集电结永远反偏，加上该三极管才可使其零偏。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的pn结，两个pn结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有pnp和npn两种。理论原理晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有npn和pnp两种结构形式，但使用最多的是硅npn和锗pnp两种三极管，（其中，n表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍npn硅管的电流放大原理。对于npn管，它是由2块n型半导体中间夹着一块p型半导体所组成，发射区与基区之间形成的pn结称为发射结,而集电区与基区形成的pn结称为集电结,三条引线分别称为发射极e （emitter）、基极b (base)和集电极c (collector)。如右图所示当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而c点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源ec要高于基极电源eb。在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流了。由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源eb重新补给，从而形成了基极电流ibo.根据电流连续性原理得： ie=ib+ic 这就是说，在基极补充一个很小的ib，就可以在集电极上得到一个较大的ic，这就是所谓电流放大作用，ic与ib是维持一定的比例关系，即： β1=ic/ib 式中：β1--称为直流放大倍数，集电极电流的变化量△ic与基极电流的变化量△ib之比为： β= △ic/△ib 式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。 α1=ic/ie(ic与ie是直流通路中的电流大小) 式中：α1也称为直流放大倍数，一般在共基极组态放大电路中使用，描述了射极电流与集电极电流的关系。 α =△ic/△ie 表达式中的α为交流共基极电流放大倍数。同理α与α1在小信号输入时相差也不大。对于两个描述电流关系的放大倍数有以下关系三极管的电流放大作用实际上是利用基极电流的微小变化去控制集电极电流的巨大变化。[2] 三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。放大原理 1、发射区向基区发射电子电源ub经过电阻rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。 2、基区中电子的扩散与复合电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。 3、集电区收集电子由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。