快恢复二极管正向压降是多少，用数字万用表测量二极管好坏是时正常管压降应当是多少

来源：整理时间：2023-02-09 06:07:56 编辑：亚灵电子网手机版

1，用数字万用表测量二极管好坏是时正常管压降应当是多少

硅管0.7V左右，锗管0.3V左右只是理论值实际上时硅管0.5几伏左右也不知道是不是我的表有问题

不知道啊

用数字万用表测量二极管好坏是时正常管压降应当是多少

2，肖特基二极管和快恢复二极管的区别

不要傻傻的分不清肖特基和快恢复二极管，视频有介绍，建议看看 00:00 / 12:5970% 快捷键说明空格: 播放 / 暂停Esc: 退出全屏 ↑: 音量提高10% ↓: 音量降低10% →: 单次快进5秒 ←: 单次快退5秒按住此处可拖拽不再出现可在播放器设置中重新打开小窗播放快捷键说明

肖特基二极管和快恢复二极管的区别

3，不同二级管的正向电压降是多少如开关二极管稳压二级管快速回

二极管的正向压降，与制作材料有关系，分为硅材料和锗材料。硅材料正向压降0.6V左右，锗材料正向压降0.3V左右。

33v稳压管输出为33v，后面链接电阻可以取8k1w就可以了。

不同二级管的正向电压降是多少如开关二极管稳压二级管快速回

4，什么是肖特基二极管的快恢复二极管

肖特基二极管是属于低功耗、大电流、超高速的半导体器件，其特长是开关速度非常快，反向恢复时间可以小到几个纳秒，正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安。所以适合在低电压、大电流的条件下工作，电脑主机电源的输出整流二极管就采用了肖特基二极管。肖特基二极管是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺染剂的N一外延层。阳性（阻挡层）金属材料是钼。二氧化硅用来消除边缘区域电场，提高肖特基二极管的耐压值。N型基片掺杂浓度比N一层高100倍，具有很小的通态电阻。基片下部的N+阴极层用以减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基二极管。快恢复二极管是近年来问世的新型半导体器件，它具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积较小、安装简便等优点。可作高频、大电流的整流、续流二极管，在开关电源、脉宽调制器(PWM)、不间电源(UPS)、高频加热、交流电机变频调速等电子设备中得到了广泛的应用，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。快恢复二极管的一个重要参数是反向恢复时间trr，其定义是：电流流过零点由正向转换成反向，再由反向转换到规定的值Irr时的时间间隔，它是衡量高频续流、整流器件性能的重要技术参数。快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。

5，bat85s肖特基二极管正向压降大概是多少

硅二极管的正向压降都是0.6-0.7V之间。

IF=0.1mA VF 240 mVIF=1mA VF 320 mVIF=10mA VF 400 mVIF=30mA VF 500 mVIF=100mA VF 800 mV

6，快恢复二极管正向压降大是什么原因

在电子电路中，将快恢复二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，快恢复二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在快恢复二极管两端的正向电压很小时，快恢复二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。PN结导致快恢复二极管正向压降偏大快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片.由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受很高的反向工作电压.快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏.超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小,使其trr可低至几十纳秒。如果测的快恢复二极管正向压降反常偏大，可能是买到PN结构的二极管了。电路温度与快恢复二极管正向压降的关系正向压降偏高是导致快恢复二极管应用电路发热的常见原因。PIN结相对于PN结有更快的恢复时间，N型外延内的载流子会比传统PN结器件消失得更快，即可形成低正向导通压降和快关断时间的半导体器件。固定掺杂浓度的FRD器件,由于晶格散射对载流子迁移率起主导作用,正向压降呈正温度系数特性。压降偏高是导致快恢复二极管应用电路常见发热原因之一。快恢复二极管不同于整流桥产品，随着耐压的渐高，快恢复本身的压降会有明显升高。一般200V耐压快恢复二极管正向压降是1.05V,而400V耐压的快恢复正向压降就能提升到1.5V左右，压降放大之后功耗就会加大，自然的就会引起温度的升高。所以在选择快恢复二极管参数时，一定要精准计算电路参数情况，以便于能更加合理的选择快恢复耐压的参数。主要来源于：https://www.microdiode.com

7，二极管正向导通时的正向电压降大致等于多少反向饱和电流值大致等

二极管正向压降相关：1、二极管材质/工艺：硅管压降 > 锗管压降。而同等材质，工艺不同，压降也不同。2、二极管的工作电流：同一个二极管，当前电流越大，压降越大。压降虽然有不同，但是范围在( 零点几~1点几 ) V 范围反向饱和电流Is 大概是uA级别，根据二极管种类不同，有差异

这个最好查查相应二极管的参数，一般来说硅二极管的正向压降在0.7v左右，锗二极管压降在0.2v-0.4v左右，

8，快恢复二极管正向压降大是什么原因

二极管的恢复时间受PN结电容影响，结电容越小恢复时间越短，结电容越小PN结越厚，PN结越厚导通电压越高，这是快速恢复二极管正向压降大得原因。

温度，成反比

我原来也想到用肖特基二极管，因为印象中肖特基二极管的正向压降是比较低的，我不知道你要那样的二极管干什么用，总之你的问题很难解决。据我所

快恢复二极管压降不是低压降型的，如果耐压够的话，可以换肖特基二极管。如果所谓的压降大是高于1V的话，瞬态检查电流是不是太大

9，快恢复二极管的动态参数有哪些惨主要的动态参数有哪些

1.二极管的主要参数正向电流IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。最大整流电流（平均值）IOM：在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。反向击穿

二极管的主要参数：（1）最大整流电流：指二极管长时间使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。（2）反向工作峰值电压：它是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是反向击穿电压的一半或三分之二。（3）反向峰值电流：指在二极管上加反向工作峰值电压时的反向电流值。不同二极管参数不同，稳压二极管参数就和上面的不一样。希望能帮到你~

10，快恢复二极管

快恢复二极管（简称frd）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、pwm脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。快恢复二极管的内部结构与普通pn结二极管不同，它属于pin结型二极管，即在p型硅材料与n型硅材料中间增加了基区i，构成pin硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。

可理解为快速二极管，高频二极管，通常用在开关电源做整流二极管，逆变电路做续流、反压吸收二极管。具有单向导电特性，当施加正向电压时导通、反向电压时截止。当电压翻转，二极管从正向导电转换为反向截止状态需要一段时间才能完成，这段时间称为反向恢复时间。你的这一款是杭州国晶DHZF100N4S型号的。