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电容器绝缘电阻是多少,电力电容器绝缘电阻不小于多少

来源:整理 时间:2023-03-30 01:55:06 编辑:亚灵电子网 手机版

1,电力电容器绝缘电阻不小于多少

对于开关、插座绝缘电阻应该在5MΩ以上 。仅供参考

电力电容器绝缘电阻不小于多少

2,两个472M 10KV的电容器并联 两极之间绝缘电阻应该是多少

在击穿之前,电容的绝缘电阻应该是无穷大。但是用一般的摇表是测不准的,因为输出是交流,会流过电容,这时显示值很低,与电容的容量有关,容量越大,越低。其实这时候测量的容抗值。电容没有必要测电阻。要检测耐压,必须使用专用的电容耐压测试仪。
测量绝缘电阻应该使用兆欧表,两个12KV4.7微法电容并联绝缘电阻应该在20兆欧以上。再看看别人怎么说的。

两个472M 10KV的电容器并联 两极之间绝缘电阻应该是多少

3,01UF贴片电容的电阻值多大

电容的容量不能用电阻来衡量,如果要判断好坏,最好用电容表测量或用指针表的10千欧姆档测量,测量方法是;两个表笔碰到电容的瞬间指针往上摆一点再回到零点一般是正常的。(但电容值不一定准确,另外根据不同容的电容,应变换电阻档的档位。)
测量绝缘电阻的电压正常情况下是用额定电压,高压的瓷介电容才会降压测试。具体的绝缘电阻要大于多少才算合格要看你电容器的标准了,你这个尺寸、容量的大于3000mω就算是很不错的了

01UF贴片电容的电阻值多大

4,是跟电机并联还是串联的一般单相电机的绝缘电阻是多少啊

单相电动机有很多种类型。对于有电容的单相电动机而言电容起到在电动机启动运转过程中换向的作用。这里不详细的介绍单相电容启动电动机的工作原理了。可以在百度里面搜索《单相电容启动电动机的工作原理词条》http://wenku.baidu.com/view/4d52ecd376eeaeaad1f330aa.html他是与副绕组串联的。单相电动机一般工作电压为单相220V所以他的绝缘电阻不得低于0.5兆欧。绝缘电阻用500V的兆欧表测量。
单相电容电机有两个绕组,即启动绕组和运行绕组。两个绕组在空间上相差90度。在启动绕组上串联了一个容量较大的电容器,当运行绕组和启动绕组通过单相交流电时,由于电容器作用使启动绕组中的电流在时间上比运行绕组的电流超前90度角,先到达最大值。在时间和空间上形成两个相同的脉冲磁场,使定子与转子之间的气隙中产生了一个旋转磁场,在旋转磁场的作用下,电机转子中产生感应电流,电流与旋转磁场互相作用产生电磁场转矩,使电机旋转起来。电容和电动机启动绕组(付绕组)串联,绝缘电阻不小于2MΩ
移相,使电机产生旋转磁场。
单相电动机电容是作为启动、运行、启动及运行三种作用。电容是与电动机的绕组是串联连接的。

5,什么是电容绝缘电阻介电强度介电常数

答:绝缘电阻是衡量介质绝缘性能好坏的物理量由于电容两极之间的介质不是绝对的绝缘体,它的电阻不是无限大,而是一个有限的数值.它在数值L等于介质所其有的电阻值,单位是MΩ,一般在1 000MΩ以上。人们把电流达到泄漏电流时的电阻值叫做绝缘电阻或者叫做漏电电阻。漏电电阻越小.漏电越严重。电容漏电会引起能量损耗这种损耗不仅影响电容的寿命,而且会影响电路的工作口因此,漏电电阻越大越好。介电强度是材料抗高电压而不产生介电击穿能力的量度.将试样放置在电极之间,井通过一系列的步骤升高所施加的电压直到发生介电击穿、以此测量介电强度尽管所得的结果是以kV/㎜为单位的,但并不表明与试样的厚度无关。因此,只有在试样厚度相同的条件下得到各种材料的数据才有可比性。介电强度应该说的是一个绝缘物体最高能承受的电压有多高。如果超过这个值,邢么就会出现击穿了。介电常数用于衡量绝缘体储存电能的性能。它是两块金属板之间以绝缘材料为介质时的电容量与同样的两块板之间以空气为介质或真空时的电容量之比。介电常数代表了电介质的极化程度,也就是对电荷的束缚能力.介电常数越大,对电荷的束缚能力越强。电容器两极板之间填充的介质对电容的容量有影响.同一种介质,影响相同。介质不同,介电常数不同。
搜一下:什么是电容绝缘电阻、介电强度、介电常数?

