硅管电压是多少，硅二极管正向电压约为多少

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1，硅二极管正向电压约为多少
2，硅二级管的正向导通电压度为多少V
3，硅管的管压降是多大众说纷纭
4，硅管的导通电压是多少为什么
5，硅管的正向电压为几V
6，常温下硅二极管的门限电压为多少
7，硅三极管基级和发射级的之间的电压到底是多少

1，硅二极管正向电压约为多少

锗二极管正向导通电压为0.1V-0.3V，一般取0.2V，死区电压为0.1V左右；硅二极管正向导通电压为0.5V-0.8V，一般取0.7V，死区电压为0.5V左右。

硅二极管正向电压约为多少

2，硅二级管的正向导通电压度为多少V

普通0.7伏快恢复型0.5伏肖特基二极管0.3伏

普通0.8伏快恢复型0.5伏肖特基二极管0.3伏

o.7V

硅二级管的正向导通电压度为多少V

3，硅管的管压降是多大众说纷纭

硅管结电压（压降）为0.7V左右，较大电流（几十安上百安）的为1V左右。这不是权威答案，但可信。

硅管不是线性元件,一般说在一定的电流范围二极管的正向压降保持在0.5至0.7v之间!

硅管的管压降是多大众说纷纭

4，硅管的导通电压是多少为什么

硅管的导通电压一般为0.7V，这是由硅半导体的参杂浓度和制造工艺而定的，硅杂质半导体的PN节内场电压为0.7V，所以要加反向0.7V的电压才能使其导通

一般认为半导体硅二极管的导通压降为0.7v左右，这个电压会随着电流大小，温度高低会有些偏差。

5，硅管的正向电压为几V

说的是耐压还是压降

硅管导通电压是0.5到0.7V，锗管导通电压是0.1到0.3V

一般来说是0.7V

硅二极管的正向电压约为0.7V

每个管的参数未必相同。

6，常温下硅二极管的门限电压为多少

二极管是单向导电器件，其导通条件是在它的两个电极上施以正向电压，所谓正向是压就是在二极管的正极上施加正电压而二极管的负极上必须是对正极为负的电压。二极管对这个“正向电压”是有要求的，就是要能“正”到它能导通的程度它才导通，低于它的导通电压值它也不导通，这个能让它导通的电压就叫门限电压，对于硅管是0.7V，锗管是0.2V。就是硅二极管的正向电压高于0.7V它才导通，锗管高于0.2V时导通。

7，硅三极管基级和发射级的之间的电压到底是多少

三极管基极和发射极之间是一个pn结。一般说硅pn结正向压降(电压)0.6V~0.7V。正如okmye网友所说，它有一个大约0.5V的起始值。rbe是动态电阻，即三极管输入特性曲线的斜率，而rbeIb*只是一个电压动态变化量，一般认为这个电压动态变化量大约为rbeIb*=0.1V~0.2V，而硅pn结总压降约为0.5V+(0.1V~0.2V)=0.6V~0.7V，说0.65V也可以。由于制造工艺等原因，pn结正向压降离散很大。如硅二极管，名义值0.6V~0.7V，实际值0.5V~0.8V，个别整流用的功率二极管低达0.4V，都属正常。pn结正向压降有一个负温度系数，此特性可做温度传感器。硅pn结正向压降温度系数约为-2mV/°C。

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通常认为是0.65V，这是在典型条件下例如Ib＝1mA或5mA时，不同晶体管的典型条件并不相同。第二个描述是一个理论公式，解释了Vbe随Ib变化的特性，事实上Vbe确实随Ib而变，当Ib增大时，有的管子可达1V以上。