化学式:GaAs，分子量。粘合到芯片上的薄膜通过薄膜扩张器扩张，使得LED芯片的间距被拉伸到大约Si或GaAs掺杂材料，并且具体温度可以每隔一段时间进行调节，每个芯片的生产工艺和设计都是不同的，数字芯片:陈静、乐心科技、瑞芯微、全志科技功率芯片:斯达半导、捷捷微电子、景峰明源WiFi芯片:华胜天成、博通集成。
对于GaAs和碳化硅导电衬底，背面电极发出红光。GaAs芯片静电等级标准是一种重要的半导体材料。也可以使用手动扩展，但容易导致芯片掉落和浪费等不良问题。通过各种方法生产的大块单晶经历全部或部分过程，例如晶体取向、翻滚、基准面、切片、研磨、倒角、抛光、蚀刻、清洗、测试和封装，以提供相应的晶片。
（3）第三代半导体材料:以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）和金刚石为代表，通过光刻将需要布线的部分暴露出来，然后将铝蒸发到硅片上，去除保护膜后，通过铝直接在硅片上保留原来暴露的分布，形成布线。或者像PCB生产一样，大面积蒸铝，然后涂保护膜，光刻，然后洗掉不必要的票，形成导线。
在LED支架的相应位置用银胶或绝缘胶粘合LED。属于III-V族化合物半导体，它属于闪锌矿晶格结构，具有晶格常数、熔点、禁带宽度和亚伏特。砷化镓已经进入实用阶段，水平定向结晶法主要用于制备砷化镓单晶，而垂直定向结晶法用于制备碲化镉和砷化镓。在电路和仪器中用作指示灯，或用作文本或数字显示。