6,高压瓷片电容器的绝缘电阻是多少

电容器的直流绝缘电阻是无穷大,对直流有电阻那就是漏电
高压瓷片电容器的绝缘电阻取决于介质材料配方、工艺过程(烧结)和测量时的温度所有介质的绝缘电阻都会随温度的提高而下降,在低温(-55℃)到高温(125℃)的MIL温度特性范围内可以观察到一个非常大的下降过程测量瓷片电容器绝缘电阻的时需要重点考虑绝缘电阻与电容量的关系电容量值与绝缘电阻成反比,即电容量越高,绝缘电阻越低这是因为电容量与漏电流大小是相互成正比的,可以用欧姆定律和比体积电容关系加以说明欧姆定律表述了导体中电流(I),电压(V)和电阻(R)之间的关系:I=V/R但是,电阻(R)是一个与尺寸有关的物理量,也与材料本征的电阻率有关,如下所示:R=ρL/A这里L=导体长度A=导体横截面积因此电流(I)可以表示为:I=VA/ρL高压瓷片电容器中通过绝缘体的漏电流(i)也可用上述关系式表示:I=VA/ρt,这里V=测试电压A=有效电极面积ρ=介质电阻率t=介质层厚度从上面关系式可以看到,对于给定的测试电压,漏电流大小正比于电容器有效电极面积,反比于介质层厚度(和电阻率),即:i∝A/t类似地,电容量(C)正比于有效电极面积,反比于介质层厚度,即:C=KA/4.452t(这里K=介电常数A=有效电极面积t=介质层厚度)因此C∝A/t以及i∝C漏电流(i)与绝缘电阻成反比,即:IR∝1/C基于上述关系,可以归纳出以下几点:1.绝缘电阻是测试电压的函数,漏电流正比于外加电压:i=VA/ρt或IR=ρt/VA2.对于任意给定的电容器,绝缘电阻很大程度上依赖于介质材料本征的电阻率(ρ),也依赖于材料配方和测量时的温度3.电容器绝缘电阻(IR)的测量值与电容量成反比,也就是说,IR是电容量的函数,因此,工业应用中产品IR的最小标准是由电阻(R)和容量(C),(R×C),所决定的,如下表所示EIA标准要求产品在25℃时R×C超过1000欧姆-法拉(通常表示成1000兆欧-微法),在125℃时超过100欧姆-法拉瓷谷电子-高压瓷片电容器厂家,专业生产CG安规电容及高压瓷片电容器30年,生产的高压瓷片电容器规格型号多,全自动生产设备及检测设备在行业领先出货快,钻石品质本着安全的安规电容生产,为科技守护美好生活,更好的守护我们身边最爱的人的安全

