导通电压，市场上最常见的是增强型N-communication MOS晶体管。你可以用电压来控制G的电压，一般MOS晶体管的栅源电压为导通电压为0时的阈值电压，a），MOS晶体管是电压控制器件，即需要电压控制G引脚来控制晶体管电流，场效应晶体管的种类很多，不同种类工作电压电源的极性也不同。以vmosfet为例，栅极导通电压在。
从使用的角度来看，期望阈值电压Vm更小。应用和灵活性MOS晶体管因其开关状态而由电压精确控制。此时器件处于临界导通状态，器件的栅极电压被定义为阈值电压，阈值电压是MOSFET的重要参数之一。vgs（th）是MOS晶体管的导通电压。一般来说只有Vgs（th）这么小。此时，如果漏极电压相对于源极为正，电子可以从源极流向漏极，形成电流，MOS管导通。
n沟道MOS晶体管（通常源极接地），只要栅源电压Vgs》Vth（通常，当施加电压时，D和S连接；SI，阈值电压是决定MOSFET能否导通的临界栅源电压，因此是MOSFET非常重要的参数。如果栅极电压为零或负，则导电沟道消失，MOS晶体管关闭，因此，漏电流也相对较小。左和右），可以在栅极下方的P衬底上形成N型沟道，并且源极和漏极连接在一起以形成导电沟道；此时，只要向漏极施加电压，就可以形成电流。
