mos管的导通电阻为多少，CMOSMOS管导通电阻

1，CMOSMOS管导通电阻

一般只有几毫欧到几十毫欧

CMOSMOS管导通电阻

2，MOS管 NTMFS4C024NT1G 导通电阻

NTMFS4C024NT1G MOSFET 晶体管，N 沟道，30 V，表面贴装型。不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 2.8 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 30 nC @ 10 V

MOS管 NTMFS4C024NT1G 导通电阻

3，IRFB3206的导通电压是多大啊还有mos管的导通电压是不是电压

最佳导通电压为20V，这个在规格书上有写的。在0~30V以内Vgs电压越大，导通内阻越小，但要注意MOS管的耐压值，Vgs电压不能超过这个耐压值~

IRFB3206的导通电压是多大啊还有mos管的导通电压是不是电压

4，mos管漏源导通电阻

mos管漏源导通电阻的计算公式为：Ron= 1/[β(Vgs-VT)]。其中，Vgs是MOS管的栅源电压，VT是MOS管的阈值电压，β是MOS管的放大倍数。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。

5，MOS管的通态电阻

为了提高MOS管的电气特性，尤其是耐压和耐电流能力，功率MOSFET大都采用垂直电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。 2.3.2

6，ASEMI的MOS管7N65的静态漏源导通电阻是多少

静态漏源导通电阻RDS(on)，在特定的VGS（通常为10V）、结温和漏极电流的条件下，MOS管7N65导通时漏极和源极之间的最大电阻。这是一个非常重要的参数，决定了MOS管7N65开启时的功耗。该参数通常随着结温的增加而增加。因此，该参数在最高工作结温下的值应作为损耗和压降计算；7N65参数描述型号：7N65封装：TO-220AB特性：小功率MOS管电性参数：7A 650V栅极阈值电压VGS(TH)：30V漏电流(ID)：7A功耗(PD)：50W二极管正向电压(VSD)：1.4V静态漏源导通电阻(RDS(ON))：1.25Ω脉冲正向电流ISM：28A反向恢复时间(Trr)：293nS输出电容(Coss)：95pF贮存温度：-55~+150℃引线数量：3 7N65属于TO-220AB封装系列。它的本体长度为15.87mm，加引脚长度为28.8mm，宽度为10.16mm，高度为4.7mm，脚间距为2.54mm。

7，CMOSMOS管导通电阻

一般只有几毫欧到几十毫欧

导通电阻的大小是一种非线性变化，跟GS两端电压有关，如果UGS=UGS(th)时，一般这个电阻大概有几欧到几十欧，当UGS=8~10V时，这个电阻会下降到零点几欧甚至零点几毫欧，非常小。这方面属于半导体物理领域，作为电子工程师需要知道这个特性，但不需要去关心它为什么这样，只要会用就可以了。

这个要看cmos工作在什么状态，饱和还是线性

8，场效应管导通以后电阻有多大大概

型号不同导通电阻也是不同的，电阻大的有几欧姆，小的有几毫欧姆一般来说耐压越高的比耐压低的导通电阻会大些

电阻变化范围很大，但压降是几乎确定的。锗管0.2v硅管0.7v要求电阻的话，你拿压降除以电流吧

场效应管的优势在于驱动电路简单，所需驱动功率低，开关频率高，不存在二次击穿效应但管压降大，也就是漏、源极之间的电阻大，原因是不像gto和igbt那样存在由于pn结电导调制效应。。。所以是大

9，求P沟道MOS管最大开启电压小于2V导通内阻小于5m最大电流

找不到最大电流60A的，瞬时脉冲电流可以超过60A，但是连续电流最大只有50A的，导通内阻也没有那么小的。MTP50P03和MTB50P03，最大连续电流50A，瞬时脉冲电流150A，开启电压典型值1.5V，最大值2V，导通电阻20mΩ。你可以用两只MTP50P03并联使用（加均流电阻）。

IRF4905你查查看

你好！不管你信不信，反正我是没找到。P管本来就少，还要这么大电流的。难啊！仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。

10，请教MOS导通电阻

实在没有什么必要。导通电阻是温度的函数，按照你的电路，管子发热量相当大(注意电阻的额定功率)，必然温度上升。结果是每次测量结果都不一样。另外，导通电阻往往厂家只给一个最大值(并注明测试条件)，厂家制订的测试条件通常接近使用者实际使用条件(否则不好卖)。实际的管子，导通电阻可能比厂家给出的数值小一半。要想知道施加不同GS之间电压时管子的电流，参考红线标出的两个参数。

不是瞧不起做不了，做了也没效力老老实实按手册做吧

恩恩，这个还是可以做到的，谢谢啊

进入线性后会使测得的稻田电阻误差大吗，MOS导通电阻本来就小，一般都是数十毫Ω，540的小于77毫Ω。

哦，编辑去掉“验证---”了那“请问这个电路能满足吗？”满足傻啊？若是在开关应用的“开”态，Vgs一定不小于Vds基本是个伪命题，建议楼主重温重问

刚学习MOS，不太懂啊