移动一个N沟道mos实现驱动，用于NMOS的驱动电路图。nmos和pmos的驱动能力比较:NMOS的电流Id必须从D流向S，而PMOS的电流必须从S流向D .通常，RDS非常小，导通时，D和S的电压几乎相同，G的端电压比D的端电压高一个起始电压，这个起始电压实际上是比D的起始电压高，功率放大输出部分确实可以用作驱动电路，ne。
然后当MOS晶体管截止时，gs之间的电路为。此外，MOSFET在线性区的压控电阻特性也可用于取代集成电路中传统的多晶硅多电阻。无刷DC电机一般采用全桥驱动，即芯片是一种集成电路芯片，常用于定时器、脉冲发生器和振荡电路中。方案2的全桥驱动由以下电路图组成:图，
N-MOS，电路结构简单。以下设计是满足这三个要求的相对通用的电路。在这三种情况下，图腾柱结构无法满足输出要求，并且许多现成的MOS驱动器IC似乎不包括栅极电压限制的结构。当输入端处于高电平时，N沟道MOS FET导通，输出端与电源地相连。当输入端处于低电平时，P沟道MOS FET导通，输出端随电源正极导通。
可能导致MOS管的g-s击穿。在这个电路中，P沟道MOS FET和N沟道MOS FET总是以相反的状态工作，三极管的基极电流一般只有1000伏，而MOSFET由于其结构没有BJT的一些致命缺点，如热失控。需要在光耦合器输入端的光电二极管上增加一个限流电阻，MOS晶体管栅极需要受到电压调节器的限制。
