一般来说，随着温度的升高，直流电压降低，传导电流增加。漏电流主要由亚阈值电流、pn结反向饱和电流和栅极漏电流组成，而亚阈值电流和pn结反向饱和电流是主要的，随着温度升高，阈值电压降低，亚阈值电流增加，pn结反向饱和电流与温度成指数比例关系，随后温度升高，电压Ur通常称为二极管的mosfet，也称为死区电压或阈值电压。
随着栅偏压的增加，沟道越来越强。这个NMOS晶体管的阈值电压实际上是负的。温度特性:功率二极管的工作特性会受到温度的影响。因此，在高温环境下，需要考虑温度对功率二极管性能的影响。导致电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。当直流电压很小时，通过二极管的电流很小，只有当直流电压达到一定值Ur时，电流才会显著增加。
随着栅偏压的降低，沟道越来越弱，最终消失。这里，如果P型掺杂较重，费米能级离价带越近，离本征费米能级越远，则表面越难反转，半导体表面的耗尽区需要更高的压降才能实现反转，因此增加沟道的掺杂将导致阈值电压的增加，当温度升高时，半导体被热激发，少数载流子的数量增加，反向饱和电流也增加。
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