稳压管温度是多少，问一个关于稳压管发热的问题

1，问一个关于稳压管发热的问题

是小一些，但是最好要各串一个小阻值电阻均流

问一个关于稳压管发热的问题

2，稳压管27c是多少伏

是十伏的稳压管

同问。。。

稳压管27c是多少伏

3，ka7824稳压管的温度是多少

虽然我很聪明，但这么说真的难到我了

这是三端稳压块，最高温度不超过60度

ka7824稳压管的温度是多少

4，问一个关于稳压管发热的问题

LZ说的情况,有可能是开机电路稳压管损坏,短路导致烫手,你试试强行开机能行不,强行开机就是,详见下图,同时触碰PS_ON和COM(地),COM随便哪个COM,挑近一点的COM就行,实际中的颜色就是把绿的和他上面黑的导通,这个你要在24针插头插在主板上的时候,触碰主板背面的两个被焊的针脚(颜色是按照上面的绿色和黑色),这样可以强行开机,如果这样开机成功,那么你的开机电路可能损坏了,也就是你那几个稳压管可能损坏了,另外你也可以用上面的方法试试电源有没有损坏,就是拔下24针插头,也是导通上面的两个脚,看看电源能启动吗,开机无反应也可能是电源坏了,如果这两个都没问题的,麻烦点自己用最小系统法更换每个部件去试吧,或者闲麻烦找个高手帮你再或者喊师傅来修绿竹别其三分景红梅正报万家春春回大地

5，稳压管最高输入电压是多少

哈哈！朋友你弄混概念了，首先解释（7824）、更正7824不是稳压管、是三端稳压集成块，内设短路保护。过流保护、过载保护、和过压保护。 1）78是系列、它是正极输出稳压电路。79系列、它是负极输出稳压电路。 2）24是它的稳压值、输入端电压一般要高于输出电压5分之一或6分之一倍，为的是有良好的三功损耗。 3）加如按你说的输入端高于输出端三倍；24x3=72v你想会有什么现象可以肯定、稳压块定烧无疑。 4）78系列有7805、（5v）7809、（9v）7812、... 7824、... 特种7836，7872. 79系列的余此类推... ... 。我的解释愿您满意、如有疑问共同探讨。满意请给我5颗星好吗！

1.稳定电压就是稳压二极管在反向击穿区时的工作电压，管子两端的电压值。这个数值随工作电流和温度的不同略有改变，即使同一型号的稳压二极管，稳定电压值也有一定的分散性，例如2CW14硅稳压二极管的稳定电压为6～7.5V。　　2.半导体稳压二极管(雪崩二极管)的稳压值正是它的反向雪崩击穿电压值!它的正向压降和普通二极管是一样的!(硅管0.7V!锗管0.3V!)它不是用正向压降来稳压的，稳压二极管的重要指标不仅是它的稳压值!它的最大稳压时工作电流(最大雪崩电流)很重要，实际应用中的最大输入电压最好不要超出其稳压值的2倍。

你有点误解了!半导体稳压二极管(雪崩二极管)的稳压值正是它的反向雪崩击穿电压值!它的正向压降和普通二极管是一样的!(硅管0.7v!锗管0.3v!)它不是用正向压降来稳压的!稳压二极管的重要指标不仅是它的稳压值!它的最大稳压时工作电流(最大雪崩电流)很重要!实际应用中的最大输入电压最好不要超出其稳压值的2倍!

是最低高出输出电压3V，最高不超过36V

不是吧,72v要烧稳压管的,7824就是个24v的稳压管,只有几v的电压波动你那个也太大了要加电阻降压在稳压就是24v了

6，稳压管有哪些参数

稳压二极管选型参数有：? UZ—稳定电压：指稳压二极管通过额定电流时两端产生的稳定电压值。该值随工作电流和温度的不同而略有改变。由于制造工艺的差别，同一型号稳压管的稳压值也不完全一致。? IZT—额定电流：指稳压二极管产生稳定电压时通过的电流值。低于额定电流时，虽然也能稳压，但稳压效果会变差；高于额定电流时，只要不超过额定功率损耗，也是允许的，而且稳压性能会好一些，但要多消耗电能。? RZJ—动态电阻：指稳压二极管两端电压变化与电流变化的比值。该比值随工作电流的不同而改变，一般是工作电流愈大，动态电阻则愈小。? PZ—额定功耗：由芯片允许温升决定，其数值为稳定电压Vz和允许最大电流Izm的乘积。? CTV—温度系数：如果稳压二极管的温度发生变化了，它的稳定电压也会发生微小变化，温度变化1℃所引起管子两端电压的相对变化量即是温度系数（单位：﹪/℃）。? IR—反向漏电流：指稳压二极管在规定的反向电压下产生的漏电流。关于稳压二极管选型这方面的知识，可以多咨询下专业的稳压管供应厂商东沃电子产品工程师！稳压二极管

