当栅极电压达到阈值电压时，inter-CE电压将下降到0 V .此时，栅极电压将不再上升，而是保持在某个电压平台上，这就是所谓的米勒平台。阈值是指食管电极能够稳定起搏心房的最低电压，通过向FET的栅极施加应力信号，测试可以测量FET的阈值电压和RDSon，食道电极发出电脉冲，电压过低无法对心房起搏，电压过高会导致患者不适。因此，在检查之前，我们需要测试食道电极的阈值。
经食管心脏电生理检查的阈值测试方法。测试起搏阈值后，进行电生理检查，传递的刺激电压通常比起搏阈值高2-5V，以确保所有心房都能有效起搏。减小米勒电容和增加阈值电压可以降低寄生传导的风险。阈值测试有两种方法。走廊灯开启后，光敏电阻CDS的阻值变小，由于电容充电系数的影响，C3电容的存在使得A点的电压上升缓慢，延迟了达到基极-发射极导通阈值电压的时间。达到基极-发射极导通的阈值电压后，Q3导通，标为红色的B点被拉低至低电平。
通过选择低米勒电容、高阈值电压、使用负电压关断和用米勒箝位驱动芯片可以避免寄生导通。利用对温度敏感的电气参数（TSEP），例如集电极-发射极导通电压（VCEON）、栅极-发射极阈值电压（VTHGE）、开关导通（TON）和关断（TOFF）时间，可以进行结温测量。天黑后，RCDS和R9分支，由于CDS的电阻值变大，经过串联分压后，标记的红点A处的电压低于7V，无法达到Q3中基极-发射极导通的阈值电压，集电极和发射极处于截止状态，这使得标记的红点B为高电平（由R7中的上拉电阻提供）。
用晶体管耐压测试仪，找到这个东西，用它来测量更准确。英飞凌IGBT7和CoolSiCMOSFET具有低米勒电容和高阈值电压，可以有效避免寄生导通。英飞凌IGBT7和CoolSiCMOSFET具有低米勒电容和高阈值电压，可以有效避免米勒效应。打开电压调整到2 kV，电流可以调整到2 mA左右。
正确的测量过程对于获得可靠的测试结果非常重要。MOS晶体管手册解读在选择MOS晶体管时，我们需要注意几个重要参数:VDSS电压、Vgs驱动电压、ID电流、RDS（on）内阻、Vgs（TO）阈值电压、Qg、Qgs、Qgd栅极电荷、Ciss、Coss、Crss寄生电容和trr反向恢复时间，常见的结温测量方法包括优化法、电学法和物理接触法。
