ir2110s多少脚，求教电路高手IR2110S的作用以及几个电阻电容的作用

来源：整理时间：2023-10-11 01:09:03 编辑：亚灵电子网手机版

本文目录一览

1，求教电路高手IR2110S的作用以及几个电阻电容的作用
2，求使用IR2110驱动单个mos管的电路
3，IR2110驱动电路为什么只有1脚有PMW波
4，IR2110怎么使用MOS半桥式驱动
5，求使用IR2110驱动单个mos管的电路
6，求教IR2110芯片的功能特性使用方法等相关信息刚刚接触这个芯片还一
7，ir2110 ir2110s 有什么分别
8，MOS管驱动芯片的工作原理以IR2110为例

1，求教电路高手IR2110S的作用以及几个电阻电容的作用

这个电路非桥式驱动,C1C1电源滤波其它作为上桥与下桥的供电用2110是桥式驱动的IC(浮驱的),但这个电路显示不是这个用法的

求教电路高手IR2110S的作用以及几个电阻电容的作用

2，求使用IR2110驱动单个mos管的电路

　　我最近也在用IR2110，做一个交流逆变电源。 IR2110的高端驱动电平（6脚与5脚）相对于COM是悬浮的，必须通过开通半桥的下管给VB-VS脚所接的自举电容充电，这样7脚才有足够的电荷驱动半桥的上管。　　如果是驱动单个MOSFET的话用低端驱动，即用1脚和2脚，换作LIN给PWM信号。如果实在要用7脚与5脚的话，必须把5脚强制接COM，即接到15V的地。否则7脚对COM一直为高。

求使用IR2110驱动单个mos管的电路

3，IR2110驱动电路为什么只有1脚有PMW波

半桥当然只有一根脚输出PWM波，全桥有两根

驱动电路是为了提供恒流原，led是一个特殊的器件。

IR2110驱动电路为什么只有1脚有PMW波

4，IR2110怎么使用MOS半桥式驱动

Hin与Lin是互为反相的逻辑信号，最高电平=逻辑电路的电源值 VDD（9脚）；当Hin为高电平时输出端Ho也为高电平，反之，Ho为低电平；可以连接到单片机上，Hin与Lin要同时连接，记住他们是互为反相的逻辑信号。com接地，高端输出搭配了自举电路，可以驱动高端MOS。需带一定负载才能给自举电容充电。记得设置死区。IR2110采用HVIC 和闩锁抗干扰CMOS制造工艺，DIP14脚封装。具有独立的低端和高端输入通道；悬浮电源采用自举电路，其高端工作电压可达500V，dv/dt=±50V/ns，15V 下静态功耗仅116mW；输出的电源端（脚3,即功率器件的栅极驱动电压）电压范围10～20V；逻辑电源电压范围（脚9）5～15V，可方便地与TTL，CMOS 电平相匹配，而且逻辑电源地和功率地之间允许有±5V 的偏移量；工作频率高，可达500kHz；开通、关断延迟小，分别为120ns 和94ns。

5，求使用IR2110驱动单个mos管的电路

这是我的项目中用到的，跟ir2110基本差不多你参考一下其中，pwmi是输入控制，pwmo是mos管控制

6，求教IR2110芯片的功能特性使用方法等相关信息刚刚接触这个芯片还一

IR2110是IR公司的桥式驱动集成电路芯片 ,它采用高度集成的电平转换技术 ,简化了逻辑电路对功率器件的控制要求 ,同时提高了驱动电路的可靠性。对于典型的 6管构成的三相桥式逆变器 ,采用 3片IR2 1 1 0驱动 3个桥臂 ,仅需 1路 1 0V～ 2 0V电源。这样 ,在工程上大大减少了控制变压器体积和电源数目 ,降低了产品成本 ,提高了系统可靠性。在电源变换、马达调速等功率驱动领域中获得了广泛的应用。功能:LO（引脚1）:低端输出 COM（引脚2）:公共端 Vcc（引脚3）:低端固定电源电压 Nc（引脚4）: 空端 Vs（引脚5）:高端浮置电源偏移电压 VB (引脚6):高端浮置电源电压 HO（引脚7）:高端输出 Nc（引脚8）: 空端 VDD（引脚9）:逻辑电源电压 HIN（引脚10）: 逻辑高端输入 SD（引脚11）:关断 LIN（引脚12）:逻辑低端输入 Vss（引脚13）:逻辑电路地电位端，其值可以为0V Nc（引脚14）:空端特点特点：（1）具有独立的低端和高端输入通道。（2）悬浮电源采用自举电路，其高端工作电压可达500V。（3）输出的电源端（脚3）的电压范围为10—20V。（4）逻辑电源的输入范围（脚9）5—15V，可方便的与TTL，CMOS电平相匹配，而且逻辑电源地和功率电源地之间允许有 V的便移量。（5）工作频率高，可达500KHz。（6）开通、关断延迟小，分别为120ns和94ns。（7）图腾柱输出峰值电流2A。

