闪存一般能写多少次，闪存盘可擦写多少次闪存盘里的数据能保存多久

来源：整理时间：2023-05-03 03:01:15 编辑：亚灵电子网手机版

1，闪存盘可擦写多少次闪存盘里的数据能保存多久

闪存盘可擦写1,000,000次，闪存盘里数据可保存10年

闪存盘可擦写多少次闪存盘里的数据能保存多久

2，闪存硬盘RW光盘的可擦写次数分别是多少

闪存如果是HC08芯片可擦写10万次，若是S08芯片一般在1000次左右。硬盘基本在5年左右。DVD-RW光盘在1000次左右。PS：以上均为正常使用的情况下，如在极端环境下，那么寿命会大幅度减少。

闪存硬盘RW光盘的可擦写次数分别是多少

3，闪存卡记忆棒有读写次数限制么

不用担心这么多，一般情况下使用，可以用上几次的，三五年之然后我相信你也把这闪存换掉了。。。

记忆棒只是存储卡的一种，存储卡还有mmc/sd/cf/xd/sm等种类

闪存卡记忆棒有读写次数限制么

4，手机内存卡有读写数据的次数限制也等同于寿命那iphone4s又能完成

正常闪存一般可以擦写1000次左右，普通内存卡就是这样，4s应该也是的。不过不必太担心，你自己算算用1000次可以好久吧。手机打字不容易，望采纳

普通10000次，好一点的100000次。如果是1000次的话这个产品就没有意义了。

坏掉是不会的。。会有损坏不是太大

只要不是常常刷机格机的，用到你不想用为止肯定是没问题的再看看别人怎么说的。

5，闪存U盘的读取次数有最大限制吗

写有次数，读没有。

任何东西都有寿命，不可能没有限制。理论上闪存芯片可以读取/写入100W次不过，当你用到的次数到达理论值的时候，估计都是N年以后的事情了。所以理论值不重要，重要的是，买的时候要注意产品质量。这个产品出来，决不会因为达到理论限制次数而坏掉，而是因为种种的质量问题而坏掉。所以质量才是关键。这也是为什么名牌产品都比较贵的原因！！

那只是一个标志，并不是说10次后就坏，质量好的就能久用

再上网找,有没有其他版本的安国量产工具含有au6980型号的量产工具,要多试几个版本,量产一定要有耐心.

6，软盘可以读写多少次

一般我个人用个100次左右不知道为什么好多人20次左右就不行了更有甚者两三次就不行了还是别用了用U盘吧

一般的hdd没有写入上限,寿命是里面光盘的寿命,一般是十年而ssd由于采用nand闪存作为存储介质,所以会有写入次数的上限,而nand又分为slc跟mlc两大类,前者写入次数可达10w次,相对而言价格也会高很多,一般只有企业级的ssd才会采用(如intel的720系列),而后者成本则相对低很多,因此写入次数也会相应的降低,现在上市的采用mlc的ssd中最新的颗粒是25nm制程的,写入次数只有3k次,而旧一点的ssd采用的是34nm制程的,写入次数可以达到5k次,不过性能跟功耗(特别是功耗)对比25nm有一定的差距另外这个次数只是理论值,因为nand颗粒有一定的几率会出现写入错误,这个几率会随着写入次数的增大而增大,而只要有一块nand报废了整块ssd就可以扔掉了,所以才会有算法把写入的内容平均分散到所有的颗粒以免某些颗粒写入负载过重,换一个角度讲,容量越大的ssd寿命越长不过一般民用ssd的话其实是不怎么需要考虑寿命的,因为在到达写入上限之前可能已经被你换成另一块了,我的镁光m4 64g买了一个半月整体写入次数才4次,按照这么算,到达理论上限需要以这样的速度写90多年!所以你说需要担心么

理论上是足够多次.软盘数据丢失主要原因是软盘存放时间一长容易损坏,磁性弱化。

7，请教一下DDR内存读写次数

他们还是晶圆的时候是一样的，但是制作工艺是不一样的，而且他们两个的工作储存方式也有很大的区别，闪存是比较粗糙的，而内存的工艺要细致的多，同时在封装的精度上内存也要高很多，最主要的是工作原理使得内存跟闪存擦写次数相差很远。闪存大约在10万次，内存读写次数还真不知道。

