pmos管关断电压是多少伏，mosfet的触发导通电压是多少关闭电压是多少

来源：整理时间：2023-11-19 00:41:05 编辑：亚灵电子网手机版

1，mosfet的触发导通电压是多少关闭电压是多少

MOSFET上的；二是你的MOSFET是N还是P型的，这对判断关断还是导通有很大的影响。 N型MOS一般都是用S对地，G接电压控制，接地时截止，接高于地的电压开始导通，D输出，负载是从正电源到D之间连接，也就是说管子的D到S导通，让负载的负极接到地，关断时，负载的地断开；PMOS极性相反，S接正，G仍是控制，但接正时是关断，低于正的电压才是导通，D输出时，负载一端接地，一端接D极，MOS控制的是负载的正极。假设是NMOS，导通的要求就是VGS>0(理想值)，所以可以变形出公式VG>VS，这样当你上述的条件下，VG只有5V，VS=200V，那么显而易见的说，会截止。

mosfet的触发导通电压是多少关闭电压是多少

2，PMOS管做开关时不能完全截止

EN为低电平，那么Q2截止，24V电压直接负载到mos管的G端，S端电压也是24V，Vgs=24-24=0；PMOS正常的截止电压为正电压（参考PMOS电压电流曲线（型号IRF9630）），Vgs>0VPMOS正常的饱和导通电压为负正电压（参考PMOS电压电流曲线（型号IRF9630）），Vgs<-10V对照曲线图，Vgs=0的时候，Rds等效电阻约为80K欧。那么由于输出电压为7V,PMOS管与负载串联，可以推测出，负载电阻约为7/24=RL/(RL+Rds)---->RL=(560/17)K=32.94K约33K如何避免。。。。。。减小负载电阻，RL减小换元器件换图三极管Q2的CE端，并接一个5V稳压二极管，将Vgs拉到5V,Rds上升MOS管栅极的对立的那个极接12V，不建议，市场上也很少

PMOS管做开关时不能完全截止

3，典型MOS管的阈值电压是多少

MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一。MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。阈值电压通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。扩展资料：MOS管其发热情况有以下三点：1、电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。2、频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。3、没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。4、MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。参考资料来源：百度百科-阈值电压百度百科-mos管

典型MOS管的阈值电压是多少