三极管集电极电阻一般为多少，三极管共射放大电路关于集电极电阻

来源：整理时间：2024-04-24 02:28:55 编辑：亚灵电子网手机版

本文目录一览

1，三极管共射放大电路关于集电极电阻
2，PNP三极管 9015 9V电压接集电极基极电阻应该是多大三极管饱和
3，三极管基级电阻集电极电阻发射基电阻数量级
4，三极管如何定基极偏置电阻和集电极负载电阻的大小
5，三极管的偏置电阻一般为多大最好
6，三极管各极电阻的计算方法

1，三极管共射放大电路关于集电极电阻

如果你想用管子的放大区的话集电极电阻不能太大，太大的话当管子导通时，电阻分压大从而容易引起管子饱和；也不能太小，如果太小，管子导通时，等效电阻较小，电流过大容易将管子烧毁。如果想让集电极输出高低电平的话集电极电阻稍微大点，这样一旦导通就会饱和，输出低电平。

理论上，集电极电阻为0，负载电压恒为vcc，负载电流是否恒定得看你的输入信号，如果是直流就恒定，如果是交流就为就不恒定，电流在静态工作点附近上下波动，放大的信号本质上体现在ce间电流变化，ce间的阻值是三极管ce间等效阻值，比较小，但不恒定。

三极管共射放大电路关于集电极电阻

2，PNP三极管 9015 9V电压接集电极基极电阻应该是多大三极管饱和

基极电阻为10K~15K，或只要基极电压≥1V则三极管就饱和导通。

PNP三极管 9015 9V电压接集电极基极电阻应该是多大三极管饱和

3，三极管基级电阻集电极电阻发射基电阻数量级

小信号放大器为例，基极电阻几十K欧姆，集电极电阻几K欧姆，发射结电阻几十欧姆。

1、三极管集电极与发射极的导通，取决于基极的电流，如果基极没有电流输入（电流为零），则ic=ie=0，（实际电路中有很小的漏电流）。如果基极电流ib渐渐增大，ic和ie也会成倍增大，增大的倍数取决于放大倍数β。2、如果不导通电阻是无穷大。3、计算要参照外部所接的电路。三极管在不同电路中的参数计算均不同，但你只要抓住放大倍数β、发射结的压降0.7v（硅材料）、电源电压。就可以根据基极电流还有所接电阻计算各个参数。4、附计算公式： ib=（ucc-ube）/rb ic=ib*β uce=ucc-ic/rc 很高兴回答楼主的问题如有错误请见谅

三极管基级电阻集电极电阻发射基电阻数量级

4，三极管如何定基极偏置电阻和集电极负载电阻的大小

一般让基极与发射极之间电压0.5——0.7伏左右集电极负载电阻一般为10欧——100欧

5，三极管的偏置电阻一般为多大最好

你可以根据实际电路中来计算，使基极到发射极的电压为0.7V左右就行了！谢谢采纳！

工作在5付用10千12伏用15千加3千下偏，一般来说直接量基极和发射极刚好在0。6付最好。

三极管一般为三种状态，截至，放大，饱和，截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态。放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。不难看出如果你只要你确定了工作电压，就可以算出偏置电阻的大小了。一般管子我们分A管和C管，即PNP,和NPN 9014是NPN型三极管只要在基极加零点几伏正电压，就可以工作，如果集电极是3.6v，基极电阻从几K到十几k，如果要精确最好加表用电位器到临界导通状态。三极管开关状态，基极电阻也是一样，要让三极管振荡最先也是要要让三极管导通-饱和导通-截至，最后两部是靠电路的反馈来完成，不知道你明白没有。电子元器件基础知识（4）——半导体器件一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W）、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W）、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管日本半导体分立器件型号命名方法二、日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。美国半导体分立器件型号命名方法三、美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下： 1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。 2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。 3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。第一部分：O-表示半导体器件第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。俄罗斯半导体器件型号命名法由于使用少，在此不介绍。

15K最好

一个好的产品都要经过严格设计和计算才能出众,电路也是一样. 首先要设计此电路要干什么的,如要用作音频信号放大推到喇叭, 下来的就要考虑用三极管还是场效应管或电子管等.就拿常用的三极管来说,此时就要了解三极管工作原理和计算外维静态,动态的电流.因为静态和动态的电流参数可以直接反应就可三极管什么样状态下工作. 以上只是说明.重点要学习到下载: http://s319.dlut.edu.cn/analog/Resource/ppts/ch3_2_circuits.ppt http://eelab.zju.edu.cn/jxzy/m22.ppt http://www.ncvt.net/xibu/jdx/dzdg/online/kj/dzdgjc/sucai/%B5%DA11%D5%C2%BB%F9%B1%BE%B7%C5%B4%F3%B5%E7%C2%B7.ppt#282,4,幻灯片 4 每一种元件都有一个工作极限参数.具体可以到:WWW.IC37.COM下载查看.让你能更好设计.

10K即可.