薄膜电容esr多少，电容的ESR值是什么

本文目录一览

1，电容的ESR值是什么
2，对于电容ESR多大才合适
3，高频低阻的电容测量的低阻要求的参数是阻抗还是ESR标准是多少
4，金属化薄膜的方阻是根据什么设定的呢
5，电动汽车薄膜电容的容量是多少
6，电容的ESR值是指什么啊
7，电容的寄生电感和寄生电阻如何测量大概是多少
8，10uf铝电解电容esr值大约多少
9，电容的ESR值是指什么啊
10，大家好请问谁那里有电容ESR损耗角等那方面的参数资料能不能给

1，电容的ESR值是什么

ESR值就是等效串联电阻阻值。ESL值等效串联电感值。这两个值是描述电容的两重要参数－阻抗、感抗。也是形成容抗的基础。ESR值越低越好，电容又不是电阻，干吗要阻抗（不想要但一定会存在）。

电容的ESR值是什么

2，对于电容ESR多大才合适

电机的启动电容多大才合适 00:00 / 05:2970% 快捷键说明空格: 播放 / 暂停Esc: 退出全屏 ↑: 音量提高10% ↓: 音量降低10% →: 单次快进5秒 ←: 单次快退5秒按住此处可拖拽不再出现可在播放器设置中重新打开小窗播放快捷键说明

对于电容ESR多大才合适

3，高频低阻的电容测量的低阻要求的参数是阻抗还是ESR标准是多少

高频低阻的电容在产品容量大于等于330UF时，ESR和阻抗Z值差不多，如果容量小的话，ESR值比阻抗值要稍微小一些，一般产品都是测试Z值（相当于加严管控）。阻抗、ESR值可以使用LCR数字电桥来测。需注意测试的频率，测试前请将LCR仪归零。

是[z]值,全阻抗z^2=esr^2+(xc-xl)^2,标准要看电容的规格书定义的值

高频低阻的电容测量的低阻要求的参数是阻抗还是ESR标准是多少

4，金属化薄膜的方阻是根据什么设定的呢

金属化薄膜方阻是指基膜上镀层金属的电阻值，及表示镀层金属的导电率和镀层厚度。蒸镀相同金属时，金属层越薄方阻越大（电阻越大）；相同厚度不同金属导电率越小，方阻越大。蒸镀纯铝的导电率远大于蒸镀锌铝合金，其薄膜电容器的ESR（内阻）也远小于锌铝膜。高方阻，说明金属化层越薄，相应的耐压越高；低方阻，说明金属化成相对较厚，相应的耐电流能力较高但要明白方阻不是越大越好（金属镀层越薄，越容易被氧化，导致容量消失），或者越小越好（金属镀层越厚，薄膜的耐电压能力越低，易导致薄膜被击穿），具体设定得根据镀膜厂商所提供的耐压参考值，以及实际使用时电容器所处的环境综合考虑。深圳市创仕鼎电子 --专业薄膜电容制造商明辉为您服务微信号：Leeminhui

5，电动汽车薄膜电容的容量是多少

薄膜电容器是一类以金属箔当电极，将其和聚乙酯、聚丙烯、聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜从两端重叠后，卷绕成圆筒状形状的电容器其单体工作电压可达上千伏，不需要进行充放电均衡控制，直接将多个薄膜电容器并联起来，以提高整体的工作电容量，其结构简单、成本低储能薄膜电容器样机系统由两组采用压扁式卷绕设计的大容量薄膜电容器组成，每组额定电容量为4000μF，分别有两个接线端子当并联使用时，总体额定电容量可达8000μF电容器的固体介质为金属化聚丙烯薄膜，它是在高温真空下将铝蒸发沉积在聚丙烯薄膜表面上，从而形成一层极薄的金属膜，金属化膜厚度仅为3μm，采用防爆金属化镀膜技术和高真空浸油技术，当某一个电容器单元由于老化而击穿时，整体电容器组的电容量损失很小，因此大大延长了电容器的使用寿命由于目前使用的薄膜电容器电容量很小，因此接和不接电容器时电动汽车制动量回收的效果不明显如能提高薄膜电容器的电容量，则可提高电动汽车的制动量的回收能力

