pmos管的开启电压是多少，4种MOS管的开启电压P沟道增强型MOS管N沟道增强型MOS管P沟道耗尽型

来源：整理时间：2024-03-27 19:44:05 编辑：亚灵电子网手机版

1，4种MOS管的开启电压P沟道增强型MOS管N沟道增强型MOS管P沟道耗尽型

增强型比较清楚：1、P沟道增强型：当Ugs<Ugs(th)时，开启。这个Ugs(th)是一个负数值，最常见的是在-4V ~ -2V之间。2、N沟道增强型：当Ugs>Ugs(th)时，开启。这个Ugs(th)是一个正数值，最常见的是在2V ~ 4V之间。耗尽型的管子比较少见。1、P沟道耗尽型：当Ugs<Ugs(off)时导通，这个Ugs(off)是一个正数值。2、N沟道耗尽型：当Ugs>Ugs(off)时导通，这个Ugs(off)是一个负数值。

4种MOS管的开启电压P沟道增强型MOS管N沟道增强型MOS管P沟道耗尽型

2，MOS管的开启电压是什么是指G极的电压吗如果是哪需要多少V

是的，G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。在对称的MOS管中，对source和drain的标注有一点任意性，载流子流出source，流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的，两个引线端就会互相对换角色。扩展资料无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。参考资料来源：百度百科-mos管

MOS管的开启电压是什么是指G极的电压吗如果是哪需要多少V

3，典型MOS管的阈值电压是多少

MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一。MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。阈值电压通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。扩展资料：MOS管其发热情况有以下三点：1、电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。2、频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。3、没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。4、MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。参考资料来源：百度百科-阈值电压百度百科-mos管

典型MOS管的阈值电压是多少