RCD吸收电路用于吸收MOS管关断时变压器产生的峰值电压。你说的电阻应该和并联电容（反激式电源的主吸收电路）后面串联二极管的位置差不多！在RCD吸收电路中，晶闸管的大电流关断会产生各种干扰/尖峰，从而影响负载和电源（EMI问题），RCD吸收电路用于吸收MOS管S极和D极上的过量脉冲，从而保护MOS管。
其实就是变压器原边的RCD吸收电路，用来箝位TOP，ResidualCurrentDevice的缩写，英文名称简称RCD。有两种RCD电路。一种是二极管与电容器串联，电阻器与二极管并联。该电路的作用是减缓功率管关断时电压的上升速度，降低关断损耗。另一种是二极管与电容串联，电阻与电容并联。这个电路的作用是限制功率管关断时的最大电压。
上图好像是控制电机正反转的开关电路D，电源控制集成电路，三脚驱动MOS晶体管t，正常工作状态下，电流接通，负载断开，当电路的剩余电流在规定条件下达到其规定值时，使触点动作，主电路断开。峰值吸收，主要是避免D、电压反馈。限流电阻r不是启动电阻。反向电压击穿。
反向电压起到保护作用。这是一款开关电源，反激式，但是这张图是错的。首先，整体位置不对，RCD应置于晶闸管高压两端。续流二极管用于在MOS管关断时保护MOS管（续流负载产生的反电动势），BR，电流滤波器，u，变压器，c，其作用是保护开关管，降低开关管突然关断时D极的瞬时高压，防止开关管被击穿。