容量104是0.1uf，k代表误差，10%， 250是额定电压

6，电容的ESR值是指什么啊

电容的ESR是指电容的等效串联电阻（或阻抗）。理想的电容，是没有电阻的。但是实际上，任何电容都有电阻，这个电阻值和电容的材料、结构有关系。在开关电源技术之前，普遍采用线性电源（现在经常使用的LDO，就属于这种技术），电源电路都工作在低频直流状态，通过滤波整流电路把交流转换成直流。在低频直流电源中，电容的容量对滤波效果起决定作用，电容的串联阻抗作用可以忽略。但是低频电源效率低，体积大的缺点非常明显。后来发展了开关电源技术，大大地提高了电源的转换效率，也减小了电源的体积。开关电源的工作频率越高，电源的体积也可以越小。开关电源的工作频率从几十KHz到几MHz不等。在开关电源中，电容的ESR直接影响电容的效果，它比电容的容量还重要（事实上，我们所说的电容容量一般都是在120Hz下测量的值，当工作频率提高时，电容容量会急剧降低，甚至根本不能启动电容的作用）。一般而言，我们应该选择ESR小店电容。在不同的电容类别中，电解电容的ESR通常最大，钽电容次之，陶瓷电容最佳。当然，即使是电解电容中，也分普通电解电容和低ESR的电解电容。用在开关电源输出滤波的应该采用低ESR的电解电容。在维修中，如果用普通电解电容替换低ESR的电解电容，开关电源可能短时间能工作，但是寿命肯定不长。弄不好，电容很快因为损耗太大而爆裂甚至爆炸，所以更换电容应该小心。同样容量同样耐压的电解电容，体积大的往往ESR小。同样容量不同耐压的电解电容，耐压高度往往ESR小。同样耐压同样容量的电容，105度比85度的ESR要小。当然，这也不是绝对的，对于同一厂家同一系列的电解电容，基本上成立。

7，电容的寄生电感和寄生电阻如何测量大概是多少

电容的寄生电感和寄生电阻主要是指它的引线和极板形成的电感和电阻，尤其是容量较大的电容更为明显。如果你解剖过电容器，会看到它的极板是用长达1米的金属薄膜卷曲而成的，其层状就像一个几十、甚至上百圈的线圈，这样，两条极板之间产生电容效应的同时，也产生了电感效应和电阻效应。因为，这种电感和电阻并不是制造电容的本意，而只是难以避免的附加效应，所以叫做寄生电容和寄生电阻。一旦电容被制作好，其寄生电容和寄生电阻的大小也就确定了。　　电容，电容器的简称，是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直、耦合、旁路、滤波、调谐回路、能量转换、控制电路等方面。

请问您解决这个问题了吗，我测出来也是负的，为啥呢，直接取绝对值行吗

用LCR测试，不过精度要求比较高那种才可以。频率的关系是很大，频率不用测试数值会不一样的。

电容的实际模型应该是一个电容，一个电感，一个电阻的串联，这个电感和电阻就是寄生电感esl和电阻esr，是实际存在的，不论多好的生产工艺都不能去除。其实很好理解，任何物体的两点间都会有电阻、电感和电容，其值不会是无穷大，也不会是0，是必然存在的。寄生电阻是随信号频率变化的，而且不是一个方向的变化，随频率升高先升后降又升。温度对其也有影响。我理解寄生电感是不随频率变化的。硬之城有这个型号的可以去看看有这方面的资料么