7，ir2110 ir2110s 有什么分别

自举电容的设计IGBT和PM(POWER MOSFET)具有相似的门极特性，它们在开通时都需要在极短的时间内向门极提供足够的栅电荷。假定在器件开通后，自举电容两端的电压比器件充分导通所需要的电压(10 V，高压侧锁定电压为8.7／8.3 V)要高，而且在自举电容充电路径上有1.5 V的压降(包括VD1的正向压降)，同时假定有1／2的栅电压(栅极门槛电压VTH通常3～5 V)因泄漏电流引起电压降。那么，此时对应的自举电容可用下式表示：例如IRF2807充分导通时所需要的栅电荷Qg为160 nC(可由IRF2807电特性表查得)，Vcc为15V，那么有：这样C1约为0.1 μF，设计中即可选取C1为0.22μF或更大，且耐压大于35 V的独石电容。

好像是贴片和直插的区别

你说呢...

8，MOS管驱动芯片的工作原理以IR2110为例

摘要：简要分析了UC3637双PWM控制器和IR2110的特点，工作原理。由UC3637和IR2110共同构建一种高压大功率小信号放大电路，并通过实验验证了其可行性。关键词：小信号放大器；双脉宽调制；悬浮驱动；高压大功率 0 引言现有的很多小信号放大电路都是由晶体管或MOS管的放大电路构成，其功率有限，不能把电路的功率做得很大。随着现代逆变技术的逐步成熟，尤其是SPWM逆变技术，使信号波形能够很好地在输出端重现，并且可以做到高电压，大电流，大功率。SPWM技术的实现方法有两种，一种是采用模拟集成电路完成正弦调制波与三角波载波的比较，产生SPWM信号；另一种是采用数字方法。随着应用的深入和集成技术的发展，已商品化的专用集成电路（ASIC）和专用单片机（8X196/MC/MD/MH）以及DSP，可以使控制电路结构简化，集成度高。由于数字芯片一般价格比较高，所以在此采用模拟集成电路。主电路采用全桥逆变结构，SPWM波的产生采用UC3637双PWM控制芯片，并采用美国IR公司推出的高压浮动驱动集成模块IR2110，从而减小了装置的体积，降低了成本，提高了系统的可靠性。经本电路放大后，信号可达3kV，并保持了良好的输出波形。 1 UC3637的原理与基本功能 UC3637的原理框图如图1所示。其内部包含有一个三角波振荡器，误差放大器，两个PWM比较器，输出控制门，逐个脉冲限流比较器等。图1 UC3637原理框图 UC3637可单电源或双电源工作，工作电压范围±（2.5～20）V，特别有利于双极性调制；双路PWM信号，图腾柱输出，供出或吸收电流能力100mA；逐个脉冲限流；内藏线性良好的恒幅三角波振荡器；欠压封锁；有温度补偿；2.5V阈值控制。 UC3637最具特色的是三角波振荡器，三角波产生电路如图2所示。三角波参数按式（1）及式（2）计算。 Is=（1） f=（2）式中：VTH为三角波峰值的转折（阈值）电压； Vs为电源电压； RT为定时电阻； CT为定时电容； Is为恒流充电电流； f为振荡频率。图2 三角波产生电路 UC3637具有一个高速、带宽为1MHz、输出低阻抗的误差放大器，既可以作为一般的快速运放，亦可作为反馈补偿运放。UC3637实现其主要功能的就是两个PWM比较器，实现电路如图3所示。其他还有如欠压封锁，2.5V阈值控制等功能，这些功能在应用电路中也给予实现。图3 PWM产生电路 2 IR2110的结构与应用 IR2110的内部功能框图如图4所示。它由三个部分组成：逻辑输入，电平平移及输出保护。图4 IR2110内部功能框图 IR2110具有独立的低端和高端输入通道；悬浮电源采用自举电路，其高端工作电压可达600V，在15V下静态功耗仅116mW；输出的电源端（脚3Vcc，即功率器件的栅极驱动电压）电压范围10～20V；逻辑电源电压范围（脚9VDD）3.3～20V，可方便地与TTL或CMOS电平相匹配，而且逻辑电源地和功率地之间允许有±5V的偏移量；工作频率高，可达100kHz；开通、关断延迟小，分别为120ns和94ns；图腾柱输出峰值电流为2A。下面分析高压侧悬浮驱动的自举原理。 IR2110用于驱动半桥的电路如图5所示。图中C1及VD1分别为自举电容和二极管，C2为Vcc的滤波电容。