进入集电极的电子被集电极结排斥，电子流向外部电源的阳极，即集电极在不断收集电子。在外电场的作用下，基极的P区电势较低，多光子空穴将远离集电极，同样，集电极N区的电势较高，多光子电子远离基极，导致集电极结面积增大，C极应该是电源电压，饱和时，C极电压非常低，CE结电压一般为0。当B点的电位比E点高几伏时，发射极结处于正向偏置状态，而当C点的电位比B点高几伏时，集电极结处于反向偏置状态，集电极电源Ec高于基极电源以辅助o。
当B点的电位比E点的电位高十分之几伏特时，发射极结处于正向偏置状态，而当C点的电位比B点的电位高几伏特时，集电极结处于反向偏置状态，集电极电源Ec高于基极电源Ebo。你好:图中集电极电位与各元件参数和-Vcc电压有关，主要是Rb和RC的值，晶体管型号主要是放大倍数和-Vcc的电压值。没有这些，就无法获得集电极电位的具体值。
发射极电压或电流随着基极的大小而变化。三极管关断时电压不会为零，三极管两端的压降几乎为零，因此集电极电压如V、VT分别称为发射极E、基极B和集电极C，这是由于薄的基极区域和集电极结的反向偏置。我们可以从电阻分压来分析问题，电路就像一个无穷大的电阻，如果Rb连接到晶体管的基极。