8，10uf铝电解电容esr值大约多少

根据材料工艺水平不同，一般在几欧姆至几十欧姆间吧。如果觉得这个参数很重要，而厂家又未提供，有条件的可以自己测试（参考下文）。--------------------很多电解电容厂商不给出ESR的内情似乎所有的电源工程师谈起电解电容的e799bee5baa6e997aee7ad94e4b893e5b19e31333363386639好坏的时候，最后总是少不了一句，要选择ESR参数低一点的电容云云，但，公司采购员按这个要求去采购电容的时候，只能选择好品牌，因为采购员心里知道，好品牌的电容ESR参数才低，因，电解电容的ESR值从不标示出来。有人问，为什么电容的ESR不标示出来，温度特性不标示出来。其实我也不知道，这里先来分析一下电容的几个参数。一.先来说ESR作为开关电源的输出整流滤波电容器，电容量往往是首要的选择，铝电解电容器的电容量完全可以满足要求，而ESR则相对比较高。可以通过多只并联的方法降低ESR。也可以选择更大的电容量来降低ESR。ESR是高频电解电容里面最重要的性能参数，很多电容供应商都强调“LOWESR”这一性能特征，也就是ESR值很小的意思。那么，我们如何正确理解LOWESR的实际意义呢?由于现在电子技术的发展，供应给硬件的电压正呈现越来越低的趋势，例如FPGA、DSP、RAM系列的供电电压都是很低，有的电路电压小于2V，相比以前动辄3、4V的电压要低得多。但是，另一方面这些芯片由于晶体管和频率爆增，需求的功耗却是有增无减，因此按P=UI的公式来计算，这些设备对电流的要求就越来越高了。比如在电脑主板上，例如两颗功耗同样是70W的CPU，前者电压是3.3V，后者电压是1.8V。那么，前者的电流就是I=P/U=70W/3.3V大约在21.2A左右。而后者的电流就是I=P/U=70W/1.8V=38.9A，达到了前者的近一倍。在通过电容的电流越来越高的情况下，假如电容的ESR值不能保持在一个较小的范围，那么就会产生比以往更高的涟波电压(理想的输出直流电压应该是一条水平线，而涟波电压则是水平线上的波峰和波谷)。此外，即使是相同的涟波电压，对低电压电路的影响也要比在高电压情况下更大。例如对于3.3V的MCU而言，0.2V涟波电压所占比例较小，还不足以形成致命的影响，但是对用于1.8V供电的FPGA、DSP而言，同样是0.2V的涟波电压，其所占的比例就足以造成数字电路的判断失误。那么ESR值与涟波电压的关系何在呢?我们可以用以下公式表示：V=R(ESR)×I这个公式中的V就表示涟波电压，而R表示电容的ESR，I表示电流。可以看到，当电流增大的时候，即使在ESR保持不变的情况下，涟波电压也会成倍提高，采用更低ESR值的电容是势在必行。这就是为什么如今的板卡等硬件设备上所用的电容，越来越强调低ESR的原因。二.生产厂家为何不愿标示出来ESR呢?从电解电容器的生产工艺上考虑，电解液的电阻是铝电解电容器等效串联电阻(ESR)的主要部分。多数铝电解电容器生产厂商是不给出ESR数据的主要原因主要是：相对于其它介质的电容器，铝电解电容器的ESR显得太大。如1μF/16V的普通铝电解电容器，其ESR一般在20Ω左右;100μF的铝电解电容器，其ESR也是在1.5～2Ω之间。

