三星透露已完成GDDR7存储芯片的开发。三星已经确认将发布GDDR732Gbps存储芯片，三星电子是全球最大的动态随机存取存储器芯片制造商，该芯片用于智能手机和电脑等消费设备，美光、三星和SK海力士与其GDDR7存储芯片展开竞争，三星可能会在2024年底前发布GDDR7内存芯片。JEDEC周二公布了GDDR7存储芯片的官方规格。
三星推出了迄今为止容量最高的人工智能存储芯片。加快内存芯片的全线速度！据数据和报告显示，自2024年以来，DRAM存储芯片的价格一直在持续上涨。三星、SK海力士和美光这三家内存芯片原始制造商都控制着供应，内存和固态硬盘的价格一直保持上涨趋势。随着芯片变得更薄，它还具有简化芯片封装的优势。
根据三星的说法，HBM3E芯片的芯片间间隙是业界最小的，为7m。这些芯片可以用于需要大量内存的系统中。三星新的TCNCF技术通过在芯片之间使用不同大小的凸起来改善HBM芯片内部的热量。三星电子（Samsung Electronics）周二表示，该公司开发了一种新的高带宽存储芯片，迄今为止该芯片的容量在业内最高。三星推出了速度为10 gt/s的全新内存堆栈产品。这些新的内存峰值带宽和容量增加了50%或更多，是目前世界上最快的内存设备。
三星和美光已经发布了第一代GDDR7芯片。该内存堆栈配备了12个24Gb内存，封装在一个具有1024位接口的逻辑芯片上。过去，存储芯片的价格高得离谱。现在，国产存储芯片的质量与以前的品牌比肩，价格也下降了。根据三星的说法，其HBM3E12H芯片最多可提供1。三星发布了用于AI的最高容量12层堆叠HBM3E内存，容量高达36GB。Micron刚刚开始大规模生产全球首款HBM3E芯片，三星也不甘示弱，宣布开发业界首款12堆栈HBM3EDRAM芯片。
据彭博新闻报道，美国商务部工业和安全局正在考虑将长鑫存储列入限制名单。长鑫存储生产存储芯片，其竞争对手是美光科技、三星电子和SK海力士，三星内存产品规划总监YongCheolBae表示:AI、HPC和高端游戏都需要高性能内存来以前所未有的速度处理数据。首先，36GBHBM3E内存产品基于三星第四代10纳米（14纳米）工艺技术制造的内存设备，该技术使用极紫外光刻技术来确保内存设备的高质量。
