电路原理图:单片机驱动mos管电路主要根据mos管要驱动什么，如果只是继电器等小负载，可以直接使用。驱动能力:MOS管常用于功率开关和大电流局部开关电路，FET是电压驱动的，这不同于电流驱动的晶体管，这是一个电机驱动电路，其中MOS管充当开关，获得部分电压，并在电路中产生电流。
电压很小，电路电流几乎为零。工作性质:三极管受电流控制，mos管属于电压控制。成本问题:三极管便宜，MOS管贵。MOS晶体管开关电路是通过使用MOS晶体管的栅极（G）控制MOS晶体管的源极（S）和漏极（D）的导通-截止的原理构建的电路。开，为电机接通电源和电流。MOS晶体管的原理:它利用VGS来控制“感应电荷”的数量，以改变这些“感应电荷”形成的导电沟道的状态，进而达到控制漏极电流的目的。
如果驱动的东西（动力）大。在这个电路中，P沟道MOS FET和N沟道MOS FET总是以相反的状态工作。当栅极电压大于导通电压时，电子管导通，电阻迅速下降。当没有施加R的栅极电压时（或者电压小于Vth），电子管关断，电阻非常大。电压基本上施加在电子管上，可以驱动R引脚。需要注意带保护二极管和吸收缓冲器的感性负载，最好使用N沟道MOS。
PWMMOS晶体管的驱动实际上是通过MOS放大PWM信号的功率。这是两个N沟道增强型CMOS晶体管。向它们的栅极施加正电压将形成导电沟道，MOS晶体管的漏极-源极处于低阻状态，这相当于开关被接通，电机旋转。该电路有两个输入端，它们在逻辑上是相反的，即输入信号将Q和Q、MOS管分为N沟道和P沟道，因此开关电路主要分为两种类型。
当输入端处于高电平时，N沟道MOS FET导通，输出端与电源地相连。极点输出为低电平，通过R，当输入端为低电平时，P沟道MOS FET导通，输出端随电源正极导通，极点也很低，这使得Q，因为这种类型的电子管的输入电阻非常大。在制造管道时，大量正离子通过该过程出现在绝缘层中，传，必使q，停；问。
