选择电阻和电容时。电容一般不会产生噪声，但电感会产生噪声，电源插座后面有一个LC电路，试着改变它的电感，它会降低MOSFET的电压应力，例如下图所示的MOSFET的峰值电压，它还会影响EMC。反激电路中应加入RCD吸收电路；较大的分布电容会增加电路的寄生振荡，增加MOSFET和次级整流二极管的电压尖峰，使EMC效应恶化。
在RCD吸收电路中，晶闸管的大电流关断会产生各种干扰/尖峰，从而影响负载和电源（EMI问题）。箝位电压通常选择为反射电压，这称为RCD吸收。它一般由二极管、高压陶瓷电容和电阻组成，主要用于吸收开关管关断时变压器初级线圈产生的冲击电压。添加RC或RCD吸收电路，如有必要，添加有源吸收或有源箝位电路。
它应该过滤掉干扰和电压尖峰，吱吱声可能是它在某一波点与之前的LC滤波器电路发生谐振。改变RCD的电阻或电容会影响EMI和EMC，这是调试EMI和EMC的关键组件。更换后电源的稳定性会受到影响，所以最好使用原值。这是一个吸收装置，用来吸收峰值电压。如果峰值电压很高，它可以被吸收。如果不高，则没有必要（相对于MOS的耐压高低）。可以下载吸收电路，一般有C和RC。
但是这张图是错的。首先，整体位置不对，RCD应置于晶闸管高压两端。那么二极管不在正确的位置，二极管应与RC串联。可以加，但不要太大；通常，LLEAK * IPEAK，（vs nub/（vs nub-n * VOUT））是能量单位J焦耳，计算的功率P应乘以工作频率F（Hz）。
