一般电流不大。瞬时电流的原因是增加它，此外，如果在栅极和发射极之间开路时在集电极和发射极之间施加电压，随着集电极电位的变化，栅极电位将上升，集电极将有电流，关闭电压，这将导致IGBT两端之间的电压降至极低水平，而电流仍然很高，导通电压，关断电压为，可以触发。通常，IGBT模块的驱动电压高于。
它非常适合DC电压。驱动器必须使用交流电。最大瞬时电流为；正常运行时，瞬时驱动电流大，GTR饱和电压降低，载流密度大，但驱动电流大；MOSFET的驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。一般来说，驱动电压在1000左右，IGBT是电压控制的。作为主流，IGBT继承了BJT大电流MOS控制的简单和双重特性，成为理想的开关器件。富士IGBT模组具有良好的性价比。
此时，如果集电极和发射极之间存在高电压，IGBT可能会被加热甚至损坏。由于IGBT的内阻在短路状态下变得很小，电流会迅速增加到危险水平，IGBT单管焊机的驱动电压一般为，在这种情况下，IGBT的栅极控制不再有效，电流不受控制地流过它。虽然等效电路是达林顿结构，a很大。
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【集成电路】 日期：2025-02-19
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贴片芯片连焊
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【集成电路】 日期：2025-02-19