稳压二极管的参数怎么看？稳压二极管的参数都有哪些？如何根据参数选取稳压二极管型号？1.UZ—稳定电压：指稳压二极管通过额定电流时两端产生的稳定电压值。该值随工作电流和温度的不同而略有改变。由于制造工艺的差别，同一型号稳压管的稳压值也不完全一致。2.IZT—额定电流：指稳压二极管产生稳定电压时通过的电流值。低于额定电流时，虽然也能稳压，但稳压效果会变差；高于额定电流时，只要不超过额定功率损耗，也是允许的，而且稳压性能会好一些，但要多消耗电能。3.RZJ—动态电阻：指稳压二极管两端电压变化与电流变化的比值。该比值随工作电流的不同而改变，一般是工作电流愈大，动态电阻则愈小。4.PZ—额定功耗：由芯片允许温升决定，其数值为稳定电压Vz和允许最大电流Izm的乘积。5.CTV—温度系数：如果稳压二极管的温度发生变化了，它的稳定电压也会发生微小变化，温度变化1℃所引起管子两端电压的相对变化量即是温度系数（单位：﹪/℃）。6.IR—反向漏电流：指稳压二极管在规定的反向电压下产生的漏电流。主要来源于：MDD辰达行电子

二、稳压管的主要参数★稳定电压UZ：UZ是在规定电流下稳压管的反向击穿电压。例如：型号为2cw11的稳压管稳定电压为3.2~4.5V，就某一只管子而言，为确定值。★稳定电流IZ:IZ是稳压管工作在稳压状态时的参考电流，电流低于此值时稳压效果差，故将IZ记作IZmin。只要不超过稳压管的额定功率，电流愈大，稳压效果愈好。★额定功耗PZM：PZM等于稳压管的稳定电压UZ与最大稳定电流IZM（记作IZmax）的乘积。稳压管超过此值时，会因结温升高而损坏。★动态电阻rZ：rZ为稳压管工作在稳压区时，稳压管电压的变化量与电流变化量之比，即。rZ愈小，电流变化时UZ的变化愈小，稳压性能愈好。★温度系数：表示温度每变化1°C稳压值的变化量，即=。稳定电压小于4V的管子具有负温度系数，即温度升高时稳定电压值下降；稳定电压大于7V的管子具有正温度系数，即温度升高时稳定电压值上升；而稳定电压在4~7V之间的管子，温度系数非常小。由于稳压管的反向电流小于IZmin时不稳压，大于IZmax时会超过额定功耗而损坏，所以在稳压管电路中必须串联一个电阻来限制电流，从而保证稳压管正常工作，故称这个电阻为限流电阻。