9，电容的ESR值是指什么啊

电容的型号命名： 1）各国电容器的型号命名很不统一，国产电容器的命名由四部分组成：第一部分：用字母表示名称，电容器为C。第二部分：用字母表示材料。第三部分：用数字表示分类。第四部分：用数字表示序号。 2）电容的标志方法：（1）直标法：用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。（2）文字符号法：用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位：P、N、u、m、F等。和电阻的表示方法相同。标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10pF的电容，其允许偏差用字母代替：B——±0.1pF，C——±0.2pF，D——±0.5pF，F——±1pF。（3）色标法：和电阻的表示方法相同，单位一般为pF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的，位置靠近正极引出线的根部，所表示的意义如下表所示：颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰耐压 4V 6.3V 10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V （4）进口电容器的标志方法：进口电容器一般有6项组成。第一项：用字母表示类别：第二项：用两位数字表示其外形、结构、封装方式、引线开始及与轴的关系。第三项：温度补偿型电容器的温度特性，有用字母的，也有用颜色的，其意义如下表所示：序号字母颜色温度系数允许偏差字母颜色温度系数允许偏差 1 A 金 +100 R 黄 -220 2 B 灰 +30 S 绿 -330 3 C 黑 0 T 蓝 -470 4 G ±30 U 紫 -750 5 H 棕 -30 ±60 V -1000 6 J ±120 W -1500 7 K ±250 X -2200 8 L 红 -80 ±500 Y -3300 9 M ±1000 Z -4700 10 N ±2500 SL +350~-1000 11 P 橙 -150 YN -800~-5800 备注：温度系数的单位10e -6/℃；允许偏差是 % 。第四项：用数字和字母表示耐压，字母代表有效数值，数字代表被乘数的10的幂。第五项：标称容量，用三位数字表示，前两位为有效数值，第三为是10的幂。当有小数时，用R或P表示。普通电容器的单位是pF，电解电容器的单位是uF。第六项：允许偏差。用一个字母表示，意义和国产电容器的相同。也有用色标法的，意义和国产电容器的标志方法相同。 3．电容的主要特性参数：（1）容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。一般分为3级：I级±5%，II级±10%，III级±20%。在有些情况下，还有0级，误差为±20%。精密电容器的允许误差较小，而电解电容器的误差较大，它们采用不同的误差等级。常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：D——005级——±0.5%；F——01级——±1%；G——02级——±2%；J——I级——±5%；K——II级——±10%；M——III级——±20%。（2）额定工作电压：电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作，所承受的最大直流电压，又称耐压。对于结构、介质、容量相同的器件，耐压越高，体积越大。（3）温度系数：在一定温度范围内，温度每变化1℃，电容量的相对变化值。温度系数越小越好。（4）绝缘电阻：用来表明漏电大小的。一般小容量的电容，绝缘电阻很大，在几百兆欧姆或几千兆欧姆。电解电容的绝缘电阻一般较小。相对而言，绝缘电阻越大越好，漏电也小。（5）损耗：在电场的作用下，电容器在单位时间内发热而消耗的能量。这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来表示。（6）频率特性：电容器的电参数随电场频率而变化的性质。在高频条件下工作的电容器，由于介电常数在高频时比低频时小，电容量也相应减小。损耗也随频率的升高而增加。另外，在高频工作时，电容器的分布参数，如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等，都会影响电容器的性能。所有这些，使得电容器的使用频率受到限制。不同品种的电容器，最高使用频率不同。小型云母电容器在250MHZ以内；圆片型瓷介电容器为300MHZ；圆管型瓷介电容器为200MHZ；圆盘型瓷介可达3000MHZ；小型纸介电容器为80MHZ；中型纸介电容器只有8MHZ。

10，大家好请问谁那里有电容ESR损耗角等那方面的参数资料能不能给

贴片电容(单片陶瓷电容器)是目前用量比较大的常用元件，就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。一 NPO电容器 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。 NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到 125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。封装 DC=50V DC=100V 0805 0.5---1000pF 0.5---820pF 1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF 1210 560---5600pF 560---2700pF 2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。二 X7R电容器 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到 125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。封装 DC=50V DC=100V 0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF 1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF 1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF 三 Z5U电容器 Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。封装 DC=25V DC=50V 0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF 1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF 1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF Z5U电容器的其他技术指标如下: 工作温度范围 10℃ --- 85℃ 温度特性 22% ---- -56% 介质损耗最大 4% 四 Y5V电容器 Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达 22%到-82%。 Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。 Y5V电容器的取值范围如下表所示封装 DC=25V DC=50V 0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF 1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF 1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF 2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF Y5V电容器的其他技术指标如下: 工作温度范围 -30℃ --- 85℃ 温度特性 22% ---- -82% 介质损耗最大 5% 贴片电容器命名方法可到AVX网站上找到。不同的公司命名方法可能略有不同。 ESR值就是等效串联电阻阻值。 ESL值等效串联电感值。这两个值是描述电容的两重要参数－阻抗、感抗。也是形成容抗的基础。 ESR值并不时越少越好,有些场合很少容易引起震荡,要看实际运用场合,大部分场合还是希望越小越好!红细胞沉降率(erythrocyte sedimentation tate,ESR）是指红细胞在一定条件下沉降的速度而言，简称血沉。在健康人血沉数值波动于一个较狭窄范围内。在许多病理情况下血沉明显增快。红细胞沉降是多种因素互相作用的结果。