mosfet导通压降多少，锗晶体管的导通压降约为多少

1，锗晶体管的导通压降约为多少

0.2-0.3v

我是来看评论的

锗晶体管的导通压降约为多少

2，si2301 mos管压降多少

si2301是低压P沟道MOS场效应管，当漏极电流为2.3A时，压降约为.03欧姆。

si2301 mos管压降多少

3，硅二极管导通时的正向管压降为多少

一个实际的硅二极管正向电压降要看流过的电流大小。uA级电压0.4V左右；mA级0.7V左右；安培级1V左右。

硅二极管导通时的正向管压降为多少

4，mosfet 的导通电压阈值是多少

N 沟道导通电压阈值约0.8V ,但保障MOSFET导通内阻达到标称值，还需要提高MOSFET的门极电压，门极电压极限值约为20V.

5，IRFB3206的导通电压是多大啊还有mos管的导通电压是不是电压

最佳导通电压为20V，这个在规格书上有写的。在0~30V以内Vgs电压越大，导通内阻越小，但要注意MOS管的耐压值，Vgs电压不能超过这个耐压值~

6，MOSFET导通电压是多少

分类: 教育/科学 >> 科学技术 >> 工程技术科学解析: 你是指CMOS集成电路中的MOSFET导通电压么？对于CMOS电路来说，导通电压左右，也就是阈值电压是与工艺有关的。例如0.35um的工艺，PMOS的阈值电压为-0.7V左右，NMOS小一些，可能0.6V左右。工艺越先进，阈值电压越小，例如0.18um，PMOS的阈值电压可能只有-0.4V左右，NMOS更小一些，可能0.3V左右。

7，mosfet的门极阀值电压是多少了

最小的有不足2V的，最高的有接近10V的。通常Vds高的管子门极阈值电压也高，Vds低的管子门极阈值电压也低。（无论什么型号的MOSFET阈值电压只能控制MOSFET导通，但这时压降很大。大约2倍的阈值电压可以使MOSFET深度饱和。）

期待看到有用的回答！

8，mosfet导通

这里你是没有说明两个条件，一是电源是交流还是直流的220V，这个电压很容易让人想到是交流市电，交流是不能直接接到MOSFET上的；二是你的MOSFET是N还是P型的，这对判断关断还是导通有很大的影响。N型MOS一般都是用S对地，G接电压控制，接地时截止，接高于地的电压开始导通，D输出，负载是从正电源到D之间连接，也就是说管子的D到S导通，让负载的负极接到地，关断时，负载的地断开；PMOS极性相反，S接正，G仍是控制，但接正时是关断，低于正的电压才是导通，D输出时，负载一端接地，一端接D极，MOS控制的是负载的正极。假设是NMOS，导通的要求就是VGS>0(理想值)，所以可以变形出公式VG>VS，这样当你上述的条件下，VG只有5V，VS=200V，那么显而易见的说，会截止。

你的公共点在那里呢就是gnd?还有两个交流和直流是否共地的?首先你看irf4905的datasheet,其vgs(th)等于-2v就导通,就是当g比s在小2v的情况下就导通了.之前用6v交流没导通的时候,g和s的值分别是12v和6v,vgs=+6v,绝对不会导通.后面的12v交流加入的时候,g和s的值都是12v,如果你的输入交流12v是指峰值电流,他还不回导通,但如果输入的12v交流是有效值,那它峰值肯定超过12,这时候s比g的瞬时电压差大,vgs有可能小于-2v,所以会导通.而且,如果不共地的话,没有参考点那两者电压比较就成了随机数,导通不导通就是随机的了!

9，一般接近开关的导通压降为多少

如果是直流接近开关，一般是24-36伏，导通后还有22或34伏。如果是交流220伏，那一般导通后还是220伏。

一个接近开关，在导通时，（饱和时）要求压降越小，越好。在关断时，（截止时）压酱越大，越好。由於使用材料和制造工艺目前我们把导通时的压降只能做到0.3～1.2伏左右。

这个电路三极管工作在开关状态，要么给它足够的基极电流使它饱和导通，要么不提供基极电流使它截止。89C2051的P3.1是带上拉电阻的I/o口，这里显然是做输出用。P3.1输出高电平时靠内部上拉电阻可输出5V，但没有什么负载能力、低电平时最大0.5V，最大灌电流20mA。所以电路中1K电阻应该去掉，否则P3.1输出低电平时三极管不会截止。2K的上拉电阻应该根据三极管的负载电流和放大倍数计算，并保证P3.1灌电流不超过20mA。比如继电器电流为100mA、β=100时，R<(5-0.7)/(I/β)=4.3K ,用2K电阻可以保证三极管

1、接近开关线圈数要根据你的磁头大小选择线径，尽量细一点的漆包线，大概绕个70匝就可以了。如果是小型继电器，线圈电流应该不大，只要导线不是用得太细，50米距离应该可以。建议在接近开关导通时检查继电器线圈电压是否符合要求。2、导线长度确实会对继电器线包所加电压产生影响，低于85%额定电压就不能吸合了。如果是小型继电器，线圈电流应该不大，只要导线不是用得太细，50米距离应该可以。建议在接近开关导通时检查继电器线圈电压是否符合要求。

220V左右，分两线，三线制，大概是这样吧，不确定的话上百度贴吧区求助，很多大神在里面

驱动电路是根据脉宽来调整的简单的说一下pwm ic根据输出电压的高低老控制输出脉宽的大小,而脉宽的大小来绝对驱动mos的导通和截止的时间,而这个时间直接影响到变压器储能的多少和释放能量的多少问题有点负载,不是一句话能说清楚的

10，MOSFET主要参数什么意思

Mosfet参数含义说明 Features: Vds： DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压 Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻 Id：最大DS电流.会随温度的升高而降低 Vgs: 最大GS电压.一般为：-20V~+20V Idm: 最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系 Pd: 最大耗散功率 Tj: 最大工作结温，通常为150度和175度 Tstg: 最大存储温度 Iar: 雪崩电流 Ear: 重复雪崩击穿能量 Eas: 单次脉冲雪崩击穿能量 BVdss： DS击穿电压 Idss: 饱和DS电流，uA级的电流 Igss: GS驱动电流，nA级的电流. gfs: 跨导 Qg: G总充电电量 Qgs: GS充电电量 Qgd: GD充电电量 Td(on): 导通延迟时间，从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间 Tr: 上升时间，输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间 Td(off): 关断延迟时间，输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间 Tf: 下降时间，输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间 ( 参考图 4) 。 Ciss: 输入电容，Ciss=Cgd + Cgs. Coss: 输出电容，Coss=Cds +Cgd. Crss: 反向传输电容，Crss=Cgc.MOS管导通特性导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V, 其他电压，看手册）就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

你的提问，太不专业了，应该是从一个表上拷的数据吧，很乱。一些典型值，最大值之类的，导通电阻RDS(ON)，最大栅极电压VGS(V)等。最好是把DATASHEET的表拷整齐点下来

由上到下依次是封装类型，适用电路，源漏极击穿电压，导通源漏电阻，漏极电流25摄氏度，漏极电流100摄氏度，栅极电荷（典型值），栅漏极电荷（典型值），热阻，耗散功率，后面三个是关于是否在产，是否含铅，和安装类型

与问题的难度相比，你的悬赏太少了。

你所问的是MOSFET的一些基本参数，下面资料有自己看吧。