7,贴片电容的绝缘电阻值1G 多少ohm

江门三巨(专业中高压贴片电容、贴片压敏电阻)的回答: 绝缘电阻表征的是介质材料在直流偏压梯度下抵抗漏电流的能力。 绝缘体的原子结构中没有在外电场强度作用下能的电子。对于陶瓷介质,其电子被离子键和共价键牢牢束缚住,理论上几乎可以定义该材料的电阻率为无穷大。但是实际上绝缘体的电阻率是有限,并非无穷大,这是因为材料原子晶体结构中存在的杂质和缺陷会导致电荷载流子的出现。 在氧化物陶瓷中,如钛酸盐,通过缺陷化学计量,也就是阴、阳离子电荷不平衡可以推断出电荷载流子的存在以及材料晶体结构中有空缺位置(空位)和填隙离子。例如,一个Al3+阳离子取代一个Ti4+的位置,产生一个净负电荷。同样,如果氧离子与其他离子的比例不足以维持理想的化学价,也会产生一个净正电荷。后面这种情况在低氧分压烧结和“还原”烧结条件下非常容易出现,剧烈的还原将会使钛酸盐的电阻率降低,显示出半导体性质。 填隙离子的出现是由于离子具有一定的随机性,这种性与温度有关;温度升高能使离子获得更大的热能以克服能垒的作用,离子扩散程度加剧。在外加电场作用下,扩散不再是随机的,而是沿着电场电位梯度方向,从而产生漏电流。 因此,片式电容器的绝缘电阻取决于介质材料配方、工艺过程(烧结)和测量时的温度。所有介质的绝缘电阻都会随温度的提高而下降,在低温(-55℃)到高温(℃)的MIL温度特性范围内可以观察到一个非常大的下降过程。 测量电容器绝缘电阻的时候需要重点考虑的是绝缘电阻与电容量的关系。电容量值与绝缘电阻成反比,即电容量越高,绝缘电阻越低。这是因为电容量与漏电流大小是相互成正比的,可以用欧姆定律和比体积电容关系加以说明。欧姆定律表述了导体中电流(I),电压()和电阻(R)之间的关系: I = /R 但是,电阻(R)是一个与尺寸有关的物理量,也与材料本征的电阻率有关,如下所示: R = ρL/A 这里 L = 导体长度 A = 导体横截 因此电流(I)可以表示为: I = A/ρL 考虑到陶瓷电容器中通过绝缘体的漏电流(i)也可用上述关系式表示:I = A/ρt ,这里 = 测试电压 A = 有效电极ρ= 介质电阻率 t = 介质层厚度 从上面关系式可以看到,对于给定的测试电压,漏电流大小正比于电容器有效电极,反比于介质层厚度(和电阻率),即:i ∝ A/t 类似地,电容量(C)正比于有效电极,反比于介质层厚度,即:C = KA/4.t 这里 K = 介电常数 A = 有效电极 t = 介质层厚度 因此 C ∝ A/t 以及 i ∝ C 漏电流(i)与绝缘电阻成反比,即:IR ∝ 1/C 基于上述关系,可以归纳出以下几点: 1. 绝缘电阻是测试电压的函数,漏电流正比于外加电压:i = A/ρt 或 IR =ρt/A (b) 对于任意给定的电容器,绝缘电阻很大程度上依赖于介质材料本征的电阻率(ρ),也依赖于材料配方和测量时的温度。 (c) 电容器绝缘电阻(IR)的测量值与电容量成反比,也就是说,IR是电容量的函数,因此,工业应用中产品IR的最小标准是由电阻(R)和容量(C),(R×C),所决定的,如下表所示。EIA标准要求产品在25℃时R×C超过欧姆-法拉(通常表示成兆欧-微法),在℃时超过欧姆-法拉。 通常,电介质具有很高的电阻值,测量时往往用10的高次方倍欧姆表示: 1 太欧(TΩ)= 10E+12欧姆 1 吉欧(GΩ)= 10E+9欧姆 1 兆欧(MΩ)= 10E+6欧姆 除了材料和尺寸外,还有其他一些物理因素会对电容器的绝缘电阻产生影响。 (a) 表面电阻率:由于表面吸收了杂质和水分,因此介质表面电阻率与体电阻率不一致。 (b) 缺陷:介质是由多晶体陶瓷聚合体所组成,其微观结构中存在的晶界和气孔总会降低材料的本征电阻率。从统计学角度来说,这些物理缺陷出现的几率与元件体积以及结构复杂程度是成正比的。因此,对于尺寸更大,电极更大,电极层数越多的元件来说,其电阻率和绝缘强度均低于小尺寸元件。硬之城上面应该有这个型号,可以去看看有没有教程之类的,不行的话就请教下客服最直接了一对一解决问题。
1GΩ=1000KΩ=1000000Ω(欧姆)
江门三巨(专业中高压贴片电容、贴片压敏电阻)的回答: 绝缘电阻表征的是介质材料在直流偏压梯度下抵抗漏电流的能力。 绝缘体的原子结构中没有在外电场强度作用下能的电子。对于陶瓷介质,其电子被离子键和共价键牢牢束缚住,理论上几乎可以定义该材料的电阻率为无穷大。但是实际上绝缘体的电阻率是有限,并非无穷大,这是因为材料原子晶体结构中存在的杂质和缺陷会导致电荷载流子的出现。 在氧化物陶瓷中,如钛酸盐,通过缺陷化学计量,也就是阴、阳离子电荷不平衡可以推断出电荷载流子的存在以及材料晶体结构中有空缺位置(空位)和填隙离子。例如,一个Al3+阳离子取代一个Ti4+的位置,产生一个净负电荷。同样,如果氧离子与其他离子的比例不足以维持理想的化学价,也会产生一个净正电荷。后面这种情况在低氧分压烧结和“还原”烧结条件下非常容易出现,剧烈的还原将会使钛酸盐的电阻率降低,显示出半导体性质。 填隙离子的出现是由于离子具有一定的随机性,这种性与温度有关;温度升高能使离子获得更大的热能以克服能垒的作用,离子扩散程度加剧。在外加电场作用下,扩散不再是随机的,而是沿着电场电位梯度方向,从而产生漏电流。 因此,片式电容器的绝缘电阻取决于介质材料配方、工艺过程(烧结)和测量时的温度。所有介质的绝缘电阻都会随温度的提高而下降,在低温(-55℃)到高温(℃)的MIL温度特性范围内可以观察到一个非常大的下降过程。
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