硅二极管压降一般是多少，硅二极管导通时的正向管压降为多少

来源：整理时间：2023-11-01 19:56:09 编辑：亚灵电子网手机版

1，硅二极管导通时的正向管压降为多少

一个实际的硅二极管正向电压降要看流过的电流大小。uA级电压0.4V左右；mA级0.7V左右；安培级1V左右。

硅二极管导通时的正向管压降为多少

2，硅二极管有压降吗

压和降中间插个“:”是何意。二极管在电路中工作，必然存在压降。若它处于导通状态，有导通压降（数值1、2楼已答）；若处于截止状态，其元件由外电路决定。

硅二极管有压降吗

3，硅管的管压降是多大众说纷纭

硅管结电压（压降）为0.7V左右，较大电流（几十安上百安）的为1V左右。这不是权威答案，但可信。

硅管不是线性元件,一般说在一定的电流范围二极管的正向压降保持在0.5至0.7v之间!

硅管的管压降是多大众说纷纭

4，理想二极管的导通正向压降是多少

硅材料二极管的正向导通压降一般为0.5V~1.2V左右，锗材料二极管的正向导通压降一般为0.2V~0.4V左右，但是做不到零伏（理想状态）。若使用万用表电压档测量二极管的正向导通压降为0V，有可能该二极管已击穿，或者该二极管后端完全悬空（无电流），或者该二极管并联有其它几乎无压降电路造成。二极管并联有其它电路。当电路板上的二极管并联有其它元器件时，直接在电路板上测量其正向导通压降是有可能为0V的情况。扩展资料：导通内阻20mΩ的场效应管，工作电流为1A时，压降只有20mV，几乎零压降。上图是采用P沟道的场效应管代替普通二极管作为防反接电路。其具体工作过程为：（假设电源为10V，二极管D1的压降为0.7V）上电瞬间，场效应管控制端G极串联电阻R1接负极，电压为0V，漏极D电压为10V，S极电压为0V，VGS=0V，场效应管截止。然后电流从二极管D1流过形成回路，电流经过场效应管S极时，S极的电压为9.3V，此时VGS=-9.3V，场效应管Q1饱和导通，此时二极管的压降几乎为零。由此可见，虽然正常工作时二极管D1的压降几乎为零，完全不起作用。但是去掉这个二极管就不行，去掉之后场效应管Q1永远无法导通。

5，硅二极管的正向导通电压为07V左右但用数字万用表的二极管档测出

主要是万用表的内阻上会有一点压降，当万用表输出的电流达不到规定值时，测量的二极管电压也不会达到0.7V。因为，二级管的伏安特性上，达到0.7V是对应有一个电流的。

你好！万用表是有内阻的，测量时这个内阻就会并联在被测电阻的两端，会产生测量误差。希望对你有所帮助，望采纳。

6，二极管硅管加上1V电压管压降是1V还是07V为什么搞不懂啊

硅二极管正向加0.7V以上就可以导通了，所以加1V，二极管的压降是0.7V，实际接在电路中二极管要接限流电阻，希望你采纳！

你好！一般来说，硅管压降是0.6-0.7V,锗管是0.2-0.4之间，这些都是大概的，有的时候需要考虑电流的影响。可能会超过0.7V或者小于0.7V。打字不易，采纳哦！

压降是1V，因为在大电流下，正向压降比理想状态的0.7V大。

7，小功率硅二极管正向导通压降是多少

理论上小功率硅二极管正向导通压降是0.7伏，小功率鍺二极管的正向导通压降是0.3伏，实际测量硅二极管正向导通压降大约在0.3至0.6伏，锗二极管在0.3伏以下

小功率硅二极管正向导通压降（如2CP14）约在0.6~0.8伏，小功率鍺二极管的正向导通压降（如2AP14）约在0.2~0.4伏。硅管的伏安特性曲线上升比较徒，鍺管的伏安特性曲线上升比较斜。

同意天鹅之旅的解释。

硅管0.6－0.8V锗管0.2－0.3V.

8，硅二极管单只降压是多少电流1到2ma的时候还有问下普通的那种

硅二极管的正向压降是0.5-0.7V左右，视不同型号压降稍有差异。发光二极管（LED）的正向压降因型号不同差别较大。大致情况是：作为指示灯的LED多在1.7-1.9V，作为照明用的LED多为2.9-3.4V左右。发光二极管的工作电流都在10mA以上。用于指示灯的LED，通过1.1mA会有微光，但这绝不是它的正常工作电流。

二极管极性判别将万用表拨在r×100或r×1k电阻挡上，两支表笔分别接触二极管的两个电极测其阻值，记下此时的阻值。两支表笔调换，再测一次阻值。两次测量中，阻值小的那一次，测出的是二极管的正向电阻，黑表笔接触的是二极管的正极

9，一个硅二极管可以产生多少电压降

硅二极管的起始导通电压通常是0.6~0.7V，但其伏安特性曲线并不是完全与Y轴平行的，而是有一个向右倾斜的斜率（如图），即是说正向压降会随工作电流增大而增大。实测某些2CZ和1N4000系列的硅整流二极管在500mA电流时，其正向压降会接近1V。因此二极管正向电压降的具体数值要根据工作电流和产品手册才能准确确定（另外还随温度变化而变化），但作为估算值，一般说0.7V是没错的，因此我也对楼上的回答点赞。

因为二极管p型区和n型区在接触在一起之后p型区的电子和n型区的空穴会复合，也就是电子舔到了空穴里，这样形成了一个pn结，但是这样也形成了一个电势壁垒，也就是说当电压低于一定程度时不足以克服pn结形成的电势壁垒，不能使二级管导通。