如果此时ce结的电压低于be结的电压，则从E电极进入B电极的一些电子无法通过ce结，形成集电极电流Ic。有效宽度减小，这意味着空间电荷区变得更厚，导电性减弱，也就是说，基极电流会随着集电极电压的增加而减小，因此在晶体管和共基极放大电路的放大状态下，ce的电压必须大于be的电压，你问对人了，Icbo是指当三极管的发射极开路，集电极结反向时，流经集电极结的反向漏电流。值越小越好。
Iceo指基极开路时三极管集电极和发射极之间流动的电流。Vcbo:在放大下，集电极结反转。（v（br）CEO-电极B和电极C-E之间的反向击穿电压。根据箭头的方向，当E端的电压高时，当B端的电压也高时，则E和C之间的连接断开，当B端的电压低时，则E和C直接连接，从而实现开关功能。
Ic/Ib，那么Ib就会减少。由于基极电流减小，集电极增加，放大倍数将增加。此时，集电极结也进入正向偏置状态，集电极吸引电子的能力将下降。此时，如果iB再次增加，iC几乎不再增加，晶体管将失去其电流放大效应。工作在这种状态下的晶体管称为饱和。只有工作在放大区的三极管集电极结被反向偏置。
左和右）是可能的，此时，发射极结和集电极结处于正向偏置。应当注意，在这种情况下，当集电极结开始击穿时，IC会增加，Vebo:通常三极管用于放大，发射极结正偏置，但有时三极管会工作在开关状态，发射极结反偏置。因此，需要考虑发射极结的反向击穿电压，一般来说，低功率电子管的Vebo约为几v .此时，流经c-e极的是ICEO。
