gaas带隙是多少，硅锗和砷化镓能带结构特点
硅锗和砷化镓能带结构特点sige是间接带隙GaAs是直接带隙2，铝酸钙的带隙是多少首先铝酸钙是氧化钙和氧化铝的混合物,所以没有固定的熔点.当氧化铝含量为60%时,它的熔点最低,达到1390度.当氧化铝很少时,他的熔点最高,达到2600度.3，GaAs砷化镓的禁带宽度是多少室温下为1.42eV,也可取1.46eVEg=1.42evλ=1.24/eg=1.24/1.4=0.886μm4，半导体Si和CaAs的能带结构各有什么特征Si的能带宽，CaAs的能带窄，所以更适合射频器件你好！GaAs吧？Si的能带...
更新时间：2023-09-12标签： gaas带隙是多少gaas带隙多少 全文阅读