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mosfet的跨导一般为多少,为什么mos管的资料上没有跨导参数

来源:整理 时间:2023-04-28 23:55:56 编辑:亚灵电子网 手机版

1,为什么mos管的资料上没有跨导参数

怎么会没有呢。连低压大电流电源管的资料都有,好几十S。
有的大功率管在源极和漏极之间反向并联了一个二极管,

为什么mos管的资料上没有跨导参数

2,电路中MOS管的跨导值是什么意思

跨导的定义:漏极电流变化量与栅源电压变化量的比值,叫做跨导。跨导可以用Gm表示:跨导的单位为S(西),为欧姆的倒数,即1S=1/Ω。此定义适用于任何电压控制型放大元件,如电子管(真空三极管)、场效应管等。点击图片放大看:跨导值越大,意味着可以用更小的栅源电压控制漏极电流发生更大的变化,意味着放大作用更大。跨导和漏极电阻的乘积,等于共源放大器的空载电压放大倍数(空载电压增益系数)。

电路中MOS管的跨导值是什么意思

3,电力场效应管的电力MOSFET的主要参数

除跨导Gfs、开启电压UT以及td(on)、tr、td(off)和tf之外还有:(1)漏极电压UDS——电力MOSFET电压定额(2)漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM——电力MOSFET电流定额(3)栅源电压UGS—— UGS?>20V将导致绝缘层击穿 。(4)极间电容——极间电容CGS、CGD和CDS

电力场效应管的电力MOSFET的主要参数

4,什么是MOS管的跨导值

MOS管的gm如同三极管的β,是衡量MOS管放大能力的标志之一。不过话说回来,不是什么时候都需要放大能力强,比如在做开关管的时候,就需要器件能很快地在饱和、截止状态之间转换,达到深度饱和的速度要快。这时候,gm就不能太大。另外,gm越大,要造出大功率的管子难度也越大,价格越高。市面上的小功率管gm可以很高,但大功率管的话,gm一般都很小。跨导(Transconductance)是电子元件的一项属性。电导(G)是电阻(R)的倒数;而跨导则指输出端电流的变化值与输入端电压的变化值之间的比值。mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

5,电路中MOS管的跨导值是什么意思

跨导的定义:漏极电流变化量与栅源电压变化量的比值,叫做跨导。跨导可以用Gm表示:跨导的单位为S(西),为欧姆的倒数,即1S=1/Ω。此定义适用于任何电压控制型放大元件,如电子管(真空三极管)、场效应管等。点击图片放大看:跨导值越大,意味着可以用更小的栅源电压控制漏极电流发生更大的变化,意味着放大作用更大。跨导和漏极电阻的乘积,等于共源放大器的空载电压放大倍数(空载电压增益系数)。

6,MOSFET主要参数什么意思

Mosfet参数含义说明 Features: Vds: DS击穿电压.当Vgs=0V时,MOS的DS所能承受的最大电压 Rds(on):DS的导通电阻.当Vgs=10V时,MOS的DS之间的电阻 Id: 最大DS电流.会随温度的升高而降低 Vgs: 最大GS电压.一般为:-20V~+20V Idm: 最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低,体现一个抗冲击能力,跟脉冲时间也有关系 Pd: 最大耗散功率 Tj: 最大工作结温,通常为150度和175度 Tstg: 最大存储温度 Iar: 雪崩电流 Ear: 重复雪崩击穿能量 Eas: 单次脉冲雪崩击穿能量 BVdss: DS击穿电压 Idss: 饱和DS电流,uA级的电流 Igss: GS驱动电流,nA级的电流. gfs: 跨导 Qg: G总充电电量 Qgs: GS充电电量 Qgd: GD充电电量 Td(on): 导通延迟时间,从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间 Tr: 上升时间,输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间 Td(off): 关断延迟时间,输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间 Tf: 下降时间,输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间 ( 参考图 4) 。 Ciss: 输入电容,Ciss=Cgd + Cgs. Coss: 输出电容,Coss=Cds +Cgd. Crss: 反向传输电容,Crss=Cgc.MOS管导通特性 导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。 适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V, 其他电压,看手册)就可以了。 PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。

7,MOS管的跨导的大小对MOS管有什么影响

MOS管的gm如同三极管的β,是衡量MOS管放大能力的标志之一。不过话说回来,不是什么时候都需要放大能力强,比如在做开关管的时候,就需要器件能很快地在饱和、截止状态之间转换,达到深度饱和的速度要快。这时候,gm就不能太大。另外,gm越大,要造出大功率的管子难度也越大,价格越高。市面上的小功率管gm可以很高,但大功率管的话,gm一般都很小。
gm是工作点Q处Vgs对Id的控制,是衡量放大信号的能力。

