驱动igbt时，驱动电路需要一个参考端。这个参考端是igbt的E极，所以当igbt导通时，即使E极的电压升高，单个vge始终参考E极，不会产生背压，一般驱动电压在左右，IGBT底座的驱动电压是瞬时驱动电流，一般由驱动电路电压决定，但不会超过，IGBT的驱动方式主要是控制其栅极电压来实现其导通和关。
当电容关断时，需要对其进行放电或泵浦，使电容电压降至导通电压以下。驱动电路的设计主要解决两个问题:提供足够的驱动电压以快速切换IGBT；提供控制信号与高压IGBT之间必要的电气隔离。在IGBT的G和E之间有一个输入电容，当它导通时需要充电，当它达到导通电压时需要导通。截止电压是，
上限值由器件自身能力决定，IGBT可以通过的驱动电压开启。IGBT是一种双极晶体管，其开关状态需要通过施加适当的正负电压来控制。IGBT的驱动实际上是栅极电容的充放电过程。不，驱动电压太高，可能会导致发射极击穿并毁坏IGBT。一般来说，IGBT是电压控制的。
过高或过低的栅极电压都会导致IGBT失效或损坏。IGBT的栅极电压正常工作范围为正，一般电流不大，有一个大的瞬时电流是必要的，但向IGBT发出开关脉冲控制的芯片的输出电压是最大瞬时电流。正常工作在，或-；，a大，上升沿可以满足需求，上升沿瞬间变化。至负，左右，通常在。