朋友，稳压管有稳压值，功率，额定电压，耐压值。

7，稳压三极管有什么参数

我还以为你说的是稳压二极管呢...稳压三极管就是三端稳压管,具体有以下参数:参数一：输出电压最简单的一个参数，就是稳压器的输出电压，能稳定在多少V，7805输出电压稳定在5V 参数二：线性调整率稳压器的输入电压一般都比较宽，在该范围内，输入如果变化输出电压的变化有多大呢？该参数就是描述这种变化的一个参数。很显然输出电压的变化是越小越好了，一般都是几毫伏。拿7805作为例子来说吧，参考Data Sheet就可以知道，在常温，输出500mA电流的情况下，输入电压在7~25V之间变化的时候，输出电压的变化典型值为3mV，最大值为50mV 参数三：负载调整率负载发生变化时，输出电压也会相应的发生变化，一般是负载越重，输出电压会有所下降，负载越轻输出电压会有所上升。负载调整率就是反应这种变化的一个量。看7805的Data Sheet可知，在负载变化在5mA~1.5A时，输出电压的变化范围在10~50mV 参数四：静态电流对于线性稳压器来说是一个非常重要的参数。该电流为驱动大功率调整管所必须的，它不流向负载，而是直接流向地，因此该电流是越小越好。看7805的Data Sheet可知，在负载小于1A的情况下，静态电流为8mA。为什么要强调负载呢，因为静态电流的大小与负载有关。参数五：静态电流变化量静态电流大小与负载大小有关，所以在负载发生变化的情况下，静态电流的变化到底有多大？看7805的Data Sheet可知，在负载变化范围在5mA~1A时，静态电流的变化为0.5mA（静态电流增大）参数六：输出噪声电压三端稳压块输出噪声电压都是一些高频噪声（低频噪声被衰减了）看7805的Data Sheet可知，在10Hz~100kHz频率范围内输出噪声电压为40uV 参数七：纹波抑制比三端稳压块的另一个非常重要的参数，很多人都不注意它，低频电路可以不关心这个参数，高频电路这个参数就显得非常重要了。看7805的Data Sheet可知，在负载电流小于1A的情况下，120kHz点的纹波抑制比最小为62dB，典型值为80dB。一般的Data Sheet给出的纹波抑制比都是在120Hz。频率越高，纹波抑制比一般会变小。参数八：电压降下量（Drop Out Voltage）三端稳压块都是降压的，输出电压和输入电压的差就是电压的降下量。电压降下量是越小越好，因为它与功耗有关。看7805的Data Sheet可知，负载为1A的时候，电压降下量为2V，也就是说要维持5V的输出，输入电压必须在7V以上。参数九：输出电抗同样是一个跟频率有关的参数，频率越高，输出电抗会有所增大。看7805的Data Sheet可知，在1kHz的时候，输出抵抗为8m欧参数十：短路保护电流如果负载电流大于该电流，过流保护电路启动，输出电压会迅速降低。7805的Data Sheet可知，该电流为2.1A 参数十一：尖峰输出保护电流负载即使是瞬间也不能达到的电流，如果大于该电流，过流保护电路也会启动，输出电压迅速降低。看7805的Data Sheet可知，该电流为2.4A 参数十二：维持输出所需要的最小输入电压为了保证输出性能，输入电压必须大于该值。看7805的Data Sheet可知，该电压为7.5V 三端稳压块的主要参数就这么多，都是一些非常简单的参数，知道的越详细越好。数十三：正常工作温度TO-220,1.5A的78/79系列根据负载决定自身的温度,负载电流越大温度就越高,反之则低.温度范围在0-125摄氏度.

好简单，你把表笔放在输入和输出两端，正向时一般大于几十K反向时几K，如果是断路或短路就是坏的，温度吗，不好说，因为一般的硅管它的硅片可以承受270度以上的温度，但散热片的温度就不能这么高了，一般不超过100度，实践中有的管子温度高的焊锡都溶了，拿下来还是可以用。

稳压二极管又叫稳压管，其主要参数列在下方：（1）稳定电压Vz：稳定电压就是稳压二极管在正常工作时，管子两端的电压值。这个数值随工作电流和温度的不同略有改变，既是同一型号的稳压二极管，稳定电压值也有一定的分散性，例如2CW14硅稳压二极管的稳定电压为6～7.5V。（2）耗散功率PM：反向电流通过稳压二极管的PN结时，要产生一定的功率损耗，PN结的温度也将升高。根据允许的PN结工作温度决定出管子的耗散功率。通常小功率管约为几百毫瓦至几瓦。最大耗散功率PZM：是稳压管的最大功率损耗取决于PN结的面积和散热等条件。反向工作时，PN结的功率损耗为：PZ=VZ*IZ，由PZM和VZ可以决定IZmax。（3）稳定电流IZ、最小稳定电流IZmin、大稳定电流IZmax 稳定电流：工作电压等于稳定电压时的反向电流；最小稳定电流：稳压二极管工作于稳定电压时所需的最小反向电流；最大稳定电流：稳压二极管允许通过的最大反向电流。 (4)动态电阻rZ：其概念与一般二极管的动态电阻相同，只不过稳压二极管的动态电阻是从它的反向特性上求取的。rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 rz=△VZ/△IZ (5)稳定电压温度系数：温度的变化将使VZ改变，在稳压管中，当|VZ| ＞7 V时，VZ具有正温度系数，反向击穿是雪崩击穿。当|VZ|＜4V时，VZ具有负温度系数，反向击穿是齐纳击穿。当4V＜|VZ|＜7V时，稳压管可以获得接近零的温度系数。这样的稳压二极管可以作为标准稳压管使用。

