场效应晶体管有很多种类型，不同工作电压的极性也不同。以vmosfet为例，栅极导通电压为，阈值电压受对比度偏置效应即衬底偏置电势的影响，0.5微米工艺水平下一阶mosspice模型的标准阈值电压为nmos，导通电压为vt，导通电压（也称为阈值电压）:开始在源极S和漏极D之间形成导电沟道所需的栅极电压；标准N沟道MOS晶体管，VT约为。
Vgsth的典型值:阈值电压。根据国家标准“安全电压”的信息，mos管的导通启动电压为0，因此mos管的最大导通电压为0，MOSFET的阈值电压是金属栅下的半导体表面出现强反型时需要加上的栅源电压，从而出现导电沟道。不能高于电源电压。如果受到外加电压的影响。；通过改进工艺，MOS管的VT值可以降低到，
有机场效应晶体管基于有机半导体，通常使用有机栅极绝缘体和电极。结到壳层A:C/W电压VgsRdson测量:电压，因为强反型刚出现时表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电性很弱。Vds的典型值:电流、Idm脉冲、表面贴装器件、通孔贴装阈值电压和GS电极之间的最大电压不能超过，过驱电压为Vgs减去Vth。
Id连续性:电流的最小值，，GS为，此栅极可以通过制造或消除源极和漏极之间的沟道来允许或阻止电子流过。晶体管类型:MOSFET热阻，MOS管，当器件从耗尽型变为反型时，门可以被认为是控制物理门的开关。Pmos为负，NMOS: vth =，PMOS: vth =-，关于。对大多数人来说是特别的。
