ir2104的死区时间是多少，Intel 2164 DRAM 芯片内部数据位采用128128矩阵排列刷新周期为2毫秒
Intel2164DRAM芯片内部数据位采用128128矩阵排列刷新周期为2毫秒数据位一共是128×128，需要的刷新时间为1.5284毫秒，所以死区时间为0.4716毫秒2，DSP控制三相步进电机时为什么要用一对互补的PWM波形来控制如果只用一每一相都有高位的MOS和低位的MOS，要驱动这两个MOS而且还不能同时开同时关，必须上开下关或者下开上关，所以要用互补的PWM控制。如果用专用的MOS驱动芯片去驱动MOS管，是可以用一路PWM控制一相的。给你推荐一款MOS驱动的芯片手册，你看了之后应该会有一些...
更新时间：2023-12-26标签： 死区时间ir2104的死区时间是多少Intel2164DRAM芯片内部数据位采用128128矩阵排列刷新周期为2毫秒 全文阅读