NMOS管栅极电压多少导通，MOS管关闭状态下栅极电压最大能允许多大是不是在接近导通电

来源：整理时间：2023-04-19 03:12:47 编辑：亚灵电子网手机版

1，MOS管关闭状态下栅极电压最大能允许多大是不是在接近导通电

一般在3.3~4v时可以导通，10v是内阻达到最小，不要超过10v使用

实际使用的时候，要想使其可靠截止，尽可能将VGS保持0或反向电压，即N沟道，VGS≤0V，P沟道≥0V。

MOS管关闭状态下栅极电压最大能允许多大是不是在接近导通电

2，N沟道场效应管控制极启动电压多少伏栅极加1V电压能导通不

1V能导通？你怎么想出来的？一般来说，常用的NMOS（也就是N沟道增强型MOS管）导通电压在2-4V之间，最少也要2V。但要提醒你：这个电压下，MOS管的工作状态不太好，要它完全导通，最好在10V左右。

N沟道场效应管控制极启动电压多少伏栅极加1V电压能导通不

3，VGSth Min06V Max12V 请问什么意思栅极电压多少管子能正常

指的是开启电压，最小0.6V，最大1.2V。就是这个型号的管子的开启电压（GS之间加上一定的电压刚刚好使DS之间开始导通，这个电压就是开启电压）从0.6到1.2V之间，每个管子都有所不同，这是制造时的离散性造成的。

VGSth Min06V Max12V 请问什么意思栅极电压多少管子能正常

4，请问N沟道MOS管是不是只要Vgs电压达到要求不管源极电位是多少都能

N沟道MOS管（一般源极接地），只要栅源电压Vgs>Vth（通常是0.7V左右），便可在栅极下面的P衬底形成N型沟道，将源极和漏极连在一起，成为导电通道；这时只要在漏极加上电压，便可形成电流，此时电流同时受Vgs和Vds控制；当Vgd＝Vgs－Vds＜Vth时，沟道在漏极夹断，管子进入饱和区，此时电流仅受Vgs控制（忽略沟道长度调制效应）；当漏源电压Vds太大时，会发生源漏穿通，即漏极和源极连在一起，相当于发生了击穿，此时会产生很大的电流。当栅源电压Vgs太大时，也会发生击穿，即栅氧化层被击穿，此时管子失效。

5，N沟道场效应管控制极启动电压多少伏栅极加1V电压能导通不搜

需要查手册。大功率增强型NMOS管，开启电压最少要2V。

gs之间电压应为正值还是负值?答：vgs=+ -20伏。可靠导通时的电压是+20伏，可靠截止的电压是-20伏。驱动irf630时，gs间电压为3.4v，但为什么不导通？答：3.4伏远远小于20伏所以不能导通。

6，nMOS管栅极电压

nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。在实际应用中往往规定漏电流达到某一值( 如50μA)时的栅源电压为阈值电压。从使用角度讲，希望阈值电压Vm小一些好。阈值电压是决定MOSFET能否导通的临界栅源电压，因此，它是MOSFET的非常重要参数。扩展资料：对于理想的增强型MOSFET（即系统中不含有任何电荷状态，在栅电压Vgs = 0时，半导体表面的能带为平带状态）。阈值电压可给出为VT = ( SiO2层上的电压Vi ) + 2ψb = －[2εεo q Na ( 2ψb )] / Ci + 2ψb ,式中Vi ≈ (耗尽层电荷Qb) / Ci，Qb =－( 2εεo q Na [ 2ψb ] )，Ci是单位面积的SiO2电容，ψb是半导体的Fermi势（等于本征Fermi能级Ei与Ef之差）。参考资料：百度百科-晶体管阈值电压

7，下面图片中的MOS管在什么情况下导通

是防止主人用其它的适配器，可能插头正、负极不同造成烧机的可能。

在PQB03收到ACDRV这个信号之前是出于截止状态，因VIN加到了PQB03的漏极所以P1此时并没有电压。见图：当芯片发出ACDRV这个信号后PQB03和PQB04两个NMOS开启，此时有了P1和P2，P1为适配器电压19V经PRB11和PRB12分压(PRB12*19/(PRB11+PRB12)),分压后的电压是4.75V。见下图。那么根据NMOS管的导通条件栅极电压必须高于源极4.5V以上才可以导通，现在源极是19V而栅极是4.75V，这个管子怎么可以导通。见下图。即便此管可以正常导通，但是ACDRV得信号电压是25V加到此管的漏极，这个MOS管还是不能够导通。见下图：