<a href="http://wenwen.soso.com/z/urlalertpage.e?sp=shttp%3a%2f%2fwww.cpcfan.com%2f%3faction-viewthread-tid-56646" target="_blank">http://www.cpcfan.com/?action-viewthread-tid-56646</a> ddr1和ddr2的插槽外观看起来虽然一样,但内部针脚定义完全不同,不能都用. ddr1和ddr2区别在于,在"一个时间单位"内,ddr1可以传输"1份数据",ddr2传输"两份数据".但是,ddr2的延时较长,所以同频率的ddr2比ddr1慢一些.但是ddr1做到400mhz就很难提升了,而ddr2可以轻易达到800mhz.这样ddr2就比ddr1要快很多了.所以综合来说,ddr2要好,而且现在几乎买不到ddr1的内存了.就算有卖的也比ddr2内存要贵好几倍,淘汰了. 但是,原先支持ddr1内存的主板就只能插ddr1,支持ddr2的主板就只能插ddr2,一般不存在"兼容"的主板. 1.理论上说速度回快一倍,就向sd和ddr一样 2.价格会比ddr多30-50左右 3.945以上的芯片组一定回支持的 ddr2与ddr的区别 与ddr相比，ddr2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于ddr内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个dram核心来实现的。作为对比，在每个设备上ddr内存只能够使用一个dram核心。技术上讲，ddr2内存上仍然只有一个dram核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。 ddr2与ddr的区别示意图 与双倍速运行的数据缓冲相结合，ddr2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统ddr内存可以处理的2bit数据高了一倍。ddr2内存另一个改进之处在于，它采用fbga封装方式替代了传统的tsop方式。 然而，尽管ddr2内存采用的dram核心速度和ddr的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配ddr2内存，因为ddr2的物理规格和ddr是不兼容的。首先是接口不一样，ddr2的针脚数量为240针，而ddr内存为184针；其次，ddr2内存的vdimm电压为1.8v，也和ddr内存的2.5v不同。 ddr2的定义： ddr2（double data rate 2） sdram是由jedec（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代ddr内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但ddr2内存却拥有两倍于上一代ddr内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，ddr2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。 此外，由于ddr2标准规定所有ddr2内存均采用fbga封装形式，而不同于目前广泛应用的tsop/tsop-ii封装形式，fbga封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为ddr2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起ddr的发展历程，从第一代应用到个人电脑的ddr200经过ddr266、ddr333到今天的双通道ddr400技术，第一代ddr的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的ddr2内存将是大势所趋。 ddr2与ddr的区别： 在了解ddr2内存诸多新技术前，先让我们看一组ddr和ddr2技术对比的数据。 1、延迟问题： 从上表可以看出，在同等核心频率下，ddr2的实际工作频率是ddr的两倍。这得益于ddr2内存拥有两倍于标准ddr内存的4bit预读取能力。换句话说，虽然ddr2和ddr一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但ddr2拥有两倍于ddr的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100mhz的工作频率下，ddr的实际频率为200mhz，而ddr2则可以达到400mhz。 这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的ddr和ddr2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，ddr 200和ddr2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，ddr2-400和ddr 400具有相同的带宽，它们都是3.2gb/s，但是ddr400的核心工作频率是200mhz，而ddr2-400的核心工作频率是100mhz，也就是说ddr2-400的延迟要高于ddr400。 2、封装和发热量： ddr2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于ddr的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，ddr2可以获得更快的频率提升，突破标准ddr的400mhz限制。 ddr内存通常采用tsop芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200mhz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是ddr的核心频率很难突破275mhz的原因。而ddr2内存均采用fbga封装形式。不同于目前广泛应用的tsop封装形式，fbga封装提供了更好的电气性能与散热性，为ddr2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。 ddr2内存采用1.8v电压，相对于ddr标准的2.5v，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。 ddr2采用的新技术： 除了以上所说的区别外，ddr2还引入了三项新的技术，它们是ocd、odt和post cas。 ocd（off-chip driver）：也就是所谓的离线驱动调整，ddr ii通过ocd可以提高信号的完整性。ddr ii通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用ocd通过减少dq-dqs的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。 odt：odt是内建核心的终结电阻器。我们知道使用ddr sdram的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。ddr2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用ddr2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是ddr不能比拟的。 post cas：它是为了提高ddr ii内存的利用效率而设定的。在post cas操作中，cas信号（读写/命令）能够被插到ras信号后面的一个时钟周期，cas命令可以在附加延迟（additive latency）后面保持有效。原来的trcd（ras到cas和延迟）被al（additive latency）所取代，al可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于cas信号放在了ras信号后面一个时钟周期，因此act和cas信号永远也不会产生碰撞冲突。