pn结电子空穴寿命是多少，关于PN结中的电子和空穴

本文目录一览

1，关于PN结中的电子和空穴
2，PN结中什么是空穴
3，二氧化钛内部电子空穴的寿命由什么决定
4，一个关于pn结的问题求大神解答
5，关于PN结的问题请大师来解答
6，pn结中的空穴是什么
7，关于PN结的问题

1，关于PN结中的电子和空穴

你思考了许多问题，解决之后就都清楚了。请搜索“pn结耗尽层”和“pn结势垒”这两个词条，先把pn结的基本概念弄清楚，然后再考虑pn结单向导电的基本原理，问题就明白了。

关于PN结中的电子和空穴

2，PN结中什么是空穴

由于电子的定向移动时留下的空子

简单的说就是电子不在它原来的位置留下的地方就形成了空穴

電子帶負電荷，空穴是電子移動位置留下的地方，帶正電荷

PN结中什么是空穴

3，二氧化钛内部电子空穴的寿命由什么决定

不会。二氧化钛光催化在行业内叫光触媒，是当紫外线光照射时二氧化钛内的形成电子空穴，俘获周围的氧气和水中的电子，生成强氧化性基团，可以分解甲醛等有机物，杀灭病菌的作用，自身作为催化剂不会消耗，但如果室内甲醛浓度过高，会有失活现象。

你说呢...

二氧化钛内部电子空穴的寿命由什么决定

4，一个关于pn结的问题求大神解答

PN结的单向导电性主要是P和N两部分的空穴和电子浓度不同，形成PN结时会因为扩散导致P和N各自带异性电荷（原本P和N是不带电荷的），此电荷在PN结单独存在时会形成一个电场来阻止电子或者空穴运动。如果外加电场和这个原来的电场同向，则原场强变强，无法形成电流。如果外加电场和这个原来的电场反向，则原场强变弱，可以形成电流。

通过空穴导电是由半导体材料的性子决定的，其他导体是没有这种性子的，所以···············

5，关于PN结的问题请大师来解答

你说的pn结导电的意思就是通了外电压吧，没通外电压时p区的多子是空穴、通电后空穴会向n区运动，当然这个过程中存在离子复合、但并不是所有空穴都会复合、还有一部分是会到n区的、这一切都发生在耗尽区，耗尽区在pn之间，耗尽区即存在电子又存在空穴，当然n区的电子也类似。存在浓度差就会出现扩散运动，当然这个运动是从高浓到低浓、pn结没通外电压时就存在扩散运动，是n区的电子扩散到p区、当n区电子扩散过去后n区本身就只剩下带正电的电离杂质、使n区出现正的空间电荷、类似p区剩下负的空间电荷、这样内建电场就形成了、从n区到p区。再说说漂移、电子在电场力的作用下的运动就叫漂移运动。所以漂移和扩散理论完全不一样。

pn结的单向导电性主要是p和n两部分的空穴和电子浓度不同，形成pn结时会因为扩散导致p和n各自带异性电荷（原本p和n是不带电荷的），此电荷在pn结单独存在时会形成一个电场来阻止电子或者空穴运动。如果外加电场和这个原来的电场同向，则原场强变强，无法形成电流。如果外加电场和这个原来的电场反向，则原场强变弱，可以形成电流。

6，pn结中的空穴是什么

1:空穴与电子带相等的电荷量，并且一个带正电一个带负电。2：平衡，不动在3给讲原理就知道了3：原理：pn结是由p型半导体和n型半导体构成的，这些不讲，书上有定义。重点说下形成过程。p区载流子包括：多子（空穴）少子（电子）n区载流子包括：多子（电子）少子（空穴）p区多子（空穴）浓度高于n区，所以p区空穴向n区扩散，p区空穴扩散到n区与n区的电子中和，在p区留下不可移动的负离子，同理n区也留下不可移动的正离子。n区正离子与p区负离子之间有电势差，叫做势磊。电场的方向是n区指向p区的，阻碍多子的扩散，却有利于少子的运动，少子的运动叫做漂移，飘逸与扩散都产生电流。随着扩散的进行，势磊增大，漂移增强，扩散减弱，最后飘逸电流与扩散电流相等。达到平衡，流过pn结的净电流为0，达到平衡。4：此时空间电荷区没有载流子了，叫做耗尽层。耗尽层中没有空穴。但是p区和n区还是有空穴的，空穴在负离子附近运动，但强调不在空间电荷区。5补充一点，万物都在运动中的，再说参照物不同，也不同。

不完全是您的理解。半导体在通常情况下呈现电中性，当某个电子获得足够高的能量脱离束缚离开原来的位置后，局部地区的电中性被破坏，呈现正电性。这个正电性就用空穴来表示。所以空穴不但是一个位置，而且是一个呈现正电性的位置。异性相吸，空穴当然可以和其他电子配对重新电中性。不过，被吸引过来的电子由于离开了原来的位置，所以在原来位置上又形成了一个空穴。

7，关于PN结的问题

你好： P 区留下 NA- ，N 区留下 ND+ ，形成空间电荷区。空间电荷区产生的电场称为内建电场，方向为由 N 区指向 P 区。电场的存在会引起漂移电流，方向为由 N 区指向 P 区达到平衡时，净电流 = 0 所以pn结是电中性的 p区负电荷是因为p型半导体接收电子而带负电 n区带正电荷是因为n型半导体失去电子而显正电因为p型或者n型半导体要和硅形成共价键掺入的硼原子是不带电的但是只有三个电子那么空穴就容易接受电子而显负电性磷原子与硼原子类似

说的太复杂了，简单点：就像墨水滴到水中会发生扩散，同样的由于两种半导体所带载流子浓度不同，所以也会扩散。但也不能无限制扩散，因为扩散后会使原来不带电的两种半导体带电，这样产生了电场，电场的产生抑制了载流子继续扩散（可自行举例分析），最终形成耗尽层。

p区接+电,而N区接-电，外接电场与内电场相反，才有导电发生。。。你的问题可以这样解释，在空穴和电子移动达到一定程度时，也就是说两边存在能垒，阻止了大量的移动，p区与N区的金属空穴和电子无数所以不可能饱和，因此p区结果还是带-电，N区还是带+电。。。。

它用的材料不同嘛

PN结采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。 PN结（PN junction）一块单晶半导体中，一部分掺有受主杂质是P型半导体，另一部分掺有施主杂质是N型半导体时，P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称。PN结有同质结和异质结两种。用同一种半导体材料制成的 PN 结叫同质结，由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结。制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。制造异质结通常采用外延生长法。在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的。N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区。P 型半导体一边的空间电荷是负离子，N 型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散，达到平衡。在PN结上外加一电压，如果P型一边接正极，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，甚至消失，电流可以顺利通过。如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这就是PN结的单向导性。 PN结加反向电压时，空间电荷区变宽，区中电场增强。反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流，则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种，即隧道击穿和雪崩击穿。 PN结加反向电压时，空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件。它的电容量随外加电压改变。根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管，利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管；利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管；利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器；利用光生伏特效应可制成太阳电池。此外，利用两个 PN结之间的相互作用可以产生放大，振荡等多种电子功能。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的核心，是现代电子技术的基础。在二级管中广泛应用。【参考的】专业的最好去百度问【个人建议】