igbt一般电流参数留多少余量，IGBT的电流有什么要求我要用IGBT电磁炉用替换IFR460谢谢

来源：整理时间：2023-05-05 07:27:42 编辑：亚灵电子网手机版

1，IGBT的电流有什么要求我要用IGBT电磁炉用替换IFR460谢谢

IGBT可以看成晶体管和场效应管的复合管。输出电流特性与场效应管一样。IGBT是电流驱动型而IRF场管是电压驱动型。不能直接代换。希望对你有用，谢谢采纳

IGBT的电流有什么要求我要用IGBT电磁炉用替换IFR460谢谢

2，IGBT阻断时漏电流大小是多少啊

在技术资料里有。举例：FF300R12KE3，Vce=1200V，Vge=0V，Tvj=25℃的条件下，Ices=5mA。

很小（几乎是零），可忽略不计的。

IGBT阻断时漏电流大小是多少啊

3，用IGBT整流的4000A大电流需要几个管子并联

用IGBT整流？？？整流都用二极管，可控整流用晶闸管。4000A也不算大，选器件留50% 余量，找合适的管子并起来就OK，注意耐压。如果硬要IGBT整流，方法一样。注意散热

没看懂什么意思？

用IGBT整流的4000A大电流需要几个管子并联

4，一般IGBT能承受的dvdt和didt在什么范围

关于dv/dt和di/dt对于IGBT来讲是非常关键的两个参数，因为他和电路中的工作频率直接相关联，当知道电路的工作频率、回路电流最大值之后既可以测算出电路工作的di/dt,当知道电路中的工作电压后既可以测算出电路工作的dv/dt，根据这两个参数去选择对应的IGBT参数，IGBT的这两个参数在参数表中有，当然选择时请注意igbt的测试条件，当然还要给IGBT留安全余量。一般地选择值比实际值高出1倍左右即OK。

具体如下：1. di/dt电流上升(速)率，dv/dt电压上升(速)率。2. igbt从阻断到导通总得有一个从小到大的过程，这个过程越快越好，比如说每微秒增加多少安培。3. 写成di/dt就是电流的增量与所用时间之比。4. igbt从导通到阻断也得有一个过程，在这个过程中，igbt承受的电压有一个从小到大的过程，这个过程越快越好，比如说每微秒增加多少伏，写成dv/dt就是电压的增量与所用时间之比。5. 这2个参数都是越大越好，越大损耗越小，越大可用的工作频率越高。知识拓展：dv/dt滤波器的性能说明：1.dv/dt滤波器在远离电机300m处仍然能保证满足电机的最大峰值电压规格(母线电压的150%)。2.dv/dt滤波器额定值为变比在<200v/μs3.dv/dt滤波器在一些特殊的应用中，电缆长度达到500米时仍能提供卓越性能。

参考datasheet而且不考虑这个指标，一般考虑峰值电压电流

5，如何安全调试IGBT

1 最先查看驱动波形, +15v,-5v是否是你的驱动波形,接一个15-20欧姆20W的电阻,作为负载,看驱动能力是否足够. 一般要求瞬间2A,正常工作的时候500ma左右.2 其次接入IGBT,使用的工作电压要低一点的,比如IGBT耐压为1200V,则使用30-50V的电源进行代负载工作; 如果波形正常,能实现你所需要的功能,则继了续进行;可以使用假负载的方式进行测试; 调节频率不要太高,导通不是很频繁的时候测量波形,然后逐渐调整频率.进行调试;3 过压检测:使用示波器同时使用分压电阻测量过压情况;一般要求余量50%左右,实在没有的选择也要有30%余量;4 过流保护检测:使用示波器使用分压电阻测量电流;查看是否有过流情况; 如果过流则更换大电流的,一般要求余量50%以上5 过压保护设定和过流保护设定; 一般过压保护使用TVS管来搞定,过流保护要进行带负载进行测试,这个要和驱动联系起来.注意了这些之后,你的IGBT工作就安全多了.最后损害IGBT的多是过流情况,过压损害的概率比较低.

采用电压低于IGBT耐压的输入电源，在输入电源中串联一个电阻（可用灯泡），限制通过IGBT的电流，防止过流。不过流不过压IGBT一般是安全的。

不放心可以在漏极（igbt是场效应管和晶体管的复合体，复合管子；漏极严格说是发射极）上串灯泡啊，栅极测试前一般要加反偏电阻的1k-30k电阻值就行（宜小不宜大，过大干扰杂波得不到有效控制）。如果不加反偏的话，很可能会因为感应电压使管子导通不能关闭，最后长时间通电过载烧毁。还有输出发射极若是感性负载的话，还要适当加尖峰电压吸收回路才行的。