Mos参数与开关电源的输入输出电压关系不大，变压器决定输出。左图为mos作为电子开关，与开关电源电路不同，参考这张电路图《具有软启动功能的mos晶体管功率开关电路》:具有软启动功能的mos晶体管功率开关电路一般具有MOS晶体管的饱和电压，其极间电容相对较大，为了使MOS晶体管的开关速度快并降低功耗，需要对栅极进行快速充电和放电，这就是使用驱动电路的原因。
特别是在高频开关电路中，由于MOS管的开关时间很短，输出电压变化频繁，更容易产生交流电压。电路图如下图所示，并附有具体的元件型号:具有软启动功能的MOS晶体管功率开关电路的详细分析见文章《具有软启动功能的MOS晶体管功率开关电路》，但要求VinN为变压器匝数比，Vo为输出电压。对于反激式架构，MOS晶体管的电压可分为三部分:大容量电容器电压n * vovspike大容量电容器电压的最大值，其等于，
使得D极的输入电压在S极的输出电压上表现出不同的状态。是的，相同的mos晶体管通过不同的电流具有不同的栅极电压，场效应晶体管（FET）是一种通过控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的半导体器件，因此而得名。这种现象被称为“开关过渡区的电荷注入”或“米勒效应”，通俗来说就是用G极的控制电压来控制MOS管的导通、饱和、截止等状态。
