ddr数据线阻抗是多少，ddr3做嵌入式设计在信号线控制线上是否可以不串联2030欧的匹

来源：整理时间：2023-03-10 03:23:01 编辑：亚灵电子网手机版

1，ddr3做嵌入式设计在信号线控制线上是否可以不串联2030欧的匹

是的，我就没采用过那种方法，直接在走线上设计阻抗，通过叠层、走线宽度和铜箔厚度来共同达到阻抗，一般控制50OHM左右，地址线和数据线等长设计。注意时序。

应该不是吧。

ddr3做嵌入式设计在信号线控制线上是否可以不串联2030欧的匹

2，DDR3 PCB那些线需要做阻抗匹配多少欧姆是差分还是单线

1、需要做阻抗匹配的线：数据/地址线；2、具体需要多少欧姆的电阻，要看布线和时序要求；3、不需要走差分线，只需要做等长处理。

DDR3 PCB那些线需要做阻抗匹配多少欧姆是差分还是单线

3，小第开始从事设计PCB高速板请教大虾DDR走线阻抗等问题

专业解答：汗，你这种问题很值钱的，先不说10分，就是给钱别人不一定愿意回答。简单回答你吧：1：阻抗由驱动芯片决定，你不是主板设计，看你是一些嵌入式小板卡，这种一般要求也低，不需要这么严格。2：DDR布线等长即可，先布DDR，其他的后面再设计。

小第开始从事设计PCB高速板请教大虾DDR走线阻抗等问题

4，小第开始从事设计PCB高速板请教大虾DDR走线阻抗等问题

5，DDR内存旁边的排阻和电容起什么作用

接VDD的排阻是用于信号终结的终结排阻，防止信号反弹的，也叫提压排阻。接北桥的叫衰减排阻，串在北桥和内存槽之间。

排阻只有DDR的有..一边接内存的数据线..一边接上拉供电.DDR一代的上拉是1.25V..DDR二代的是0.9V,,,这样做用于提高信号的幅度..提高它的抗干扰能力.这些排阻叫上拉排阻.