假定在S1关断期间C1已充到足够的电压（Vc1≈Vcc）。当脚10（HIN）为高电平时VM1开通，VM2关断，Vc1加到S1的门极和发射极之间，C1通过VM1，Rg1和S1栅极－发射极电容Cge1放电，Cge1被充电。此时Vc1可等效为一个电压源。当脚10（HIN）为低电平时，VM2开通，VM1断开，S1栅电荷经Rg1，VM2迅速释放，S1关断。经短暂的死区时间（td）之后，脚12（LIN）为高电平,S2开通，Vcc经VD1，S2给C1充电，迅速为C1补充能量。如此循环反复。图5 IR2110用于驱动半桥的电路 IR2110的不足是保护功能不够及其自身不具有负偏压。为此，给它外加了一个负偏压电路，具体见图6。图6 采用IR2110驱动电路 3 应用UC3637和IR2110构成控制驱动电路图6是IR2110构成的驱动电路。由图6可见用两片IR2110可以驱动一个逆变全桥电路，它们可以共用同一个驱动电源而不须隔离，使驱动电路极其简化。IR2110本身不能产生负偏压。由驱动电路可见本电路在每个桥臂各加了负偏压电路，以左半部为例，其工作过程如下：VDD上电后通过R1给C1充电，并在VW1的钳位下形成＋5.1V电压Vc1，当IR2110的脚1（LO）输出为高电平时，下管有（VDD－5.1）V的驱动电压，同时在下管关断时下管的栅源之间形成一个－5.1V的偏压；下管开通同时脚1（LO）输出高电平通过Rg2，R2开通MOSFET让C3进行充电;当IR2110的脚7（HO）输出为高电平时，由C3放电提供上管开通电流，同时给C2充电并由VW2钳位＋5.1V，下管关断时Vc2即形成负偏压。为了只用IR2110的保护功能，把脚11（SD）端接地。图7是用UC3637产生PWM波的电路。由图7可知，这是一个开环小信号放大电路，因为，小信号的电压幅值相对三角波幅值过低，所以，小信号先经过 UC3637本身的Error运算放大器进行放大，使其幅值约等于三角波的幅值。本电路没有利用UC3637做死区，而是单独作了一个死区延时。然后把放大的信号直接和三角波进行比较，分别在UC3637的脚4及脚7输出反相的SPWM波，经过死区延时电路、滤杂波电路、隔离电路送到IR2110驱动芯片。图7 采用UC3637的PWM产生电路设计电路应注意以下问题： 1）UC3637的RT和CT要适当选择，避免RT上的电流过大，损坏片子； 2）驱动电路中C2值要远远大于上管的栅源极之间的极间电容值； 3）IR2110的自举元件电容的选择取决于开关频率，VDD及功率MOSFET的栅源极的充电需要，二极管的耐压值必须高于峰值电压，其功耗应尽可能小并能快速恢复； 4）IR2110的驱动脉冲上升沿取决于Rg，Rg值不能过大以免使其驱动脉冲的上升沿不陡，但也不能使驱动均值电流过大以免损坏IR2110； 5）当PWM产生电路是模拟电路时可以直接把信号接到IR2110；当用采数字信号时要考虑隔离； 6）注意直流偏磁问题。 4 实验结果由一个信号发生器模拟输入，UC3637产生63kHz的三角波，直流母线电压是220V。本电路分别在假性负载和压电陶瓷负载下做实验，输出端输出很好的放大信号。图8是在实验室做单频正弦输入信号上下功率MOSFET的驱动波形，图9是逆变桥的输出。图10也是输出波形（时间参数变化），图11是M=0.1时带假性负载的负载波形。图8 上下开关管驱动波形图9 逆变桥输出波形（量程所限）图10 逆变桥输出波形图11 负载波形真正的信号是一个随机的信号，负载是一个压电换声器，本电路在M≌1.0，变压器变比为1∶7时，能使小信号放大到峰值3.2kV，输出有效值能到680V，放大信号失真很小，满足技术要求。由于高压示波器没有接口，而未能把负载两端的波形拍出来。 5 结语 1）UC3637采用为数不多的集成电路，就可构成一个完整的逆变控制电路，控制电路简单、实用，硬件投资不高，使用证明性能稳定，可靠； 2）UC3637和IR2110具有很高的抗干扰性能，一片IR2110在较大功率下可安全驱动功率MOSFET或IGBT的半桥； 3）由于IR2110具有双通道驱动特性，且电路简单，使用方便，价格相对EXB841便宜，具有较高的性价比。