n沟道和p沟道Mos晶体管的方向确定。我的第一个电子电路实验，测试mos晶体管压控电流模式器件，NMOS是一种电压控制装置，当Vgs电压大于开启电压时，内部通道开启，当VGS电压较低时，内部通道关闭。因此，应特别注意内部保护二极管和输入输出电容，根据测试结果，mos输出电流随GS电压3V至54V之间的输入电压而变化，线性度良好。
n沟道MOS晶体管HKTG90N03可用于电源、电机驱动等应用。和科泰生产的N沟道MOS晶体管HKTG 90N03具有开关速度快、负载电流大、漏源导通电阻小的特点，适用于驱动电路和电源管理。Mos型号STP9NK50ZFP，N沟道Mos。当沟道电流上升时，由于沟道电阻的原因，在沟道中形成了从右到左的电压差，这将抵消一部分栅极偏置电压，并使沟道在漏极端变窄。当电流继续上升时，漏极电压也将上升到等于偏置电压。
n沟道MOS晶体管HKTD 90n 0可用于电源、电机驱动、适配器和其他应用。赫克泰生产的HKTD90N0是一款低压低功耗MOS晶体管，具有漏源电压30V、栅源电压20V、漏源电流90A、漏源导通电阻005、最小阈值电压2V、最大阈值电压5V、耗散功率90mW的特性。它采用先进的沟槽技术和低RDS（ON）电荷的出色设计，具有非常小的封装尺寸，易于安装和更好的散热性能。适用于BMS、电机驱动、电源开关、开关电路、稳压电路、高频电路、不间断电源等多种低功耗要求的电子应用场景。
单片机的io电平通常为3或5V。在控制电压较高的电源时，我们需要通过三极管将io电平信号转换为较高电平的信号，当栅极施加的正电压超过MOS的栅极导通电压Vth时，在栅极能级以下形成充满电子的反型层，从而形成MOS导电沟道。电源电压为3v直流，负载电阻为1K和2K，今天，除了继电器之外，还有MOS管用于控制电路的通断。在控制一些DC电源和电机的场合，通常使用P沟道MOS管。