供电部分一般是单个贴片电阻，一般用排阻的少见，我不知道有没有。

GIP G 我一直在找DDRII的VTT是多少，嘿嘿，谢谢兄弟了。

常见的是560的排组一端接内存的AD线，一端接1.25V。小电容就是滤波作用。。

想知道一般情况下这些排阻排容容易坏吗

6，在DDR的PCB布线中提到数据线可以分组等长各组之间可以不等长那怎样

一位同事讲：但是有一个比较值，就是CLK的长度要大于address，address要大于data（may be wrong）。同组间相等。组间的差别不能大于10mm。有网友表示，DDR数据线用DQS来锁存，因此要保持等长。地址、控制线用时钟来锁存，因此需要和时钟保持一定的等长关系，一般等长就没有什么问题。阻抗方面，一般来说DDR需要60欧姆，DDR2需要50欧姆，走线不要打过孔，避免阻抗不连续。串扰方面，只要拉开线距，一层信号一层地，就不会出问题。也有网友表示他们模拟DDR2的结果：时钟对线长误差小于0.5mm；最大长度小于57mm；时钟线与相对地址线的长度差小于10mm。李宝龙表示，无论是PCB上使用芯片还是采用DIMM条，DDR和DDRx(包括DDR2，DDR4等)相对与传统的同步SDRAM的读写，主要困难有三点：第一，时序。由于DDR采用双沿触发，和一般的时钟单沿触发的同步电路相比，在时序计算上有很大不同。DDR之所以能实现双边沿触发，其实是在芯片内部做了时钟的倍频，对外看起来，数据地址速率和时钟一样。为了保证能够被判决一组信号较小的相差skew，DDR对数据DQ信号使用分组同步触发DQS信号，所以 DDR上要求时序同步的是DQ和DQS之间，而不是一般数据和时钟之间。另外，一般信号在测试最大和最小飞行时间Tflight时，使用的是信号沿通过测试电平Vmeas与低判决门限Vinl和和高门限Vinh之间来计算，为保证足够的setup time和hold time，控制飞行时间，对信号本身沿速度不作考虑。而DDR由于电平低，只取一个中间电平Vref做测试电平，在计算setup time和hold time时，还要考量信号变化沿速率slew rate，在计算setup time和hold time时要加上额外的slew rate的补偿。这个补偿值，在DDR专门的规范或者芯片资料中都有介绍。第二，匹配。DRR采用SSTL电平，这个特殊buffer要求外接电路提供上拉，值为30～50ohm，电平VTT为高电平一半。这个上拉会提供buffer工作的直流电流，所以电流很大。此外，为了抑制反射，还需要传输线阻抗匹配，串连电阻匹配。这样的结果就是，在DDR的数据信号上，两端各有10～22ohm的串连电阻，靠近DDR端一个上拉；地址信号上，发射端一个串连电阻，靠近DDR端一个上拉。第三，电源完整性。DDR由于电平摆幅小(如SSTL2为2.5V，SSTL1为1.8V)，对参考电压稳定度要求很高，特别是Vref和VTT，提供DDR时钟的芯片内部也常常使用模拟锁相环，对参考电源要求很高；由于VTT提供大电流，要求电源阻抗足够低，电源引线电感足够小；此外，DDR同步工作的信号多，速度快，同步开关噪声比较严重，合理的电源分配和良好的去耦电路十分必要。1.CLK等长长度为X，最长的和最短的相差不超过25mils2.DQS长度为Y，和CLK比对，Y要在[X-1000,X+1000mils]这个区间3.DM、DATA长度为Z，和各组的DQS比对，Z要在[Y-25,Y+25mils]区间里面4.A/C信号（control & command信号）长度为K，和CLK比对，K要在[X-1500,X+2000mils]范围内5.阻抗控制：DQ DQS DM CONTROL COMMAND CLK阻抗为55ohm±15%即（47--63ohm）1.走线分组 ARM系统中内存一般为32位或者16位，通常使用一片或者两片内存芯片组成。可以将数据线分成一组，两组或者4组。一组的分法：DATA0-31,DQS0-3,DQM0-3作为一组; 两组的分法：DATA0-15,DQS0-1,DQM0-1为一组，DATA16-31,DQS2-3,DQM2-3为一组; 四组的分法：DATA0-7,DQS0,DQM0为一组，DATA8-15,DQS1,DQM1为一组，DATA16-23,DQS2,DQM2为一组，DATA23-32,DQS3,DQM3为一组。具体分几组，可以根据芯片数量和走线密度来确定。布线的时候，同一组的信号线必需要走在同一层。剩下是时钟信号，地址信号和其它的控制信号，这些信号线为一组。这组信号线尽量在同一层布线2.等长匹配 a. DDR的DATA0-31,DQS0-3,DQM0-3全部等长匹配，不管分为一组还是两组或四组。误差控制在25mil。可以比地址线长，但不要短。 b. 时钟信号，地址信号和其它的控制信号全部等长匹配，误差控制在50mil。另外如果是DDR时钟，要按照差分线要求来走线，两条时钟线的长度要控制在2.5mil的误差内，并且尽量减小非耦合的长度。时钟线可以比地址和其它信号线长20-50mil。3.间距间距的控制要考虑阻抗要求和走线的密度。通常采用的间距原则是1W或者3W。如果有足够的空间来走线，可以将数据线按3W的间距来走，可以减小很多串扰。如果实在不行至少要保证1W的间距。除此之外，数据线与其它信号线的间距至少要有3W的间距，如果能更大则更好。时钟与其它的信号线的间距至少也要保持 3W，并尽可能的大。绕线的间距也可以采用1W和3W原则，应优先用3W原则。

7，DDR VTT电阻误差在多少才算正常

一定要用指针万用表（因为是叠加电路）测量上拉电阻对地阻值，对地阻值误差在8欧姆以内为正常，否则Intel芯片组的板是北桥开路空焊，AMD Cpu的板就是CPU插座接触不良、空焊