稳压三极管参数:av---电压温度系数a---温度系数BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压BVceo---基极开路，CE结击穿电压BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压Cib---共基极输入电容Cic---集电结势垒电容Cieo---共发射极开路输入电容Cies---共发射极短路输入电容Cie---共发射极输入电容Cjo/Cjn---结电容变化Cjo---零偏压结电容Cjv---偏压结电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容CL---负载电容（外电路参数）Cn---中和电容（外电路参数）Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容Coeo---共发射极开路输出电容Coe---共发射极输出电容Co---零偏压电容Co---输出电容Cp---并联电容（外电路参数）Cre---共发射极反馈电容Cs---管壳电容或封装电容CTC---电容温度系数CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比Ct---总电容Cvn---标称电容di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率D---占空比ESB---二次击穿能量fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率fT---特征频率f---频率h RE---共发射极静态电压反馈系数hFE---共发射极静态电流放大系数hfe---共发射极小信号短路电压放大系数hIE---共发射极静态输入阻抗hie---共发射极小信号短路输入阻抗hOE---共发射极静态输出电导hoe---共发射极小信号开路输出导纳hre---共发射极小信号开路电压反馈系数IAGC---正向自动控制电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值IB---基极直流电流或交流电流的平均值Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流ICMP---集电极最大允许脉冲电流ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。ICM---最大输出平均电流Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值IDR---晶闸管断态平均重复电流ID---暗电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流IEM---发射极峰值电流IE---发射极直流电流或交流电流的平均值IF（AV）---正向平均电流IF(ov)---正向过载电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。IFMP---正向脉冲电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流iF---正向总瞬时电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IGT---晶闸管控制极触发电流IH---恒定电流、维持电流。Ii--- 发光二极管起辉电流IL---光电流或稳流二极管极限电流IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流Iop---工作电流Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IP---峰点电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。IRM---反向峰值电流Irp---反向恢复电流IRRM---反向重复峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）ir---反向恢复电流iR---反向总瞬时电流ISB---二次击穿电流Is---稳流二极管稳定电流IV---谷点电流Izk---稳压管膝点电流IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流IZSM---稳压二极管浪涌电流Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流n---电容变化指数；电容比PB---承受脉冲烧毁功率PCM---集电极最大允许耗散功率Pc---集电极耗散功率PC---控制极平均功率或集电极耗散功率Pd---耗散功率PFT（AV）---正向导通平均耗散功率PFTM---正向峰值耗散功率PFT---正向导通总瞬时耗散功率PGM---门极峰值功率PG---门极平均功率Pi---输入功率Pi---输入功率PK---最大开关功率PMP---最大漏过脉冲功率PMS---最大承受脉冲功率PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率Pn---噪声功率Pomax---最大输出功率Posc---振荡功率Po---输出功率Po---输出功率PR---反向浪涌功率Psc---连续输出功率PSM---不重复浪涌功率Ptot---总耗散功率Ptot---总耗散功率PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率Q---优值（品质因素）r δ---衰减电阻R(th)ja----结到环境的热阻R(th)jc---结到壳的热阻r(th)---瞬态电阻rbb分钟Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积rbb分钟---基区扩展电阻（基区本征电阻）RBB---双基极晶体管的基极间电阻RBE---外接基极-发射极间电阻（外电路参数）RB---外接基极电阻（外电路参数）Rc ---外接集电极电阻（外电路参数）RE---射频电阻RE---外接发射极电阻（外电路参数）RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻RG---信号源内阻rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻RL---负载电阻RL---负载电阻（外电路参数）roe---发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻Rs(rs)----串联电阻Rth---热阻Rth----热阻Rz(ru)---动态电阻Ta---环境温度Ta---环境温度Tc---管壳温度Tc---壳温td---延迟时间td----延迟时间tfr---正向恢复时间tf---下降时间tf---下降时间tgt---门极控制极开通时间tg---电路换向关断时间Tjm---最大允许结温Tjm---最高结温Tj---结温toff---关断时间toff---关断时间ton---开通时间ton---开通时间trr---反向恢复时间tr---上升时间tr---上升时间tstg---温度补偿二极管的贮成温度Tstg---贮存温度ts---存储时间ts---存贮时间Ts---结温V n---噪声电压V v---谷点电压V（BR）---击穿电压VAGC---正向自动增益控制电压VB2B1---基极间电压VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数）VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）VBE10---发射极与第一基极反向电压VBE---基极发射极（直流）电压VB---反向峰值击穿电压VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压VCB---集电极-基极（直流）电压Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数）VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压VCE---集电极-发射极（直流）电压Vc---整流输入电压VDRM---断态重复峰值电压VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压VEB---饱和压降VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数）VF（AV）---正向平均电压VFM---最大正向压降（正向峰值电压）VF---正向压降（正向直流电压）VGD---门极不触发电压VGFM---门极正向峰值电压VGRM---门极反向峰值电压VGT---门极触发电压Vk---膝点电压（稳流二极管）VL ---极限电压Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值Vn---中心电压VOM---最大输出平均电压Vop---工作电压Vo---交流输入电压Vp---穿通电压。Vp---峰点电压VRM---反向峰值电压（最高测试电压）VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）VRWM---反向工作峰值电压VR---反向工作电压（反向直流电压）VSB---二次击穿电压Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压Vth---阀电压（门限电压）Vz---稳定电压δvz---稳压管电压漂移η---单结晶体管分压比或效率λp---发光峰值波长

三极管的发射结具有稳压管的特性，稳压值大约在6v左右。