极间电容

IGBT吸收电容的选择标准是什么重要的是DV/DT值，目前市场上看到的epcos、TechCap、和icel的多，wima的几乎看不到了2，mos管gate极和source极之间电容一般为多大MOS管是电压控制的元件，它的栅极输入阻抗极大，几乎就没有电流经由栅极流向源极，也就是说Igs≈0。考虑栅极电流的情况，比较常见的只有一个，就是开关信号频率很高时，栅极的寄生电容高速充放电会产生较大的电流。你说呢...3，我今天发现了一个IGBT模块的GE间的电容坏了结果输出电压很小IGBT模块的GE间的电容作用...

IGBT的特性参数IGBT的特性其实和三极管差不多只不过场管是电压驱动元件它也有三种状态截至导通饱和当然导通某个场管得具体看这个场管的系数当外部电压达到导通电压时元件导通有电流经过场管当电压降低到某一导通阀值内也就截至了导通阀值不可能为0，这是所有半导体功率器件的特点，一般都是0.5v~4v这样，至于igbt，阈值一般为2v左右2，IGBTC极和E级之间的电容值应该怎么得到任务占坑IGBT管在导通时，其C极电压越低，IGBT管内部的损耗越小，反之则损耗越大。当IGBT管内部损耗超过规定值时，IGBT管...