8,mosfet和bjt有什么区别我只知道bjt能放大电流1

MOSFET属于场效应管,放大原理与双极型晶体管有非常大的区别。BJT属于电流放大器件,以NPN为例,其IC= β * IBMOSFET属于电压控制放大器件,基本不消耗驱动电流,只与栅极电压相关,放大能力的指标叫跨导。也就是 漏极电流/栅极电压。参考 http://baike.baidu.com/view/509184.htm
MOSFET的电流放大倍数与他的跨导有关,就是器件资料中的Gfs,或者是gfs.当,MOSFET 工作在放大区的话,与跨导与Vds相关。当工作在恒流区的时候没对应的一个电压VDS就有一个相对稳定的电流IA相当于一个恒流源了。

9,同样的工作条件下一般来说场效应管的跨导要比晶体管小得多为什

因为场效应管iD和栅源电压是平方率的关系,而BJT集电极电流和发射结电压是指数函数关系
场效应管是一种重要电子元件,现在被广泛使用,他具有和以前的电子管一样的特性,是一种电压控制元件,依靠电压信号进行放大,原理是依靠一个信号控制导电构宽度从而控制导电性.场效应管具有三个接脚.二级管是一种半导体的普通器件,使得电子只能从一个方向流到另一个方向,他只有两个脚,也被很广泛使用.晶体管,是一个总称,他包括场效应管,可控硅等等器件,一般不能说他有多少个脚,比如mos管就三个脚,可晶闸管什么的却好几个脚.
先生大概理解有偏差,三极管有电流放大倍数,不说跨导。场效应管有跨导,不说电流放大倍数。三极管集电极电流与基极电流之比称为电流放大倍数。场效应管的漏极电流与栅极电压之比称为跨导。电压除以电流称为电阻,电流除以电压则称为电导。漏极电流与栅极电压由于跨越了场效应管,所以称为跨导。

10,CMOS逻辑电路的MOS参数

1.开启电压VT·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V。2. 直流输入电阻RGS·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。3. 漏源击穿电压BVDS·在VGS=0(增强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS·ID剧增的原因有下列两个方面:(1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿(2)漏源极间的穿通击穿·有些MOS管中,其沟道长度较短,不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通,穿通后源区中的多数载流子,将直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区,产生大的ID 。4. 栅源击穿电压BVGS·在增加栅源电压过程中,使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS,称为栅源击穿电压BVGS。5. 低频跨导gm·在VDS为某一固定数值的条件下 ,漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力·是表征MOS管放大能力的一个重要参数·一般在十分之几至几mA/V的范围内 。6. 导通电阻RON·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ,是漏极特性某一点切线的斜率的倒数·在饱和区,ID几乎不随VDS改变,RON的数值很大 ,一般在几十千欧到几百千欧之间·由于在数字电路中 ,MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下,所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似·对一般的MOS管而言,RON的数值在几百欧以内 。7. 极间电容·三个电极之间都存在着极间电容:栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS·CGS和CGD约为1~3pF·CDS约在0.1~1pF之间。8. 低频噪声系数NF·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的·由于它的存在,就使一个放大器即便在没有信号输人时,在输出端也出现不规则的电压或电流变化·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示,它的单位为分贝(dB)·这个数值越小,代表管子所产生的噪声越小·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数·场效应管的噪声系数约为几个分贝,它比双极性三极管的要小 。
cd4000和cd4500系列cmos逻辑电路通常标称最大输出能力高低电平均为6.8毫安,但速度较低。74系列cmos逻辑电路种类繁多,速度比cd4000和cd4500系列高许多倍。输出能力也不同,从几毫安到几十毫安,这些输出电流是指在保持驱动逻辑电平定义区域的电流输出,超出驱动逻辑电平定义区域,其电流输出能力还要高一倍到几倍,有些上百毫安。比如逻辑电路输出接大功率晶体管切换继电器,就可以不考虑逻辑驱动电平定义区域。以8驱动器74244为例,以下为74系列中全部使用(如74hc)或部分使用(如74abt)cmos技术的ic,不包括纯双极型,如74ls,74f等。低为低电平吸入电流,高为高电平扇出电流,单位为毫安。型号 低 高-----------------------------------------74abt244 64 3274ac244 24 2474act244 24 2474acq244 24 2474hac244 8 874haalb16244 24 2474alvc244 24 2474alvch244 24 2474alvt1624 64 3274alvtc16244 64 3274alvth162244 12 874avc244 12 874avc+244 12 874avch244 12 1274bct244 64 1574c244 70 7074hc244 8 874hct244 8 8c74lcx244 24 24c74lcxh1624 12 12c74lcxz1624 12 1274lvc244 24 2474lvch244 24 2474lvcz244 24 2474lvq244 12 1274lvt244 64 3274lvtch16244 24 2474lvth244 64 3274lvtn16244 64 32c74lvx244 4 474vcx16244 24 2474vcxh16244 24 2474vhc244 8 874vhct244 8 8
文章TAG:mosfet的跨导一般为多少mosfet跨导一般

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