mos管导通时的电阻多少，mos管漏源导通电阻
mos管漏源导通电阻mos管漏源导通电阻的计算公式为：Ron=1/[β(Vgs-VT)]。其中，Vgs是MOS管的栅源电压，VT是MOS管的阈值电压，β是MOS管的放大倍数。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。2，ASEMI的M...
更新时间：2024-01-15标签： mos管mos管导通时的电阻多少mos管漏源导通电阻 全文阅读