看看你的桥吧。有时候C1不过一般的方法都排除的话也有可能是桥的问题了。

如果不过内存 DDR 主供电2.5V----2.6V左右 VTT负载电压是主供电的一半 DDR2 主供电1.8V左右负载电压主供电的一半 DDR3 主供电1.5V 负载电压主供电的一半看电压是否正常，如果供电正常，打对地阻值，需要打靠近北桥的排阻靠近北桥的那一端遇到阻值大的！更换排阻尚可，装上CPU打值一次就是打值 CPU 到内存的另一边的排阻位置两排电阻就是串联的关系两头都接地了不装CPU打值一次就是打值排阻到另一边排阻的的中间有问题。 DDR2 就用打值卡打值。

查一下91 92角是否有3.3v 或者2.5v 如果这两线有问题，也会引起内存不过。这两条线是通向南桥的。

那要看你是用什么表打阻值了,如果是数字万用表的话不能超过5欧,最好是用指针万用表,因为那打阻值最精确

知道的人，麻烦解释一下每次C1都会闪一下才报警，感觉在找内存，不知道是找不到还是读取不了就报警了

8，DDR400 Layout准则

1．时钟信号（1）差分布线，差分阻抗100欧姆，差分线误差±5mil。（2）与其它信号的间距要大于25mil，而且是指edge to edge的间距（3） CLK等长，误差±10mil。2．数据信号：（1）数据信号分为八组，每组单独分开走线，第一组为DDR_DQ[0：7]、DDR_DQSP0、DDR_DQSN0、DDR_DQM0，以此类推，同组信号在同一层走线。（2） DQ和DQM为点对点布线，（3） DQS为差分布线。差分线误差±5mil，差分阻抗100欧姆。（4）组内间距要大于12mil，而且是指edge to edge的间距，同组内DQ与DQM以DQS为基准等长，误差±5mil。（5） DQS与DDR2_CLKP等长，误差±5mil。（6）不同组信号间距：大于20mil（edge to edge的间距）（7） DDR_CKN/P之间的并联100欧姆电阻，需要放置在信号一分二的分叉地方（8）尽可能减少过孔（9）叠层设计的时候，最好将每一层阻抗线宽，控制在差不多宽度（10）信号走线长度，不超过2500mil3．控制信号和地址信号：(1) 组内间距要大于12mil，而且是指edge to edge的间距(2) 所有控制线须等长，误差±10mil。(3 不同组信号间距：大于20mil（edge to edge的间距）4．其它信号DDR_VREF走线宽度20mil以上。

设计之前需要查看该ddr芯片的手册，清楚哪些信号需要等长或者阻抗设计。然后通过polar等仿真软件计算阻抗线宽和间距，一般是控制90ohm阻抗。

9，DDR1和DDR2的分别

DDR2与DDR的区别：在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。 1、延迟问题：从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。 2、封装和发热量： DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。 DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。 DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。 DDR2采用的新技术：除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。 OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。 ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。 Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。

ddr和ddr2在同一频率下ddr2 的处理速度快 drr最高的频率只有400 ddr2最高的有800 所以性能上绝对是ddr2好

第一。封装方式不一样，DDR2是240PIN DDR为184PIN 第二。供电不一样 DDR2 用的1.8V DDR1是2.5V 第三工作频率不一样 DDR1 为266~400 DDR2 为533~800 第四价钱还不一样

频率不一样，显存颗粒不一样，速度不一样，当然价格也不一样。区别DDR比DDR2稍微短2厘米，中间凹下去的部分DDR在中间，DDR2在旁边点

频率，延迟都不一样

第一接口不同，第二，电压不同，DDR1是2.5V，DDR2是1.8V；第三频率不同，DDR1代最高频率是400MHZ，DDR2最低频率是从553开始的。

内存频率不一样

10，关于电脑的DDRDDR1DDR2是什么

内存分SD和DDR类型 DDR1-DDR2是同一个类型但不是一个型号一代和2代，有分别滴不过有过度主板支持两种类型。选择双内存，再主板支持双通道情况下（目前大部分都支持）最好选则同品牌同型号内存。

其实就是内存的第一代和第二代!这样好理解!下面内容为专业术语解释!可以参考下! DDR2与DDR的区别与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。 DDR2与DDR的区别示意图与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。 DDR2的定义： DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。 DDR2与DDR的区别：在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。 1、延迟问题：从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。 2、封装和发热量： DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。 DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。 DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。 DDR2采用的新技术：除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。 OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。 ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。 Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决