可以并联使用，但最好加均流电阻。IRF管并联连接，这通常出现在需要大电流输出的情况下，每个MOS管相当于一个电流支路（管处于开关状态），最终可以共同形成一个大电流，MOS管具有自平衡效应，即它们会自动分配电流（MOS管的动态电阻为正系数），均流效果良好，比较简单的方法是将两个晶体管并联:将两个晶体管的栅极G、源极S和漏极D分别并联，最好在栅极和漏极上分别串联一个小电阻平衡电阻，如图所示。
是的，场效应晶体管具有负的电流-温度系数（即当栅极和源极之间的电压不变时，传导电流将随着晶体管温度的升高而降低），因此MOS晶体管的并联已被广泛使用。漏极电流决定压降、最大漏源电压、最大栅源电压和最大瞬时电流；其次，当使用所有类型的场效应晶体管时，它们必须严格按照要求连接到电路。从同步整流的原理图可以看出同步整流的工作原理。整流器VT，
传单VT，不能在系列中使用。驱动电压取自变压器的次级绕组，并加在MOS管的栅极G和漏极D之间，如果MOS管在独立电路中不能完全导通，损耗就很大。并联的MOS管太多，可靠性不太好，最好使用单个设备。请问MOS不能并联，开关时间的同步性很难控制，炸毁机器很容易。有许多方法可以降低温度，并行MOS是最不理想的。您可以选择更大容量的MOSFET，添加大型散热器并使用大型封装MOS。
