我们观察了样品的动态击穿特性，并用脉冲电压代替DC电压来分析其在不同脉冲宽度下的击穿电压性能。可以看出，漏极电流d受栅极电压控制，因此场效应晶体管是压控器件，即通过输入电压的变化来控制输出电流的变化，从而达到放大的目的，在特定溶液中浸泡并控制加热后，我们发现硫处理后的样品在各栅偏压下的源漏饱和电流均比处理前有所降低，其击穿电压也有明显提高。
栅极负压可以由单电源产生，也可以由阴极电流产生，即自生偏压。屏极和栅极都通过电压控制屏极电流，所以电子管是电压控制器件。因为栅极G与负偏压连接，所以当负偏压的绝对值增加时，耗尽层增加，沟道减小，漏极电流I6减小。当向栅极施加负电压时，即阴极连接到电源的正极，栅极连接到电源的负极时，可以在没有栅极电流的情况下控制栅极电流。
场效应晶体管的特点是其漏极电流受栅极电压控制。这个电压是屏幕连接到正电源的正极，阴极连接到电源的负极。根据功率水平、拓扑和系统框架，该解决方案可以提供5伏至0伏的正阈值电压。研究结果揭示了硫钝化后栅漏击穿电压升高和源漏饱和电流降低的机理。电子流和电流的方向相反。此外，我们研究了硫钝化对击穿电压和源漏饱和电流的影响。
增加屏幕和阴极之间的电压可以增加屏幕电流。这些变化导致负电荷密度增加，从而降低了漏栅边缘的电场强度，从而提高了击穿电压。（2）当负偏置的绝对值减小时，耗尽层减小，沟道增大，漏极电流ID增大。为了实现这一目标，常对栅极施加负压。电子管的基本知识:电流从电路的正极流向负极。
从电子管内部看，电流的方向是从屏幕流向负极。在电路结构中，增加了上一节提到的电解电容和薄膜电容，中学物理课件静电场和电场基础。两个带电体之间会产生电场，而电场也会在电子管的电极之间产生，结果表明，击穿电压随着脉冲宽度的增加而增加。因此，电子管的工作原理也是电场。
