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门限电压为多少,逻辑分析仪的门限电压是怎么设置的

来源:整理 时间:2024-03-15 16:44:01 编辑:亚灵电子网 手机版

1,逻辑分析仪的门限电压是怎么设置的

我有个朋友是做开发的,常用到逻辑分析仪,对于逻辑分析仪门限电压的设置,他给出这样的回答,不知道能不能有效帮到你解决问题:门限电压,即分界电压,大于这个门限电压的值逻辑为1,小于这个门限电压的逻辑为0。门限电压设置过高或过低都将导致数据失真,如下图1、图2所示。门限设置过高,逻辑1的宽度变窄;设置过低,逻辑0变窄,一般门限电压取被测信号电平范围的一半。就拿我常用到的LA1000、LA2000、LAB6000和LAB7000系列逻辑分析仪门限电压均可调(直接选择或手动输入,精度0.01V),但可调范围与具体型号有关。LA1016PRO是一个例外,它的门限电压不可调,固定为1.7V。 门限电压过高 门限电压过低具体设置逻辑分析仪门限电压如下图所示,支持自动调节,也可手动输入,可精确到0.01V。

逻辑分析仪的门限电压是怎么设置的

2,锗二极管的导通电压是多少

锗二极管导通电压为0.1V-0.3V,一般取0.2V,死区电压为0.1V左右。对于锗二极管 ,开启电压为0.2V,导通电压UD约为0.3V。锗二极管就是用锗材料制作的二极管。几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。锗二极管与硅二极管差别:1. 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多,锗管为mA级,硅管为nA级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级,所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓度低的多,故硅管的反向饱和电流很小。2.在正向电压很小时,通过二极管的电流很小,只有正向电压达到某一数值Ur后,电流才明显增长。通常把电压Ur称为二极管的门限电压,也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is,所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。一般硅二极管的门限电压约为0.5V~0.6V, 锗二极管的门限电压约为0.1V~0.2V。

锗二极管的导通电压是多少

3,什么是门限电压

门限电压通常被定义作为门电压,是指逆温层形成在绝缘层(氧化物)和基体(身体)之间的接口晶体管。在nMOSFET晶体管的基体由p类型硅组成,正面地充电流动孔作为载体。当正面电压是应用的在门, 电场造成孔从接口被排斥,创造a 势垒区包含固定消极地被充电的接收器离子。 在门电压的进一步增加最终造成电子出现于接口,在什么称逆温层,或者渠道。 电子密度在接口同一样孔密度在中立粒状材料称门限电压历史的门电压。 实际上门限电压是有足够的电子在做MOSFET来源之间的一个低抵抗举办的道路和排泄的逆温层的电压。扩展资料欠压锁定许多电子设备中都有UVLO的功能,例如在镇流器中就有UVLO电路,若电压过低时直接切断电源。UVLO就是低电压锁定; 低压关断. 欠压关断模式是当供电电压低于IC的开启门限电压时的一种保护模式。欠压关断模式可保证IC在供电电压不足时不致于被损坏。一个低电压锁定(UVLO)电路可确保IC在电池电压未达到安全操作电压前不会激活,UVLO的功能会展示滞后现象,以确保在电源供应上的噪音不会不慎导致系统故障。参考资料来源:百度百科—门限电压

什么是门限电压

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