推挽电路采用MOS管作为驱动器件，结构简单、效率高、变压器铁芯利用率高，广泛应用于低压大电流场合。芯片中有两个功率mos晶体管，可以通过软件控制，逻辑错误可以直接开启高压进行自毁，IGBT结合了上述两种器件的优点，具有低驱动功率和低饱和电压，vgsth的值应小于高电平电压，Rdson越小越好，Cgs越大越好。
GTR饱和电压降低，载流密度高，但驱动电流高。MOSFET驱动功率低，开关速度快，但其导通压降大，载流密度低。MOS晶体管HKTD4N65可用于快速充电、电源和逆变器应用。赫克泰推荐的高压功率MOS晶体管HKTD4N65是由N沟道制成的功率MOS晶体管。最大漏源电压为650V，最大漏源电流为4A，最大栅源电压为30V，漏源导通电阻为2。最小阈值电压为2V，最大阈值电压为4V，最大功耗为1mW。它采用TO-252封装。它具有良好的散热性能、产品稳定性和可靠性，可用于电动工具、PD快充、电源、驱动器、电机控制器、变频器、适配器、逆变器、电池保护板、智能插头、智能扫地机器人、智能小家电等产品。
IGBT（insulated gate bipolar transistor，绝缘栅双极晶体管）是一种由BJT和金属氧化物半导体（MOS）组成的复合型全控压驱动功率半导体器件，具有MOSFET输入阻抗高和GTR导通压降低的优点。IGBT（insulated gate bipolar transistor）是功率控制和功率转换的核心器件，是由BJT（bipolar transistor）和MOS（insulated gate field effect transistor）组成的复合型全控压驱动功率半导体器件。它具有高输入阻抗、低通态压降、高速开关特性和低通态损耗等特点，在高频大功率和中功率应用中占据主导地位。
目前，IGBT已经能够覆盖从600 V到6500 V的电压范围。根据使用电压，IGBT可分为三类:低压、中压和高压，不同的电压范围适用于不同的应用场景，MOS晶体管的栅极驱动电流怎么计算？这里，iG表示栅极驱动电流，Qg表示栅极电荷，ton表示开关时间。例如，如果MOSFET的栅极电荷为40nC，导通时间为1微秒，则栅极驱动电流可计算为:iG=40nC/1us=40mA。
