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igbt的温升一般多少比较合适,IGBT发热都有那些原因

来源:整理 时间:2024-06-11 21:59:55 编辑:亚灵电子网 手机版

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1,IGBT发热都有那些原因

开关频率很高;门极驱动波形不好散热不合适;电流过大

IGBT发热都有那些原因

2,一般IGBT最好别超过多少温度可以保证正常工作

IGBT外壳温度超过80度很正常,内核结温更高。IGBT的数据手册中有关于结温的限制,Tjmax,一般器件好像是结温不高于175度,大功率器件要看手册。

一般IGBT最好别超过多少温度可以保证正常工作

3,变频器igbt模块导热脂厚度是否影响散热应多厚合适模块与散热器

是!要涂的均匀的薄导热脂,一般为50um-100um之间即可。太薄容易有间隙,太厚又容易增加不必要的导热介质,增加热阻,反而不利高效散热。散热效果好不好是要看模块散热区温度与模块安全温度作比较判断的,不是你那样理解的。

变频器igbt模块导热脂厚度是否影响散热应多厚合适模块与散热器

4,变频器IGBT允许运行的最高温度是多少

电流500a以上,耐压多为17kv中间直流电压一般在900——1140左右。igbt有对应型号,根据功率与电压在市场上igbt厂家会有相应的产品,如果有严格标准可以定做。当然,我不从事igbt买卖。呵呵……

5,IGBT的温升如何计算

根据热阻原理,用Rthj-c即节壳热阻乘以IGBT发热功率就得到IGBT节到壳的温升。 Rthj-c在数据手册里面,IGBT发热功率需要用软件计算,比如英飞凌的IPOSIM,三菱、ABB都有对应自己产品的仿真软件可以估算发热功率

6,英飞凌IGBT 最高能在多少温度下运行

这个要看IGBT用的是第几代管芯,这个data sheet资料上都有,如果是4代芯,管芯最高工作在175摄氏度;再就看一下你的工作条件,根据你的发热功率和系统热阻计算温差,反推出IGBT内部工作温度,建议即使是4代管芯 管芯温度也不要超过130度,因为温度过高会严重影响IGBT的寿命

7,英飞凌igbt250a的电流会达到多大温度

这要根据IGBT的型号来决定(耐压耐流越大,IGBT的G极和C极间的等效电容越大,所需的电流越大),跟开关频率也有关系(开关频率越大,所需电流越大),一般驱动电流为零点几A到几A(5A一下),驱动电路不能太大,否则会造成IGBT驱动信号的干扰,导致误导通。

8,IGBT散热片越大越好吗

没有必要很大,但是假如散热器温度很高就需要加大散热面积或者使用散热风扇。没有散热器使用经验时可以说散热器越大器件热击穿的可能性越小。
利用损耗、环境温度,igbt封装的热阻,计算得到散热器的热阻,然后选散热器。自然冷却,强制风冷,水冷。

9,IGBT散热器我现在有2个IGBT一个整流桥发热总两为4KW请问

散热器足够大的话是可以的!至于具体尺寸,真说不上!装上去用测温枪量一下温度就知道了是否合适!
你好!根据我的做的经验 散热器尺寸还得看你的IGBT布置情况 4000kw 用型材的话 至少用400mmx75mm参数的,而且是波纹型散热器。如果用插片的就尺寸更仅代表个人观点,不喜勿喷,谢谢。
不可以 不满足短路动力核算 你的电路会被自己的电磁力压垮

10,谁知道IGBT最高耐压是多少最高耐流是多少工作稳定吗 问

耐压和耐流多少是IGBT分类的主要2个标准。例如:IGBT耐压等级一般有:600V,1200V,1700V,2500V,3300V,4500V,6500V。电流低的用单管封装,电流大的用模块封装。而且一般IGBT和FRD(快恢复二极管或FWD续流二极管)并联封装在一起。例如1200V等级低电流的有:15A、20A、25A。模块封装的有:75A,100A,300A,400A,600A,800A,1200A,2400A,3600A等。关于工作稳定问题,个人认为(经验不足,请批评指正):IGBT和应用系统设计密切关联,过流、过压、过频、高温(冷却系统设计不合理)、大寄生电感等都会烧毁IGBT。
管子型号 最高耐压(V) 最大电流IC(A) 管内是否含阻尼二极管20N120CND 1200 20 有K25T120 1200 25 有G40N150D 1500 40 有5GL40N150D 1500 40 有G4PH50UD 1500 40 有GT40q321 1300 40 有GT40T101 1000 40 无G40T101 1000 40 无GT40T301 1300 40 无SQB35JA 1500 35 有G30P120N 1200 30 无GPQ25101 1000 25 有GTl53101 1000 15 无GT8Q191 1900 8 有GT50J101 1000 50 无GT50j102 1000 50 无GT50J301 1300 50 无GT60M104 1000 60 无GT60M301 1300 60 无GT75AN-12 1200 75 无15Q101 1000 15 有25Q101 1000 25 有80J101 1000 80 无JHT20T120 1200 20 有SKW25N120 1200 25 有(1) SGW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SKW25N120。(2) SKW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120,代用时将原配套SGW25N120的D11快速恢复二极管拆除不装。(3) GT40Q321----东芝公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时42A,100℃时23A, 内部带阻尼二极管, 该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120, 代用SGW25N120时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。(4) GT40T101----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321, 配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用GT40T301。(5) GT40T301----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A, 内部带阻尼二极管, 该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、 GT40T101, 代用SGW25N120和GT40T101时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。(6) GT60M303 ----东芝公司出品,耐压900V,电流容量25℃时120A,100℃时60A, 内部带阻尼二极管
请给出具体的igbt型号,目前最大的能做到7千伏,电流可以通过串联提升。igbt本身由于是由PiN和MOSFET组成,内部特性决定了他的导通电压随温度漂移不大。适合在复杂环境下使用。
文章TAG:igbt的温升一般多少比较合适igbt温升一般

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