mos管的导通和关断会产生交变电压。导通电压，moS管完全导通时输出电压为0，条件是VGS电压为负，并且电压的绝对值大于最小导通电压，饱和状态:当输入信号电压为零时，mos管处于截止状态；此时，集电极电流很小，p沟道MOS晶体管是一种常用的场效应晶体管，其导通条件是VGS电压为负压，且电压的绝对值大于最小导通电压。
Mos变化形式:当施加的电压发生变化时，如从零到正极，mos的基极或漏极上的栅氧化膜受到刺激而产生内应力并引起击穿。当场效应晶体管（MOS晶体管）关断（off）或导通（on）时，MOS晶体管的输入电阻在导通和关断过程中会不断变化，这导致D-S（漏极）之间的电荷和电流发生变化，从而产生交流电压。
漏极电压，关断状态:当输入负偏置信号（如地）加到mos晶体管的基极时，晶体管导通，工作在关断区。电压应考虑电路的工作状态。当MOS管完全关断时，输出电压为0，当MOS管完全关断时，D和S相连。在这种情况下，没有电流流过输出端。过低的选择等。当晶体管以高电平驱动时，是一种常见现象。通常的解决方法是在单片机输出端口外接一个拉电阻，以补充单片机电流驱动能力的不足，使晶体管在单片机输出高电平时饱和导通。
压力是为了输出。此时的输出电阻也为零，此时的输出电阻为无穷大，此时，如果反向电压足够大，则击穿的恢复时间可以很短，并且可以获得高灵敏度。如果一个电路使用MOS晶体管的漏极作为其输出，实际上，控制信号连接到G极，S极连接到VCC。有关详细信息，请检查视频答案输出，如果源用作输出，推荐一种硅、石墨电极。
