集成电路按功能分为数字集成电路、模拟集成电路和微波集成电路。按器件可分为双极型集成电路、MOS集成电路和混合集成电路，半导体集成电路的工艺包括以下重复使用的步骤:光刻，根据电路结构和工作原理的不同，数字电路可分为组合逻辑电路和时序逻辑电路，MOS管的功耗比三极管低，因此集成电路采用MOS技术是非常令人沮丧的，TTL型常用于高功率和简单的电路。
CMOS互补金属氧化物半导体是指由互补金属氧化物（PMOS和NMOS晶体管）组成的互补MOS集成电路的制造工艺，其特点是功耗低。与品种和产量相比，MOS集成电路占优势。集成电路或微电路、微芯片芯片（在电子学中，它是使电路小型化的一种方法（主要包括半导体器件和无源元件等。），并且通常在半导体晶片的表面上制造。
b .动态随机存取存储器（DRAM）标志着大规模集成电路的出现；，m比率。MOS的英文全称是Metal-Oxide-Semiconductor，即金属氧化物半导体。确切地说，这个名称描述了集成电路中MOS管的结构，即在具有一定结构的半导体器件中添加二氧化硅和金属以形成栅极。组合逻辑电路没有记忆功能。
TTL的缺点是芯片面积。与CMOS技术相比，单个器件的尺寸将达到几倍甚至十几倍，这限制了芯片的集成度，其次是功耗，BJT工作时有静态功耗。MOS管的源极和漏极可以切换，英特尔推出了MOS技术，这是一项里程碑式的发明。，CMOS和Bic-MOS是MOS技术中的主流品种。
