理想pn结本征载流子浓度为多少，t400k时锗的本征载流子浓度值是多少最好告诉哪有表格可查找

来源：整理时间：2023-10-16 19:28:01 编辑：亚灵电子网手机版

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1，t400k时锗的本征载流子浓度值是多少最好告诉哪有表格可查找
2，为什么半导体中的少数载流子的浓度比本征载流子浓度要小
3，本征载流子浓度与哪些因素有关
4，为什么半导体器件的温度稳定性差是多子还是少子是影响温度稳定性
5，求大神解两道半导体物理的计算题
6，相同电阻率的锗和硅哪个反向电流大
7，为什么在室温附近温度升高杂质半导体中少数载流子浓度升高

1，t400k时锗的本征载流子浓度值是多少最好告诉哪有表格可查找

t=400k时,锗的本征载流子浓度值是1.624*10^15 cmˉ3

我不会~~~但还是要微笑~~~：）

t400k时锗的本征载流子浓度值是多少最好告诉哪有表格可查找

2，为什么半导体中的少数载流子的浓度比本征载流子浓度要小

本征载流子浓度通常有10的10次方每平方厘米。少数载流子和多数载流子的乘积要是10的20次方没平方厘米。多数载流子通常有10的15次方以上少数载流子通常为10的5次方以下

因为本征半导体中形成了稳定的化学键，加入外层有3或5个电子的杂质后，形成化学键就会少或多电子，就会形成少子和多子

为什么半导体中的少数载流子的浓度比本征载流子浓度要小

3，本征载流子浓度与哪些因素有关

1、与温度有关，同样材质的半导体，温度越高，热激发越强烈，本征载流子浓度越高2、与禁带宽度有关，同样的温度下，禁带宽度越窄，电子或空穴更容易从价带跃迁到导带，本征载流子深度越高。

本征载流子浓度与哪些因素有关

4，为什么半导体器件的温度稳定性差是多子还是少子是影响温度稳定性

多子，容易混淆，因为在一个半导体器件里多子也不确定是空穴还是电子。举个例子：在pn结中，p区杂质电离产生空穴，p为多子（p载流子浓度10^18cm^-3）；n区杂质电离产生电子，n为多子（10^18cm^-3）；常温下本征载流子浓度为10^10cm^-3,要控制其浓度值小于10^17cm^-3（假设），保证内电场的存在即pn结的有效性。若要计算温度极限，利用费米分布函数，就可得到其理论最大工作温度。希望你能满意！

5，求大神解两道半导体物理的计算题

1. 锗中掺锑，锑是五族元素，在锗中是施主杂质，锗的禁带宽度小于硅，由此断定室温下杂质全电离，因此电子浓度就是锑的掺杂浓度。由质量作用定理ni^2=p*n，电子浓度已经知道，就能算出空穴浓度。电导率的公式σ=n*μn*q+p*μp*q，计算电导率，求倒数就是电阻率。2. 少子的平均漂移速度就是指在电场作用下载流子单位时间移动的距离，这里漂移速度V=1cm/10^(-4)s=10^4cm/s，迁移率μ=V/E，然后根据爱因斯坦关系，扩散系数D=μkT/q，即可求出扩散系数。其实半导体物理的计算多为套公式，只要熟悉每个名词背后的概念，将各个概念的关系能够联系起来做计算题就没什么问题了。

我是来看评论的

6，相同电阻率的锗和硅哪个反向电流大

因为是半导体，低电场强度下欧姆定律适用，反向电流你说的不清，你说的是pn结吗，如果是的话当然是锗反向电流大，（温度相同）

锗的少子浓度高 300k时，si本征载流子浓度为1*10^10，电子空穴迁移率分别为1450，500 ge为2.4*10^13，3800，1800 首先假设两种材料的掺杂种类都为n型，浓度分别为ns和ng，并且为中等浓度掺杂电导率(忽略少子参与的导电)相等即ns*1450=ng*3800 ns=2.6ng 因为掺杂为n，少子应该是空穴，所以ns>ng，ps<pg 锗中的少子浓度高以上是最简单的情况如果再复杂一些就是低掺杂和高掺杂了，和掺杂种类不同的情况

7，为什么在室温附近温度升高杂质半导体中少数载流子浓度升高

我以N型半导体给你举一个例子：单位体积的硅原子数为10^22cm^-3,若杂质含量为10^-4（万分之一），则杂质原子浓度为10^18cm^-3。在常温下，杂质能级上的电子即使只有十分之一被激发到导带中，其浓度也为10^17cm^-3。而常温下硅的本征载流子浓度只有10^10cm^-3的量级。可见N型半导体中多数载流子是电子，而少数载流子是本征载流子（电子空穴对）。可见，在室温附近，许多元素半导体本征载流子为数极少，所以本征半导体电阻仍很高。而在同一温度下，掺杂半导体的导电能力为本征半导体的数百倍及其以上。

温度可以由空气，泥土等导热再看看别人怎么说的。

留连戏蝶时时舞，自在娇莺恰恰啼。