纳米级芯片大约相当于芯片制程体积的大小。m时，晶体管所占的面积将减少一半；在芯片的晶体管集成度相当的情况下，采用更先进的制造工艺，芯片的面积和功耗将更小，切片就是芯片制造所需的晶圆，一个晶体管，那么现在的芯片就会比以前的芯片有更好的运算精度和能效比，在改进芯片工艺的过程中，需要将几何尺寸和功耗降低十倍左右。
芯片的工艺从一开始，半导体硅基芯片的生产过程主要包括以下步骤:晶圆制备:首先需要收集硅片并将其加热到高温，使其变得柔软和透明。例如，过去只有一个晶体管可以放在火柴盒大小的芯片上，但现在可以放在指甲盖大小的芯片上。此外，贵金属用于连接实际的芯片及其封装。光刻:在照相过程中使用紫外光和模板或掩模来转印图像。
晶圆越薄，生产成本越低，但对工艺的要求越高。根据不同的材料或不同的工艺精度，蚀刻也分为许多设备，并且可以使用特殊的液体来制作Wetetch。半导体集成电路的工艺包括以下步骤:光刻、蚀刻、薄膜（化学气相沉积或物理气相沉积）、掺杂（热扩散或离子注入）和化学机械平坦化CMP。栅极长度越短，相同尺寸的硅晶片上可以集成的晶体管就越多——英特尔曾宣称将栅极长度从，
已经实现了批量生产和出货。米到达，米稍后到达，米，米，米，米，米，米，米，米甚至，数字越小，体积越小，然后，旋转晶片并将其暴露于化学蚀刻溶液中，以去除表面氧化物和杂质。最后，冷却并取出晶片，m降低到，晶片涂膜可以抗氧化和耐温，其材料是一种光刻胶。对紫外光敏感的化学物质用于晶片光刻显影和蚀刻过程中。
