一般FET的驱动电压为，当许多FET的栅源导通电压为时，负载获得的实际电压不足，FET的GS控制电压为，FET Si，-考虑跨导因素，当FET输出大电流时，GS极间电压大于导通电压。不能高于电源电压，规格FET类型N沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏极-源极电压（Vdss）电流-连续漏极（Id）（C）（Ta）驱动电压（最大RdsOn、最小RdsOn）。
以上，这意味着你电路中场效应晶体管的栅极为0，最高电压为0，然后当MOS晶体管关断时，gs之间的电路为0，如果阈值较高，对驱动的要求也会相应提高。MOS的阈值电压，即所谓的导通电压，对于不同的型号有不同的值。通常，这也与其耐压有关。比如几十V的耐压一般是GD和DS之间的电压，所以我不需要想太多（我是新手，反正没想过）。一般来说，GS之间的电压需要特殊处理。
楼下的答案可能是关于GD和GS的错误。他说的应该是GS之间的击穿电压，这个电路有一个大问题。三极管的基极电流通常只有，首先负载要挂在MOS的D极而不是S极上，也就是说负载和MOS管要上下切换。交流参数交流参数可分为输出电阻和低频跨导，参数和输出电阻一般在几十千欧到几十万欧之间，而低频跨导一般在几十分之一到几毫西弗的范围内，这是特别容易获得的。
